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課題組依據(jù)共價鍵、靜電吸引力、范德華力三種不同作用力類型，構筑了三類TiO 2

本發(fā)明公開了一種測量大氣水 Raman 譜和氣溶膠熒光譜的激光雷達系統(tǒng)。該系統(tǒng)由發(fā)射單本發(fā)明 公開一種分辨 N2 分子振轉 Raman 譜的雙光柵光譜儀系統(tǒng)。包括信號饋入單元、光學色散單元和信號檢 測單元。信號饋入單元采用集束光纖將傳導的信號光饋入光學色散單元;光學色散單元包含兩組級聯(lián)的 準 Littrow 結構布局的單光柵色散系統(tǒng);信號檢測單元分辨與記錄色散后的通帶范圍內譜信號。在波長 354.8nm 紫外激光輻射下，由 N2 分子產生的 Stokes 振轉 Raman 譜中心波長為 386.8nm，對稱分布在兩 側的 O 支與 S 支譜各譜線在頻譜上等間距;本發(fā)明能提取 N2 分子振轉 Raman 譜 O 支及 S 支各分立譜 線信號，實現(xiàn)對 N2 分子振轉 Raman 譜的分辨與檢測，同時能對 354.8nm 附近光信號產生大幅抑制。

該研究提出了聚合物粘合劑的新型策略，通過合成一個柔性的共軛n型聚合物，使其能夠作為一種粘合劑粘合小分半導體的晶界，提升其機械性能，實現(xiàn)了柔性有機晶體管器件。這種聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之間的相分離，進一步實現(xiàn)了晶粒間的粘合作用。

一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法，屬于半導體材料 與器件制備領域，解決現(xiàn)有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁帶寬度和能帶位置 固定的問題，以實現(xiàn)禁帶寬度和能帶位置的連續(xù)可調，得到禁帶寬度 和能帶位置更加合適的無機半導體材料。本發(fā)明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜，由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作為蒸發(fā)源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作為蒸發(fā)源，通過近空間升華法在襯底

產品詳細介紹 1.掃描模式：手持精細掃描，手持快速掃描 ★2.尺寸精度：手持精細掃描模式：±0.05mm，各方向誤差≤0.3mm/m；手持快速掃描模式：±0.1mm，各方向誤差≤0.3mm/m； 3.掃描速度：線掃描模式：1,000,000點/秒；面掃描模式：1,500,000點/秒； ★4.可變分辨率：≥0.2mm，掃描時分辨率可以通過系統(tǒng)軟件在掃描后根據(jù)需要調整，無須通過更換硬件鏡頭來實現(xiàn) 5.單幅掃描范圍：135*100mm——225*170mm 6.工作中心距離：400mm 7.景深：200mm ★8.光源：三色LED（非激光，不污染環(huán)境及危害人身健康） ★9.拼接模式：標志點拼接，特征拼接，手動拼接，混合拼接 10. 輸出數(shù)據(jù)是否可直接打印： 無須借助第三方軟件，軟件自帶修補孔，標志點修補，平滑，銳化，縮放，簡化，數(shù)據(jù)編輯等功能，直接輸出融合后的完整STL模型，直接進行3D打印 11.移動終端實時顯示功能：在掃描過程中，借助移動終端設備，可實現(xiàn)掃描狀態(tài)在計算機與移動終端的同步分屏顯示，實時監(jiān)測掃描進程，更便利地觀察掃描實況。 12.數(shù)據(jù)輸出格式：STL，ASC，OBJ，PLY，3MF 13.系統(tǒng)支持： Win7,Win8,Win10,64bit  14.電腦要求：顯卡：NVIDIA GTX1060及以上，顯存：>4G，處理器：I7及以上，內存：16G及以上 15.掃描頭含數(shù)據(jù)線重量：≤1.13kg ★16.素材支持：配備一個3d素材庫，素材庫數(shù)量須大于2萬個，素材涵蓋人物、卡通、教育、建筑、時尚、玩具、動物、植物、家居、工具、動漫游戲等類別，素材擁有25個以上特色專題，每個專題包含至少5個以上同類別優(yōu)質素材。素材庫包含網(wǎng)站及APP，APP同步支持安卓及IOS下載，素材庫系統(tǒng)須取得電腦終端與iphone移動終端及Android移動終端《計算機軟件著作權登記證書》。 2. 提供生產廠商對本項目的原廠項目授權委托書及售后服務承諾書原件。（須加蓋生產廠商單位公章） 3. 投標單位配備的3D模型庫需提供《軟件著作權登記證書》。（復印件并加蓋軟件供應商單位公章）

產品詳細介紹帶投幣器，可開駕吧用

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小試階段/n本發(fā)明涉及一種Si3N4/SiCW復相結合SiC耐火材料及其制備方法。其技術方案是：以50~75wt%的碳化硅、18~36wt%的單質硅和2~15wt%的碳為原料，外加所述原料3~7wt%的改性結合劑，攪拌均勻，機壓成型，成型后的坯體在220℃條件下干燥8~48小時；干燥后的坯體在氮氣氣氛中燒成，隨爐自然冷卻至室溫，即得Si3N4/SiCW復相結合SiC耐火材料。所述燒成的溫度制度是：先升溫至890~920℃，保溫1~3小時；再升溫至1180~1350℃，保溫4~10小時；然后升溫至在1

本發(fā)明提供一種制備 N-甲基烏洛托品鹽的方法，將烏洛托品和質子酸生成的質子化烏洛托品鹽在適 宜條件下直接轉化成 N-甲基烏洛托品鹽。其原理為:烏洛托品質子化后生成含 N-H 鍵的叔胺陽離子; 陽離子的生成使與質子化氮原子相連的烏洛托品骨架上的亞甲基活化，繼之在適宜條件下發(fā)生斷鏈、轉 移和插入 N+-H 鍵的反應，最終生成 N-甲基烏洛托品陽離子，在這種亞甲基轉移反應中，陰離子一般不 參與反應。該制備方法不用其它甲基化試劑，涉及化學

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