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本項目提出并發展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。 一、項目分類 重大科學前沿創新 二、成果簡介 基于新材料、新架構的硅基高密度集成信息功能器件的自主發展是國家重大戰略需求。本項目圍繞新型低維半導體材料的大規?？煽刂苽洹⑽镄哉{控及其電子、光電器件展開系統研究，主要技術創新點有： 一、二維半導體材料及其異質結構的大規?？煽刂苽?。本項目提出并發展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。在晶圓級二維半導體材料的基礎上構建出大規模的二維異質結構，得到了具有高可靠性和穩定性的集成器件。相關成果發表在Science Advances、Advanced Materials等國際知名刊物上，共計40余篇，授權專利16項；與中國電子科技集團公司第十三研究所等合作，成功實現了非層狀GaN在大失配硅基襯底上的高質量外延，為第三代半導體的硅基集成提供了新的技術路線。 二、基于低維半導體材料的高靈敏光電器件。本項目通過發展高質量硫族半導體的外延生長新工藝，系統研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余種二維半導體材料的光電性質，極大地拓展了傳統的半導體光電材料體系；首次提出一種橋接的異質結構筑方式，大大降低了范德華間隙引入的光生載流子注入勢壘，獲得了高性能二維異質結光電器件；發展了納米線場效應晶體管器件表面修飾方法，調節晶體管特性為強增強型，利用這種設計，實現了“鎖鑰”式高選擇性、高靈敏度氣體檢測器件。本項目實現了從深紫外區到中遠紅外區的寬波段高靈敏度檢測，相關成果發表在Science Advances、ACS Nano等國際知名刊物上，共計30余篇，授權專利6項。 三、后摩爾時代新型低維電子信息器件。本項目基于低維半導體材料及其異質結構的物性調控，首次提出了二維半導體材料中的“增強陷阱效應”物理模型，實現了高性能的亞帶隙紅外探測器和非易失性光電存儲器；利用雙極性溝道中橫向載流子分布的特定電場依賴性，在二維黑磷晶體管中實現了室溫負微分電阻特性；通過構筑亞5 nm溝道二維鐵電負電容晶體管，使得亞閾值擺幅突破玻爾茲曼物理極限，有效降低了器件能耗；創新性的提出多層二維范德華非對稱異質結構，實現了器件高性能與多功能的集成，器件性能為當時最高指標；發展了新型存算一體架構電子器件技術，首次演示了兼具信息存儲和處理能力的二維單極性憶阻器，有望突破當前算力瓶頸，提供集成電路發展的新途徑。相關成果發表在Nature Electronics、Nature Communications等國際知名刊物上，共計60余篇，授權專利7項。

本發明公開了一種非易失性高密度三維半導體存儲器件，該存 儲器件由芯殼型納米線作為 NAND 串組成，所述 NAND 串垂直于襯 底。利用芯殼型納米線作為 NAND 串制作存儲器件，不僅使器件的結 構更加簡單，也減少了原有器件制作過程中復雜的制造工藝步驟，簡 化了制備過程，對降低制造成本有積極作用

大數據無線傳輸、智能駕駛車載雷達系統，第五代移動通信(5G)、物聯網等。

高校科技成果盡在科轉云

本項目屬光、機、電、材一體化技術領域，具有多學科綜合的特點。半導體激光器具有效率高、體積小、重量輕、結構簡單、能將電能直接轉換為激光能、功率轉換效率高、便于直接調制、省電等優點，因此應用領域日益擴大。半導體激光技術已成為一種具有巨大吸引力的新興技術并在工業中得到了廣泛的應用。高功率半導體泵浦激光器是半導體激光技術中最具發展潛力的領域之一。 半導體激光器最大的缺點是激光性能受溫度影響大，光束的發散角較大。封裝成本占半導體激光器組件成本的一半，封裝技術不僅直接影響泵浦激光器組件的可靠性，而且直接關系到泵浦激光器芯片的性能能否充分發揮。本項目對非致冷高功率980nm泵浦激光器的封裝技術進行了研究，整個封裝技術涉及光學、電學、熱學、機械等，精度達微米數量級。通過采用激光器芯片的倒裝貼片技術，小型化、全金屬化無膠封裝技術，最終滿足了光纖放大器對泵浦激光器小體積、高功率、低成本、高可靠性的要求。光耦合則采用透鏡光纖直接耦合，最大限度地減小耦合系統的元件數和相關損耗，提高了光路可靠性和易操作性。采用雙光纖光柵波長鎖定技術，提高了非致冷高功率980nm泵浦激光器的邊模抑制比和波長穩定性。項目組通過采用這些技術，最終解決了一系列非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關鍵技術。 經國家光學儀器質量監督檢測中心測試，非致冷高功率980nm泵浦激光器主要技術指標如下：    1. 管殼尺寸：12.7(mm)×7.4(mm)×5.2 (mm)    2. 工作溫度：0-70℃    3. 中心波長：980nm    4. 譜 寬：1nm    5. 閾值電流：24mA    6. 輸出功率：240mW    7. 功 耗：小于1W 本項目的研究成果，通過與相關企業開展產學研合作，經過近五年的技術研發和不斷改進，非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關鍵技術研究成果已成功應用于相關產品的批量生產，為企業創造了較好的經濟效益。在社會效益方面，填補了我國非致冷高功率半導體泵浦激光器方面的不足，對行業技術進步和產業結構優化升級起到了積極的推動作用。 耦合封裝是對精度要求非常高的一系列工藝過程，這注定它很難實現自動化技術。因此，小型化泵浦激光器封裝技術的研究成果，特別適合在中國這樣人力成本低且技術基礎好的環境。通過對小型化980nm泵浦激光器封裝技術的研究，實現了封裝技術的源頭性創新，有助于向其他半導體泵浦激光器和光電器件的耦合封裝拓展。該技術在光電子器件的應用方面具有廣闊的市場潛力和廣泛的推廣應用前景，將成為形成光電子器件封裝技術產業的重要技術支撐。

一種基于虛擬發電廠的配電網無功功率優化調度方法及系統，在沿饋電網絡接入的每個節點連接設 置一個監測裝置，控制過程包括當虛擬發電廠的當前調度時間段開始時，各監測裝置向虛擬發電廠的集 中控制器上傳所接入節點的實時電壓有效值；集中控制器建立無功功率優化調度模型并求解得到各分布 式電源的無功輸出給定值，集中控制器向各分布式電源發送無功輸出給定值，各分布式電源相應輸出無 功功率至饋電線路。本發明通過集中控制器的優化調度，使得配電網中各個節點電壓偏離額定值

本成果面向國家亟需的復雜系統集成和功率管理等應用，采用多層次設計的指導思想，研究并突破了系統芯片多層次低功耗關鍵設計技術，提出了復雜片上網絡系統建模、低功耗路由及互連、超低功耗模擬電路 IP 設計技術和高效率集成化功率轉換和功率管理技術。提出的系統芯片低功耗多層次設計技術廣泛適用于系統集成芯片、數模混合集成以及功率管理和功率轉換系統，顯著降低了數字信號處理器、多模多頻移動基帶等芯片的功耗水平，使單片功耗由瓦級降低到毫瓦級，具有廣泛的適應性和兼容性。 NOC 模擬器軟件支持二維和三維的 Mesh、Torus、Clustered Mesh、Clustered Torus 拓撲結構類型，交換機制為 Wormhole，路由算法為 XY 路由算法，通信模式支持 uniform 和 hotspot 模式，數據包長度可調，片上通信量可配置，最終能評估片上網絡系統芯片的跳轉延遲等各種延遲時間參數、仲裁能耗等各種能耗參數、實際包產生率、產生成功率、數據包分布等性能和功耗參數。 圖1 NoC仿真軟件 圖2 綠色節能AC/DC功率轉換器芯片

本發明公開了一種模塊化多電平換流器功率運行區間的獲取方 法，包括下述步驟：(1)根據已知的模塊化多電平換流器的基本參數， 建立旋轉坐標系下模塊化多電平換流器的穩態數學解析模型；(2)確定 要考慮的運行約束條件；(3)根據穩態數學解析模型計算各約束條件下 功率運行區間；(4)將各約束條件下的功率運行區間取交集，獲得考慮 多重運行約束條件下模塊化多電平換流器的功率運行區間。本發明考 慮的運行約束條件，通過建立一套旋轉坐標系下模塊化多電平換流器 的穩態數學解析模型，并通過取交集得到考慮多重約束條件下的功率

本發明公開了一種感應電機矢量控制系統功率管開路故障的在線檢測方法，包括：通過矢量控制驅動系統中已有的電流傳感器和速度傳感器分別測出三相電流和轉速；再通過坐標變換計算出轉子磁鏈定向的同步旋轉坐標系下的 d 軸電流和 q 軸電流；將正常工作時的初始角代替故障時的初始角來重構 a 相電流相位角，將重構的電流相位角劃分為六個階段；將檢測的 d 軸、q 軸電流與給定的 d 軸、q 軸電流進行比較，獲得電流偏差 Eid 和 Ei