葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

產品詳細介紹 HWXG-II型全自動502手印熏顯柜價格：5000.00功能介紹：該產品用于502膠氣體熏顯法顯現非滲透性客體上的潛在汗液指印，它可以準確控制柜內濕度和502膠氣體濃度，為502膠氣體在手印紋線上聚合創造良好條件。產品特點：1 、可使用儀器內預裝的“固有自動程序”控制手印熏顯過程。2 、可自己設定“自編自動程序”控制手印熏顯過程。3 、可手動控制各單項功能。 4 、內設濕度傳感器自動控制柜內的濕度。 5 、熏顯完成后， 502 殘氣通過排氣管自動排出。性能指標： 電    源：交流220V   50HZ            功    率：100W外形尺寸：655 x 430 x 325mm3         熏顯空間：530 x 380 x 300mm3重    量：15kg

目前半導體光刻加工用的深紫外光刻膠都采用化學增幅體系，這種體系主要由含酸敏基團的成膜材料和光產酸劑組成，這種體系最大的問題是光產酸在后烘階段會發生酸遷移，導致光刻分辨率難以提高。能夠有效改善酸遷移問題的一種方法是采用高分子光產酸劑，且其光產酸是高分子強酸。 課題組研制了一系列新穎的含多種鎓鹽光產酸基團的苯乙烯衍生物及其與甲基丙烯酸酯的共聚物。它們在曝光過程中產生大分子的磺酸，因此可作為大分子光產酸劑與其它成膜材料一起組成化學增幅型光致抗蝕劑。 以之為產酸劑與其它部分保護的對羥基苯乙烯聚合物一起組成二組分的化學增幅型248-nm光刻膠， 制備了苯乙烯磺酸鎓鹽和甲基丙烯酸酯、對羥基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保護部分酚羥基，由其組成了單組分的化學增幅型248-nm光刻膠，這些正型248-nm光刻膠獲得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及圖形線條平滑陡直等的出色表現。  利用高分子產酸劑透明性好的特點，還制備了厚膜248-nm光刻膠，可獲得線寬0.34微米、高-寬比可達5：1的光刻圖形：  在此基礎上，還制備了負型248-nm光刻膠，這些光刻膠也都獲得了很好的光刻成像性能表現。這些高分子光產酸劑也可用于制備新型的高性能193-nm光刻膠。 這些248-nm光刻膠的主要組分除了溶劑外都是自行制備，原料易得，反應條件溫和可控，去金屬雜質的方法也是簡便易行，成本相對低廉，在經過多年的深入研究之后，完全具備了產業化的條件。 半導體加工的關鍵設備、材料主要掌握在美、日手中，對我國電子工業的平穩發展帶來困難和潛在的巨大威脅。其中光刻膠作為芯片光刻加工的關鍵材料，日本公司的產品占據全球市場的70%以上，而我國在中高端產品上（248-nm光刻膠、193-nm光刻膠）完全依賴進口，即便是低端的i-線光刻膠國產化率也只有20%左右。因此，我們必須盡快扭轉這種不利的局面，這需要科研工作者和產業界共同努力以及政府的大力支持。     近年來光刻膠引起了社會的廣泛關注，已有多家企業開始投身于248-nm光刻膠與193-nm光刻膠的研發與產業化，但絕大部分仍處于研發階段。我們研制的光刻膠具備了產業化的技術條件并具有與國外先進光刻膠產品競爭的產品性能。    半導體加工用光刻膠種類較多，本課題組從2002年參與國家十五“863”光刻膠重大專項開始，至今近二十年來聚焦于光刻膠研究，在i-線膠、248-nm光刻膠、聚酰亞胺光刻膠、厚膜光刻膠及抗反射涂層材料等方面都取得了很好的結果，也在致力于這些光刻膠產品的產業化。 相關項目、專利及文章： 1.國家重大科技專項（02專項）子課題,課題編號:2010ZX02303（深紫外光刻膠專用光致產酸劑及新型成膜樹脂的擴試技術研究） 2.國家自然科學基金應急管理項目，51641301, 含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其組成的化學增幅光致抗蝕劑研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制備及其應用，中國發明專利，專利號：9。

目前半導體光刻加工用的深紫外光刻膠都采用化學增幅體系，這種體系主要由含酸敏基團的成膜材料和光產酸劑組成，這種體系最大的問題是光產酸在后烘階段會發生酸遷移，導致光刻分辨率難以提高。能夠有效改善酸遷移問題的一種方法是采用高分子光產酸劑，且其光產酸是高分子強酸。 課題組研制了一系列新穎的含多種鎓鹽光產酸基團的苯乙烯衍生物及其與甲基丙烯酸酯的共聚物。它們在曝光過程中產生大分子的磺酸，因此可作為大分子光產酸劑與其它成膜材料一起組成化學增幅型光致抗蝕劑。 以之為產酸劑與其它部分保護的對羥基苯乙烯聚合物一起組成二組分的化學增幅型248-nm光刻膠， 制備了苯乙烯磺酸鎓鹽和甲基丙烯酸酯、對羥基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保護部分酚羥基，由其組成了單組分的化學增幅型248-nm光刻膠，這些正型248-nm光刻膠獲得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及圖形線條平滑陡直等的出色表現。   利用高分子產酸劑透明性好的特點，還制備了厚膜248-nm光刻膠，可獲得線寬0.34微米、高-寬比可達5：1的光刻圖形：   在此基礎上，還制備了負型248-nm光刻膠，這些光刻膠也都獲得了很好的光刻成像性能表現。這些高分子光產酸劑也可用于制備新型的高性能193-nm光刻膠。 這些248-nm光刻膠的主要組分除了溶劑外都是自行制備，原料易得，反應條件溫和可控，去金屬雜質的方法也是簡便易行，成本相對低廉，在經過多年的深入研究之后，完全具備了產業化的條件。 半導體加工的關鍵設備、材料主要掌握在美、日手中，對我國電子工業的平穩發展帶來困難和潛在的巨大威脅。其中光刻膠作為芯片光刻加工的關鍵材料，日本公司的產品占據全球市場的70%以上，而我國在中高端產品上（248-nm光刻膠、193-nm光刻膠）完全依賴進口，即便是低端的i-線光刻膠國產化率也只有20%左右。因此，我們必須盡快扭轉這種不利的局面，這需要科研工作者和產業界共同努力以及政府的大力支持。     近年來光刻膠引起了社會的廣泛關注，已有多家企業開始投身于248-nm光刻膠與193-nm光刻膠的研發與產業化，但絕大部分仍處于研發階段。我們研制的光刻膠具備了產業化的技術條件并具有與國外先進光刻膠產品競爭的產品性能。    半導體加工用光刻膠種類較多，本課題組從2002年參與國家十五“863”光刻膠重大專項開始，至今近二十年來聚焦于光刻膠研究，在i-線膠、248-nm光刻膠、聚酰亞胺光刻膠、厚膜光刻膠及抗反射涂層材料等方面都取得了很好的結果，也在致力于這些光刻膠產品的產業化。 相關項目、專利及文章： 1.國家重大科技專項（02專項）子課題,課題編號:2010ZX02303（深紫外光刻膠專用光致產酸劑及新型成膜樹脂的擴試技術研究） 2.國家自然科學基金應急管理項目，51641301, 含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其組成的化學增幅光致抗蝕劑研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制備及其應用，中國發明專利，專利號：9。

本發明公開了一種用于浸沒式光刻的浸液溫控系統，通過其獲得具有穩定溫度的浸液，以用于浸沒式光刻工藝中，其特征在于，該溫控系統包括：用于浸液流動的浸液管路，待溫控的浸液通過管路進口進入該浸液管路，溫控后的浸液通過該浸液管路出口輸出；用于對所述浸液進行冷卻的工藝冷卻液回路，工藝冷卻液在該回路中循環流動；以及熱交換器（6），所述浸液管路和工藝冷卻液回路同時流經該熱交換（6），利用該熱交換器（6）完成工藝冷卻液和浸液的熱交換，獲得具有穩定溫度的浸液，實現對浸液的溫度控制。本發明的裝置采用內部回流結構與熱交換器

本發明公開了一種光刻機自動調焦方法及裝置，其方法是將平行光束經第一狹縫投射至硅片表面，再經振動反射鏡掃描后通過第二狹縫，由光電探測器接收光強信號，然后通過提取光強信號中二倍于掃描頻率的頻域成分得到硅片的粗調量，通過提取光強信號中一倍于掃描頻率的頻域成分得到硅片的精調量，最后由驅動裝置調整硅片至焦點位置。調焦裝置主要由兩個狹縫、一個振動反射鏡、光電傳感器、驅動臺和若干光學鏡片組成，信號處理過程由計算機編程完成。該方法與裝置相較于以往對比光斑強度進行調焦的方式，具有結構簡單、響應迅速、精度高(優于 0.

廈門印天電子科技有限公司是一家專業從事研發、生產交互式設備和智慧校園技術及產品的提供商。公司擁有一支實力雄厚、銳意創新的硬件、軟件及結構設計研發團隊，秉承“易用”的產品設計理念，融入最新人機交互技術，為各類型客戶提供多元化綜合解決方案。 在觸摸領域，印天科技自主研發并形成了包括電容、紅外、光學、電磁等多點觸摸技術在內的核心技術體系，開發出極具市場競爭力的9大系列、60多種型號的交互式電子白板、交互智能平板產品，以及配套的互動白板軟件、教學資源云平臺。 在物聯網領域，印天科技推出Insyte（印斯特）智慧校園物聯網，包括智慧校園物聯網綜合管理平臺、多媒體網絡中央智能控制系統 、智能電源管理系統、智能錄播系統、智能護眼照明解決方案、智能路燈照明系統、新風系統、環境感知控制系統、數字校園廣播系統、數字電子班牌系統等基于物聯網技術，高效、安全、節能環保的智慧校園綜合解決方案。 印天科技榮獲“軟件企業”、“高新技術企業”等諸多榮譽，擁有多項自主知識產權、國家發明專利、實用新型專利、外觀設計專利等；全面通過了ISO9001、ISO14001、ISO18001認證，嚴格依據質量管理體系進行標準化管理，保證了產品的卓越品質。 規模化的生產能力是印天品牌的強大后盾，坐落于廈門集美的印天工業園，廠房面積達32000平方米，年生產能力可達30萬套，是國內生產規模最大，綜合生產能力最強的交互式設備生產基地之一。 作為專業的交互設備制造商和技術方案提供商，印天憑借卓越的科研技術、優秀的產品品質、專業的培訓指導、完善的售后體系，持續不斷地根據用戶體驗改進產品和服務，贏得了客戶的高度贊譽。 經過多年的發展，如今的印天科技正朝著專業化、現代化、國際化的目標不斷前進。    

本發明公開了一種用于電流體噴印的同軸噴嘴，包括外噴嘴和 內噴嘴，外噴嘴底部設有軸孔，軸孔套接有連接座，連接座上設有軸 向臺階孔，臺階孔內套接內噴嘴底座，外噴嘴靠近噴口的一側的內筒還套接有對中支架，內噴針的一端固定在內噴嘴底座上，另一端穿過 對中支架的定位通孔固定，連接座的外壁上還套接有壓電陶瓷驅動器， 壓電陶瓷驅動器與外噴筒固定連接。本發明提供的電流體噴印的同軸 噴嘴，內外噴嘴的相對高度可通過壓電陶瓷驅動裝置精密調節，實現 內外層不同溶液的相對流量的精密控制，以及對同軸紡絲的各層殼結 構厚度的更精確控制，并通過對中支架的設置提高內外噴嘴的同軸對 中精度。

本發明公開了一種用于電流體噴印的同軸噴嘴，包括外噴嘴和內噴嘴，外噴嘴底部設有軸孔，軸孔套接有連接座，連接座上設有軸向臺階孔，臺階孔內套接內噴嘴底座，外噴嘴靠近噴口的一側的內筒還套接有對中支架，內噴針的一端固定在內噴嘴底座上，另一端穿過對中支架的定位通孔固定，連接座的外壁上還套接有壓電陶瓷驅動器，壓電陶瓷驅動器與外噴筒固定連接。本發明提供的電流體噴印的同軸噴嘴，內外噴嘴的相對高度可通過壓電陶瓷驅動裝置精密調節，實現內外層不同溶液的相對流量的精密控制，以及對同軸紡絲的各層“殼”結構厚度的更精確控制，并通

本發明公開了一種用于投影式光刻機成像系統的波像差檢測方法，包括光刻機成像系統的快速正向模型建立，澤尼克系數靈敏度矩陣的解析求解，檢測用掩模圖形優化求解，基于單次光強測量的波像差求解。本發明方法通過解析求解無像差時的空間像光強值和澤尼克系數靈敏度矩陣，實現了基于單次離焦空間像光強測量的波像差檢測。