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本項目采用隧道結(jié)技術(shù)實現(xiàn)疊層太陽能電池的制備，擴展電池的光譜收集范圍，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。 一、項目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、成果簡介 太陽能是大自然賜予人類最清潔，最豐富的能源資源，目前商用的太陽能電池以晶體硅電池為主，由于晶體硅消耗硅料較多，近年來人們一直致力于開發(fā)硅薄膜電池。非晶硅薄膜電池已經(jīng)實現(xiàn)了商業(yè)化生產(chǎn)并有了一定的市場份額，但它仍存在不足之處，包括光致衰減效應(yīng)和轉(zhuǎn)換效率不高(約6％)等。本項目在國家863計劃課題(2006AA03Z219)支持下，開展了以多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和納米晶薄膜的制備和相關(guān)材料的單結(jié)與疊層硅基太陽能電池關(guān)鍵技術(shù)研究，已經(jīng)申請發(fā)明專利5項，發(fā)表科研論文20余篇。 三、創(chuàng)新點以及主要技術(shù)指標(biāo) 1.利用LPCVD方法和自擴散技術(shù)生長多晶硅p-n結(jié)，結(jié)合層轉(zhuǎn)移技術(shù)制備多晶硅薄膜太陽能電池； 2．采用金屬誘導(dǎo)晶化和快速熱處理技術(shù)實現(xiàn)優(yōu)質(zhì)多晶硅薄膜的制備并在低溫下制備太陽能電池； 3.在PECVD和HWCVD生長硅薄膜時，通過生長溫度，氣體流量，氫氣稀釋比，腔室氣壓等參數(shù)實現(xiàn)微晶硅或者納米晶薄膜的生長； 4.采用雙層膜技術(shù)減小表面處入射光的反射并實現(xiàn)表面鈍化，提高入射光的收集率和少數(shù)載流子壽命； 5.采用高低結(jié)結(jié)構(gòu)增加光生載流子的收集效率； 6.采用隧道結(jié)技術(shù)實現(xiàn)疊層太陽能電池的制備，擴展電池的光譜收集范圍，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。 四、知識產(chǎn)權(quán)及獲獎 國家863項目(2006AA03Z219)

圖像傳感器，是一種常用的光電探測器件，它能將光子信號轉(zhuǎn)換成電子信號，被廣泛地應(yīng)用在高性能光譜儀、數(shù)碼相機以及其他的電子光學(xué)設(shè)備中。普通的CCD、CMOS硅基探測器能獲得高量子效率的光譜響應(yīng)范圍在400~900nm波段，在紫外波段，由于多晶硅柵的吸收系數(shù)很大，這就意味著紫外光子在極端淺（小于2nm）的表層被吸收，導(dǎo)致其在波長小于400nm的紫外波段量子效率（QE）極低。紫外量子效率低的缺陷限制了前照式硅基探測器在航空業(yè)、工業(yè)以及制造業(yè)等領(lǐng)域中的應(yīng)用。因此，研制寬波段硅基探測器件使其響應(yīng)范圍延伸到紫外和深紫外波段是國內(nèi)外紫外探測領(lǐng)域的迫切需要。

本發(fā)明公開了一種基于硅基液晶的波長分辨監(jiān)測方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對不同波長入射光有不同的相位調(diào)制的 特性，對在硅基液晶波長工作范圍內(nèi)的光信號實現(xiàn)分析與監(jiān)測，并能 在入射光波長未知的條件下，對該波長進行測量，并能隨著相位調(diào)制 精度的提高，提高波長的分辨精度。本發(fā)明元件少，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單緊 湊，對光路的準(zhǔn)直要求不高，無需苛刻光路的耦合與復(fù)雜操作就能進 行波長的分辨，并且有著與入射光偏振態(tài)無關(guān)的特性，在分辨出波長 的同時，還能對入射光束的偏振態(tài)進行測量，適用范圍更廣。 

采用光互連技術(shù)可以有效的解決集成電路進一步發(fā)展的尺寸限制同時可以極大的提高芯片間信息傳輸?shù)乃俣群皖l率。Si基光子集成是實現(xiàn)集成電路光互聯(lián)的核心技術(shù)和重要研究方向。然而，Si因為其間接帶系的特性很難作為發(fā)光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優(yōu)良的光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)在光電子器件領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實現(xiàn)Si基光子芯片的一種理想途徑。

本發(fā)明公開了一種基于硅基液晶的波長分辨監(jiān)測方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對不同波長入射光有不同的相位調(diào)制的 特性，對在硅基液晶波長工作范圍內(nèi)的光信號實現(xiàn)分析與監(jiān)測，并能 在入射光波長未知的條件下，對該波長進行測量，并能隨著相位調(diào)制 精度的提高，提高波長的分辨精度。本發(fā)明元件少，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單緊 湊，對光路的準(zhǔn)直要求不高，無需苛刻光路的耦合與復(fù)雜操作就能進 行波長的分辨，并且有著與入射光偏振態(tài)無關(guān)的特性，在分辨

一種基于硅基液晶的波長選擇開關(guān)，屬于光交換器件，解決現(xiàn) 有基于硅基液晶的波長選擇開關(guān)輸出端口數(shù)量受到限制的問題。本發(fā) 明由設(shè)置在光路上的輸入單模光纖、偏振轉(zhuǎn)換組件、反射鏡、傅里葉 透鏡、衍射光柵、硅基液晶相位空間光調(diào)制器、自聚焦準(zhǔn)直透鏡陣列 和輸出二維單模光纖陣列構(gòu)成。本發(fā)明對需要交換的光束利用硅基液 晶相位空間光調(diào)制器實現(xiàn)二維偏轉(zhuǎn)，使波長選擇開關(guān)輸出光纖陣列的 光束由一維向二維轉(zhuǎn)化，能夠大幅度增加波長選擇開關(guān)輸出端

一種基于硅基液晶的波長選擇開關(guān)，屬于光交換器件，解決現(xiàn) 有基于硅基液晶的波長選擇開關(guān)輸出端口數(shù)量受到限制的問題。本發(fā) 明由設(shè)置在光路上的輸入單模光纖、偏振轉(zhuǎn)換組件、反射鏡、傅里葉 透鏡、衍射光柵、硅基液晶相位空間光調(diào)制器、自聚焦準(zhǔn)直透鏡陣列 和輸出二維單模光纖陣列構(gòu)成。本發(fā)明對需要交換的光束利用硅基液 晶相位空間光調(diào)制器實現(xiàn)二維偏轉(zhuǎn)，使波長選擇開關(guān)輸出光纖陣列的 光束由一維向二維轉(zhuǎn)化，能夠大幅度增加波長選擇開關(guān)輸出端

晶硅太陽電池生產(chǎn)仿真實訓(xùn)讓學(xué)員以車間技術(shù)人員的身份參與整條晶硅太陽電池產(chǎn)線的生產(chǎn)工作。學(xué)員可以按標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)流程操作車間生產(chǎn)設(shè)備、檢測生產(chǎn)樣品以及對電池生產(chǎn)進行工藝仿真，從而深刻了解整個太陽電池生產(chǎn)流程以及關(guān)鍵工藝參數(shù)。 一.1.1. 場景設(shè)計 場景由制絨車間、擴散車間、后清洗車間、PECVD鍍膜車間、絲網(wǎng)印刷車間和分選包裝車間六大場景組成。場景素材從多個真實工廠采集而來，高保真還原車間設(shè)備與生產(chǎn)流程 場景模型主要包括：潔凈車間、制絨機、自動上下料機、硅片、電子天平、分光光度計、電源柜、水冷機、空壓機、化學(xué)液柜、電腦，鍵盤、鼠標(biāo)、擴散爐、石英舟、插片房、傳遞窗、純水箱、石英舟清洗槽、防毒面具、試驗臺、緩沖墊、防化服、源瓶、氣柜、硅槳、方阻測試儀，萬用表，石墨舟、PECVD鍍膜機、舟車、烘箱、全自動絲網(wǎng)印刷機、網(wǎng)版、刮刀、攪拌機、槳料、夾具、接觸電阻測試儀、燒結(jié)爐、IV分選儀、硅片盒、五格花藍(lán)等... 一.1.2. 互動設(shè)計 第一人稱視角控制主角場景漫游，學(xué)員可以在三維空間中自由活動和觀察場景中的物體。 拾取物體操作采用3D空間實際抓取的方式，沒有采用一般游戲中的背包欄方式，而當(dāng)需要同時拾取多個物體時則提供3維工具用于裝放，采取這種方式會更加接近現(xiàn)實，使學(xué)員更真實的體驗實際工具的存放及使用的技巧。 各生產(chǎn)車間按照真實生產(chǎn)流程設(shè)計實訓(xùn)生產(chǎn)任務(wù)，完成當(dāng)前任務(wù)后才能進入下一個任務(wù)，每個任務(wù)記錄完成時間以及工藝仿真結(jié)果 縮略地圖實時顯示角色位置與任務(wù)點位置 第一人稱視角與特寫觀察視角無縫平滑撤換 機器與設(shè)置仿真控制，通過機器控制面板設(shè)置工藝參數(shù)，控制啟動生產(chǎn)，檢測生產(chǎn)結(jié)果 表單填寫與作業(yè)報告生成 使用儀器與設(shè)備檢測生產(chǎn)樣品 操作規(guī)程與關(guān)鍵知識點主動提示學(xué)習(xí) 原理動畫演示

大功率射頻LDMOS器件以其線性度好、增益高、輸出功率大、熱穩(wěn)定性好、效率高、寬帶匹配性能好、價格低廉等方面的優(yōu)勢已經(jīng)成為基站、廣播電視發(fā)射機、航空電子、雷達(dá)等領(lǐng)域等應(yīng)用最廣泛的射頻功率器件。 本團隊利用優(yōu)化的法拉第屏蔽罩結(jié)構(gòu)和版圖布局技術(shù)，基于國內(nèi)8英吋工藝技術(shù)平臺，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（圖1），能夠提供完整的RF LDMOS器件的設(shè)計與研制方案。目前已制作出頻率0.5GHz，輸出功率>500W，功率增益>18dB、漏極效率>50%的單芯片RF LDMOS 器件；頻率1.2GHz，輸出功率>600W，功率增益>20dB、漏極效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；頻率3.1GHz，輸出功率>80W，功率增益>10dB、漏極效率>35%的單芯片S波段RF LDMOS 器件（圖2）。 (a) (b) 圖1 RF LDMOS器件：(a)晶圓顯微照片 (b)封裝器件 a b c 圖2 RF LDMOS器件功率測試曲線：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段

本團隊利用優(yōu)化的法拉第屏蔽罩結(jié)構(gòu)和版圖布局技術(shù)，基于國內(nèi)8英吋工藝技術(shù)平臺，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能夠提供完整的RF LDMOS器件的設(shè)計與研制方案。