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一種超聲波功率測(cè)量系統(tǒng)，本發(fā)明屬于測(cè)量?jī)x器，解決現(xiàn)有輻 射力天平法測(cè)量超聲波功率對(duì)環(huán)境要求較高、儀器達(dá)到穩(wěn)定測(cè)量狀態(tài) 所需時(shí)間較長(zhǎng)的問(wèn)題。本發(fā)明包括激光器、擴(kuò)束鏡、衰減片、水槽、成像透鏡、CCD 攝像機(jī)、計(jì)算機(jī)、激光電源和光學(xué)平臺(tái)，所述激光器、 擴(kuò)束鏡、衰減片、水槽、成像透鏡和 CCD 攝像機(jī)沿光路依次固定在光 學(xué)平臺(tái)上，成像透鏡的軸線(xiàn)與激光器 1 發(fā)出的平行光的軸線(xiàn)重合，CCD 攝像機(jī)放置在成像透鏡的焦點(diǎn)上，用于接收衍射圖案，并將該圖像傳

特色及先進(jìn)性；技術(shù)指標(biāo) 電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經(jīng)開(kāi)展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國(guó)內(nèi)最早開(kāi)展GaN-on-Si功率半導(dǎo)體技術(shù)研究的團(tuán)隊(duì)。近年來(lái)在分立功率器件如功率整流器、增強(qiáng)型功率晶體管及其集成技術(shù)方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽(yù)為“器件奧林匹克”的國(guó)際頂級(jí)會(huì)議IEDM上報(bào)道了GaN-on-Si開(kāi)關(guān)模式Boost轉(zhuǎn)換器，國(guó)際上首次實(shí)現(xiàn)了GaN-on-Si單片集成增強(qiáng)型功率晶體管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一種GaN功率整流器新結(jié)構(gòu)（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其結(jié)構(gòu)如圖2所示。新結(jié)構(gòu)較傳統(tǒng)GaN整流器具有更小的導(dǎo)通電阻，更低的開(kāi)啟電壓和反向漏電。圖3為MG-HAD和傳統(tǒng)SBD正向開(kāi)啟特性特比，可以看出MG-HAD具有較小的開(kāi)啟電壓（0.6V）和導(dǎo)通電阻（1.3mΩ?cm2）。圖4可以看出器件直至150 ℃高溫仍然保持優(yōu)秀的反向阻斷能力，以10μA/mm 為擊穿電流標(biāo)準(zhǔn)，MG-HAD在常溫下?lián)舸╇妷撼^(guò)1.1kV的儀器測(cè)量極限，150 ℃高溫下?lián)舸╇妷簽?70V。本器件結(jié)果能同時(shí)具有低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓，因而其baliga優(yōu)值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二極管報(bào)道中為第二高值，見(jiàn)圖5所示。

兩電平與三電平主電路適用于能量四像限運(yùn)行，三電平更適于直流高壓場(chǎng)合，可用于并網(wǎng)逆變，老化電子負(fù)載，蓄電池充放電機(jī)的前級(jí)，高功率因數(shù)整流器， 用作微電網(wǎng)與電網(wǎng)間的接口電路，可實(shí)現(xiàn)微網(wǎng)與電網(wǎng)間的能量互換，可用于直流充電樁的前級(jí)，實(shí)現(xiàn)網(wǎng)側(cè)的高功率因數(shù)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

成果簡(jiǎn)介本項(xiàng)目屬于自主研發(fā)的饋網(wǎng)節(jié)能型模擬交直流雙向電子負(fù)載， 主要用于交直流電源出廠(chǎng)試驗(yàn)、 可靠性試驗(yàn)及電源輸出性能檢測(cè)的能夠模擬實(shí)際負(fù)載特性的新型電力電子裝置。 它能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)所模擬實(shí)際負(fù)載值的無(wú)級(jí)調(diào)節(jié)， 并能夠?qū)⒇?fù)載試驗(yàn)中有功電能無(wú)污染地回饋電網(wǎng)， 實(shí)現(xiàn)電能的再生利用。 該裝置具有高效節(jié)能、體積小、 重量輕、 節(jié)省安裝空間、 試驗(yàn)性能優(yōu)良等優(yōu)點(diǎn)。項(xiàng)目的主要技術(shù)是將能量無(wú)污染回饋電網(wǎng)和負(fù)載特性的任意模擬技術(shù)。 本項(xiàng)目實(shí)施后， 可解決現(xiàn)有無(wú)源負(fù)載（阻性、 感性、 容性等）

在海洋環(huán)境、酸雨污染、高溫高濕等的環(huán)境條件下，紫銅、黃銅及其合金的加工器件在中間工序存放和使用過(guò)程中會(huì)造成點(diǎn)蝕，進(jìn)而擴(kuò)展為大面積腐蝕，而作為連接部件會(huì)加劇縫隙腐蝕引發(fā)應(yīng)力腐蝕斷裂。該項(xiàng)目成功研制了耐腐蝕耐磨防腐蝕環(huán)保涂料，大大延長(zhǎng)銅類(lèi)尤其是紫銅的自然存放期，對(duì)銅器件生產(chǎn)和運(yùn)輸過(guò)程中起到了很好的保護(hù)作用；由于耐蝕性?xún)?yōu)異，也可作為長(zhǎng)期防護(hù)涂層。該技術(shù)獲得的涂層在厚度為5μ條件下測(cè)試相關(guān)主要技術(shù)指標(biāo)如下：   外觀(guān)    無(wú)色透明   可保留銅的金屬光澤；可調(diào)整任意顏色   粘度    25秒      《涂料粘度測(cè)定法》（涂-4杯）（GB/T 1723-1993）    附著力  0級(jí)      《色漆和清漆漆膜的劃格試驗(yàn)》（GB/T9286-1998）    耐鹽霧   200h       《色漆和清漆耐中性鹽霧的測(cè)定》（GB/T1771-1991）   耐沖擊  50Kg·cm   《漆膜耐沖擊測(cè)定法》GB/T1732-1993   耐磨擦  0.005千克 《漆膜耐磨性測(cè)定法》（GB/T1768-1989）   硬度    4H        《涂膜硬度鉛筆測(cè)定法》（GB/T6739-1996）   相容性  與彈藥相容 《真空安定性試驗(yàn)-壓力傳感器法》（GJB772A-97 501.2） 該技術(shù)適合噴涂、刷涂、輥涂等工藝，不含任何有害稀釋劑，為環(huán)保產(chǎn)品。該產(chǎn)品用量少、性能和使用工藝優(yōu)于防銹油；其另一特色在于必要時(shí)很容易去除，比防銹油的去除要容易的多。

本發(fā)明公開(kāi)一種薄膜型LED器件及其制造方法，本發(fā)明器件包括：薄片型線(xiàn)路基板，免金線(xiàn)倒裝結(jié)構(gòu)LED芯 片以及一層透光保護(hù)膜。本器件LED芯片為倒裝結(jié)構(gòu)，芯片電極通過(guò)共晶焊接方式固定于薄片型基板，實(shí)現(xiàn)免金線(xiàn)鍵合的電氣互聯(lián)，一層透光保護(hù)膜覆蓋于芯片和 基板表面。本發(fā)明公開(kāi)的LED器件電極位于器件底部，易于實(shí)現(xiàn)表面貼裝技術(shù)。本發(fā)明公開(kāi)器件厚度在0.25-0.6mm之間，具有厚度薄，體積小，發(fā)光角 度大，光效高，可靠性高，制造工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)效率高，成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)，適合大功率及普通功率LED封裝，可廣泛應(yīng)用于照明、顯示等領(lǐng)域。截至目前，已累計(jì)創(chuàng)造產(chǎn)值超過(guò)33.66億元，新增利潤(rùn)2.60億元。2017年，以本專(zhuān)利技術(shù)為核心的科技成果“半導(dǎo)體發(fā)光器件跨尺度光功能結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制造關(guān)鍵技術(shù)”獲得廣東省人民政府頒發(fā)的廣東省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)，并且本專(zhuān)利獲得中國(guó)專(zhuān)利優(yōu)秀獎(jiǎng)。

本項(xiàng)目將提供一款高品質(zhì)的非晶 ZnTiSnO 微型半導(dǎo)體氣體傳感器，為一種具有納米材料特征的薄膜型氣體傳感器，用于可燃性氣體（特別是乙醇）的檢測(cè)。該半導(dǎo)體氣體傳感器具有下述優(yōu)點(diǎn)：靈敏度高、選擇性好、響應(yīng)快、穩(wěn)定性好、抗干擾性強(qiáng)、可室溫工作、易于微型化、與微電子系統(tǒng)兼容，而且制作工藝簡(jiǎn)單、組裝成本低、價(jià)格低廉。 （1）半導(dǎo)體氣體傳感器件的核心材料為氣敏層，即非晶ZnTiSnO 薄膜，該材料質(zhì)量如何直接決定了器件的性能。通過(guò)前期預(yù)研究，我們?cè)O(shè)計(jì)并合成了具有表面微納結(jié)構(gòu)的絨面 a-ZnTiSnO 薄膜，如何進(jìn)一步優(yōu)化工藝參數(shù)，更加提升 a-ZnTiSnO 薄膜高質(zhì)量，實(shí)現(xiàn)精確可控生長(zhǎng)，依然是本項(xiàng)目擬解決的關(guān)鍵技術(shù)。 （2）氣體傳感器的實(shí)用性在于器件參數(shù)的確立，因而，通過(guò)系統(tǒng)研究，建立非晶 ZnTiSnO 氣體傳感器各氣敏性能與氣體參數(shù)之間的定量關(guān)系曲線(xiàn)，特別是室溫工作條件下的定量關(guān)系，是本項(xiàng)目擬解決的關(guān)鍵技術(shù)。 （3）為使氣體傳感器獲得廣泛應(yīng)用，器件良好的穩(wěn)定性至關(guān)重要。通過(guò)工藝優(yōu)化、器件設(shè)計(jì)和封裝保護(hù)等措施，實(shí)現(xiàn)非晶ZnTiSnO 氣體傳感器的高穩(wěn)定性和抗干擾性，使器件具有長(zhǎng)的使用壽命，也是本項(xiàng)目擬解決的關(guān)鍵技術(shù)。制備出高質(zhì)量非晶 ZnTiSnO 薄膜，具有均勻且均一的表面微納結(jié)構(gòu)，絨度大于35%；薄膜與襯底附著力大于 21N。非晶 ZnTiSnO氣體傳感器性能指標(biāo)：氣敏層尺寸 10~300μm，易于集成化；對(duì)可燃性氣體有高選擇性，其中對(duì)乙醇的敏感度最高；室溫工作條件下，對(duì) 100ppm 乙醇的響應(yīng)度不低于 30；響應(yīng)時(shí)間小于 1.8s，恢復(fù)時(shí)間小于 1.5s；穩(wěn)定性好，有效使用壽命不低于3 年。 理論與實(shí)驗(yàn)相結(jié)合，揭示出 a-ZnTiSnO 氣體傳感器室溫氣敏性能和穩(wěn)定性機(jī)理，建立理論模型，闡明器件的耐候性規(guī)律。研制出具有實(shí)用價(jià)值的高品質(zhì) a-ZnTiSnO 半導(dǎo)體氣體傳感器，建立一套非晶 ZnTiSnO 材料生長(zhǎng)和器件制備的完整工藝，關(guān)鍵技術(shù)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 應(yīng)用范圍：  納米氧化銅產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各類(lèi)抗菌、抗紫外線(xiàn)、空氣凈化產(chǎn)品中，如抗菌保鮮膜、抗菌塑料、抗菌纖維、抗菌整理液、抗菌陶瓷、抗菌地板、抗菌紡織品、防嗮化妝品、室內(nèi)甲醛治理等產(chǎn)品中。 納米CuO應(yīng)用前景 催化劑：主要用于國(guó)防領(lǐng)域，作為復(fù)合固體推進(jìn)劑的重要成分，用來(lái)調(diào)節(jié)推進(jìn)劑燃耗性能。 傳感器：納米氧化銅對(duì)外界環(huán)境的溫度，光，濕氣等十分敏感，并且可以提高傳感器的響應(yīng)速度，靈敏度和選擇性。 在超導(dǎo)，陶瓷，電極活性材料等領(lǐng)域作為一種重要的無(wú)機(jī)材料有廣泛的應(yīng)用。 用作玻璃，瓷器的著色劑，光學(xué)玻璃磨光劑，有機(jī)合成的催化劑，油類(lèi)的脫硫劑，氫化劑。 用于制造人造寶石及其它銅氧化物，用于人造絲的制造，以及氣體分析和測(cè)定有機(jī)化合物等。 用于飼料中，提高銅的表觀(guān)消化率。 用于抗菌劑，納米氧化銅具有清潔，高效，能耗低，污染小，被廣泛用于醫(yī)藥，紡織等領(lǐng)域。 用于粒子助力制冷器節(jié)能，提高熱傳遞效率。 降低冷凍機(jī)油的粘度。 提高煙氣脫硝性能。 應(yīng)用范圍： 橡膠工業(yè)中硫化活性劑，石油化工行業(yè)催化及添加劑，是汽車(chē)輪胎、飛機(jī)輪胎、工業(yè)電纜行業(yè)材料以及氧化鋅陶瓷； 涂料油漆、透明橡膠、乳膠和塑料行業(yè)用，可增加產(chǎn)品強(qiáng)度和致密性、粘合性、光潔度； 抗菌抑菌和除臭材料、醫(yī)藥衛(wèi)生用殺菌材料、玻璃陶瓷殺菌自潔材料、醫(yī)藥行業(yè)殺菌敷料； 電子工業(yè)和儀表工業(yè)、制造電器件、無(wú)線(xiàn)電、無(wú)線(xiàn)熒光燈、圖像記錄儀、變阻儀、熒光體； 軍事工業(yè)：紅外吸收材料。   五、納米氧化鋅分散液 項(xiàng)目 Item 標(biāo)準(zhǔn) Standard 氧化鋅(W/%) ZnO 4% 外觀(guān) Exterior 乳白略顯黃色易流動(dòng)液體 Milky white slightly yellow liquid PH 7.2   分散液氧化鋅含量可以根據(jù)需要在30%以下定制

已有樣品/nSTT-MRAM 是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲(chǔ)器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu)，加工制備難度極大。當(dāng)前，美韓日三國(guó)在該項(xiàng)技術(shù)上全面領(lǐng)先，很有可能在繼硬盤(pán)、DRAM 及閃存等存儲(chǔ)芯片之后再次實(shí)現(xiàn)對(duì)我國(guó)100%的壟斷。微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學(xué)教授趙巍勝的聯(lián)合團(tuán)隊(duì)通過(guò)3 年的艱苦攻關(guān)，在STT-MRAM 關(guān)鍵工藝技術(shù)研究上實(shí)現(xiàn)了重要突破，在國(guó)內(nèi)首次采用可兼容CMOS 工藝成

薄膜電致發(fā)光器件作為顯示器件主要用于工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)儀表顯示、車(chē)站、機(jī)場(chǎng)、銀行、證券交易市場(chǎng)、街頭廣告信息顯示，作為大平面高清晰顯示可用于各種會(huì)場(chǎng)、廣場(chǎng)高清晰電視彩像顯示，及可檢索軍用地圖、筆記本電腦及賓館等山水、立體彩色裝飾。其特點(diǎn)為全固體化、亮度高、壽命長(zhǎng)、可大平面化和可裝飾表面。響應(yīng)速度快，使用溫度范圍寬。由于制備方法簡(jiǎn)單較之國(guó)內(nèi)外同類(lèi)產(chǎn)品成本低，可批量工業(yè)