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氟硅唑，商品名福星，是淄醇脫甲基化抑制劑，用來防治谷類、蘋果、葡萄等作物的黑星病，特別是對(duì)梨黑星病有特效，40%的乳油10000～12000倍能有效地防治梨黑星病，進(jìn)口40%乳油的市場(chǎng)價(jià)格為50萬元/噸。按現(xiàn)在的工藝條件，折百的原藥原料成本小于30萬元/噸。

本發(fā)明公開了一種快速制備多晶鐵鋁酸四鈣的方法，先按質(zhì)量比 1:0.7942:0.8554:(2.0413‐2.1923)稱 取原材料四水硝酸鈣、九水硝酸鋁、九水硝酸鐵和尿素;然后加入適量去離子水，制成濃度為(0.5‐ 0.8)mol/L 的分散液，并持續(xù)攪拌(1.5‐2)小時(shí)至原材料完全溶解;接著將分散液移入高溫爐內(nèi)，在空氣氣 氛中加熱至(500‐510)°C，恒溫 2 小時(shí)后取出并磨細(xì)成粒徑不超過 0.15mm 的微粒作為前驅(qū)體

西安智多晶微電子有限公司，成立于2012年，總部位于西安，北京設(shè)立有EDA軟件研究中心。創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)擁有三十多年豐富的FPGA設(shè)計(jì)制造經(jīng)驗(yàn)，曾就職于海外該領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)，并擔(dān)任多個(gè)專業(yè)方向技術(shù)帶頭人。核心團(tuán)隊(duì)來自于國內(nèi)各知名院校和優(yōu)秀的FPGA研發(fā)團(tuán)隊(duì)，是國內(nèi)目前集硬軟件設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售最具競爭力的高科技企業(yè)。公司專注可編程邏輯電路器件技術(shù)的研發(fā)，并為系統(tǒng)制造商提供高集成度、高性價(jià)比的可編程邏輯器件、可編程邏輯器件IP核、相關(guān)軟件設(shè)計(jì)工具以及系統(tǒng)解決方案。賦能產(chǎn)業(yè)，“芯”系未來，是智多晶的奮斗愿景，團(tuán)隊(duì)致力于在LED驅(qū)動(dòng)、視頻監(jiān)控、圖像處理、工業(yè)控制、4G/5G通信網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心等各行業(yè)應(yīng)用充分發(fā)揮FPGA的方案優(yōu)勢(shì)，以市場(chǎng)和客戶為導(dǎo)向，幫助合作伙伴提升其核心競爭力。公司目前已實(shí)現(xiàn)55nm、40nm工藝中密度FPGA的量產(chǎn)，并針對(duì)性推出了內(nèi)嵌Flash、SDRAM等集成化方案產(chǎn)品，截至2018年已批量發(fā)貨2KK片。通過嚴(yán)謹(jǐn)科學(xué)的設(shè)計(jì)，360度圍繞客戶的技術(shù)支持及服務(wù)，以及貫穿全流程的高標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試管理，我們正在為更多的行業(yè)合作伙伴提供最符合需求的高性價(jià)比FPGA整體解決方案。點(diǎn)擊上方按鈕聯(lián)系科轉(zhuǎn)云平臺(tái)進(jìn)行溝通對(duì)接！

本實(shí)用新型公開了一種硅通孔結(jié)構(gòu)，其形成于硅片上，并包括摻雜粒子構(gòu)成的導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)，絕緣區(qū)與所述導(dǎo)電區(qū)摻雜的粒子的極性相反，所述導(dǎo)電區(qū)表面覆蓋有金屬電極，所述硅片的表面除所述金屬電極之外的區(qū)域覆蓋有絕緣層。本實(shí)用新型硅通孔結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于：通過粒子摻雜方式形成硅通孔結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)，導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)的基體都還是硅片本身，避免了目前硅通孔技術(shù)中金屬和硅片熱膨脹系數(shù)不同造成的熱應(yīng)力問題，能夠提高器件的可靠性和壽命。

已有樣品/n成功開發(fā)了系列硅光子流片工藝模塊和初版PDK，其中標(biāo)準(zhǔn)單元庫主要包括單模波導(dǎo)、Y-分支、光交叉器、耦合光柵等無源器件，而最近有源工藝的成功開發(fā)，將向標(biāo)準(zhǔn)單元庫中添加加熱電極、調(diào)制器和Ge 光電探測(cè)器等有源器件。此次有源器件流片的成功，加上先導(dǎo)中心2016年上半年開發(fā)成功的硅光子無源工藝及器件（圖3），使微電子所硅光子平臺(tái)已具有為業(yè)界提供基于180nm工藝的硅光子流片服務(wù)的能力，成為國內(nèi)首個(gè)基于8英寸CMOS工藝線向用戶

研究團(tuán)隊(duì)利用能谷-贗自旋耦合原理，在絕緣層硅（SOI，silicon-on-insulator）上制備出能谷光子晶體平板。該拓?fù)涔鈱W(xué)結(jié)構(gòu)具有~40nm的特征尺寸，其光子模式（因工作于光錐以下）能夠較好地局域在平板內(nèi)，抑制了平板外損耗。他們制備了直線形、Z形和Ω形等三種拓?fù)涔鈱W(xué)通道，測(cè)量出高透平頂透射光譜帶，證實(shí)了近紅外波段下拓?fù)浔Ｗo(hù)的寬帶抗散射傳輸。采用硅微盤技術(shù)產(chǎn)生相位渦旋源，無需低溫和強(qiáng)磁等極端環(huán)境，實(shí)現(xiàn)了拓?fù)浣缑鎽B(tài)的選擇性激發(fā)，實(shí)現(xiàn)了亞微米量級(jí)耦合長度的寬帶光子路由行為，驗(yàn)證了能谷-贗自旋耦合等拓?fù)涔鈱W(xué)原理。?在硅基平臺(tái)上證實(shí)拓?fù)涔庾訉W(xué)原理，是目前國際學(xué)術(shù)前沿的聚焦度較高的領(lǐng)域之一。研究團(tuán)隊(duì)過去在拓?fù)涔庾訉W(xué)原理方面的工作，多次引起國際同行關(guān)注，論文入選ESI高被引。該工作中，他們深入系統(tǒng)地發(fā)展出硅基拓?fù)涔鈱W(xué)等關(guān)鍵理論，攻克了數(shù)十納米加工工藝等關(guān)鍵技術(shù)，率先在硅基光子平臺(tái)與拓?fù)涔庾訉W(xué)之間建立了聯(lián)系，突破了單一自由度調(diào)控的傳統(tǒng)框架，提出了硅基中多自由度耦合的多維調(diào)控新機(jī)制，為微納光學(xué)與光子學(xué)、光二極管等關(guān)鍵光子芯片器件、混合集成光子學(xué)、高保真光量子信息光學(xué)、非線性光學(xué)等領(lǐng)域，提供了新方法和新思路。

主要生產(chǎn)藥用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液體瓶等產(chǎn)品。現(xiàn)擁有14條國際先進(jìn)的拉管生產(chǎn)線，70余臺(tái)國際先進(jìn)的制瓶機(jī)，年產(chǎn)各類安瓿/管制瓶32億支，藥用玻管（精品7.0）30000噸。

主要生產(chǎn)藥用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液體瓶等產(chǎn)品?，F(xiàn)擁有14條國際先進(jìn)的拉管生產(chǎn)線，70余臺(tái)國際先進(jìn)的制瓶機(jī)，年產(chǎn)各類安瓿/管制瓶32億支，藥用玻管（精品7.0）30000噸。

寬禁帶半導(dǎo)體硅基GaN器件以其高效率，高開關(guān)速度高工作溫度抗輻時(shí)等特點(diǎn),成為當(dāng)前國際功率半導(dǎo)體器件與技術(shù)學(xué)科的研究前沿及熱點(diǎn)，也是業(yè)界普遍認(rèn)可的性能卓越的下代功率半導(dǎo)體器件。而S基GaN因其S基特性.能夠突破新材料在發(fā)展初期的成本牦頸且易與S集成電路產(chǎn)業(yè)鏈匹配，因此兼具高性能與低成本的優(yōu)點(diǎn)在消費(fèi)電子(如手機(jī)快沖與天線充電).數(shù)據(jù)中心與人工智能，無人駕駛與新能源汽車、5G通信等團(tuán)家戰(zhàn)略新興領(lǐng)城具有巨大的應(yīng)用前景。電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室自2008年起即開展硅基GaN功率器件與集成技術(shù)研究,圍繞硅基GaN兩大核心器件:增強(qiáng)型功率晶體管、功率整流器進(jìn)行基礎(chǔ)研究與應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。解決了增強(qiáng)型功率晶體管閾值電壓大范圍調(diào)控功率二圾管導(dǎo)通電壓調(diào)控與耐壓可靠性加查等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,研究成果為硅基GaN的產(chǎn)業(yè)化奠定了重要基礎(chǔ)。

負(fù)極材料是鋰離子電池的主要組成部分，起鋰離子存儲(chǔ)作用。負(fù)極材料的性能直接決定鋰離子電池倍率性能和循環(huán)性能。目前商用化的負(fù)極材料主要為石墨，受到理論比容量的限制，石墨材料已無法滿足鋰離子電池能量密度的持續(xù)發(fā)展。硅材料由于其高儲(chǔ)鋰容量、適中的對(duì)鋰電位等性能優(yōu)勢(shì)和資源豐富、成本低等商業(yè)優(yōu)勢(shì)，受到鋰電行業(yè)追捧。經(jīng)過長期的開發(fā)，硅負(fù)極已部分應(yīng)用到高能量電池負(fù)極中。目前鋰電行業(yè)中，硅材料主要以較小比例（~5%）硅負(fù)極與碳復(fù)合后，再與石墨混合使用，貢獻(xiàn)較低，且循環(huán)性能差，未能全