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基于憶阻的非易失性存儲器、讀寫擦除操作方法及測試電路
本發(fā)明提供了一種基于憶阻的非易失性存儲器及其讀、寫、擦除操作方法以及測試電路；基于憶阻的非易失性存儲器電路包括憶阻存儲單元、選址開關、控制開關以及分壓電路。本電路的設計通過行列地址信號對憶阻存儲單元進行選址，通過外加脈沖信號對讀、寫、擦除操作進行選擇，并提供了基于憶阻的非易失性存儲器的功能測試電路驗證此電路結構的有效性。同時，在此電路結構的基礎上，利用憶阻的非易失性原理，探討了對此基于憶阻的非易失性存儲器電路的
華中科技大學
2021-04-14
東北師范大學在憶阻材料與器件領域取得重要進展
憶阻器具有運行功耗低、讀寫速度快、集成密度高等優(yōu)勢，在信息存儲、邏輯運算、類腦計算等領域有重要應用，被視為推進信息技術發(fā)展的一種變革性技術。
東北師范大學
2022-06-08
一種低阻高通量耐污型水處理膜及其制備方法
項目簡介 本成果處提供一種低阻高通量耐污型水處理膜，以磺化聚醚砜-聚砜/TiO2超濾膜為 模板，以 FeCl2為還原劑，在基膜孔道內原位化學沉積生成 Fe3O4納米粒子，以獲得 Fe3O4/ 磺化聚醚砜-聚砜/TiO2磁性超濾膜，本成果具有阻力小、通量大、耐污染、壽命長等優(yōu) 點。 產(chǎn)品性能、指標 （1）阻力小，使用 TiO2 與膜材料共混增強膜的親水性，增大膜通量，0.1 MPa 下 水通
江蘇大學
2021-04-14
一種水平極化翻轉的鐵電憶阻器件及其制備方法
本發(fā)明公開一種水平極化翻轉的鐵電憶阻器件及其制備方法。該水平極化翻轉的鐵電憶阻器件包括柔性襯底；二維鐵電功能層，形成在所述柔性襯底上；第一平面電極和第二平面電極，形成在所述二維鐵電功能層兩側；將所述第二平面電極接地，當未在所述第一平面電極施加電壓時，二維鐵電功能層中極化方向無序，器件處于常態(tài)；當在所述第一平面電極施加正電壓時，所述二維鐵電功能層中的電疇發(fā)生水平極化翻轉，極化方向由第一平面電極端朝向第二平面電極端，器件轉變?yōu)榈妥钁B(tài)；當在所述第一平面電極施加負電壓時，鐵電層中的電疇發(fā)生水平極化翻轉，極化方向由第二平面電極端朝向第一平面電極端，器件轉變?yōu)楦咦钁B(tài)。
復旦大學
2021-01-12
H7N9亞型流感抗原快速檢測試紙條
該成果是揚州大學江蘇省家禽疫病防控工程技術研究中心自主研發(fā)的 H7N9 亞型流感抗原檢測試劑及試劑盒產(chǎn)品。 產(chǎn)品以兩株針對 H7N9 流感病毒不同抗原表位的單克隆抗體建立雙抗體夾心免疫層析快速檢測試紙條。該試紙條特異性、廣譜性強，與傳統(tǒng)的血凝和血凝抑制試驗相比，靈敏度更高、耗時更短； 與國外進口的同類產(chǎn)品有相同的檢出率，且敏感性更高，更利于臨床樣品的快速檢測，適合推廣應用。
揚州大學
2021-04-14
一種 N2 分子振轉 Raman 譜的測量系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種 N2 分子振轉 Raman 譜的測量系統(tǒng)。該系統(tǒng)由發(fā)射單元和光學接收與信號檢測單 元組成。發(fā)射單元采用種子注入的固體激光器輸出極窄線寬的 354.8 nm 紫外激光照射大氣分子；光學接 收與信號檢測單元收集由 N2 分子產(chǎn)生的振轉 Raman 譜信號，采用雙光柵色散系統(tǒng)將 384.9-388.6 nm 范 圍光以 8.3 mm nm-1 的線色散率在空間上色散開來，采用 32 通道的線陣探測器分辨并記錄 N2 分子振轉 Ram
武漢大學
2021-04-14
一種單相α-Si3N4超細粉體及其制備方法
本發(fā)明涉及一種單相α?Si3N4超細粉體及其制備方法。其技術方案是：先將5——30wt%的單質硅粉、15——45wt%的固態(tài)氮源和40——80wt%的鹵化物粉混合均勻，制得混合物；再將所述混合物置入管式電爐內，在氮氣氣氛下以2——10℃/min的升溫速率升至1000——1300℃，保溫2——6小時；然后將所得產(chǎn)物用去離子水反復清洗，直至分別用AgNO3和Ca(NO3)2溶液滴定不再出現(xiàn)白色沉淀為止；最后在110℃條件下干燥10——24小時，即得單相α?Si3N4超細粉體。本發(fā)明具有反應溫度低、成本低、合成工藝簡單、過程易于控制、產(chǎn)率高和產(chǎn)業(yè)化前景大的特點；所制備的單相α?Si3N4超細粉體粒度為100——500nm，無雜相、活性高、顆粒團聚小和粒度分布均勻。
（注：本項目發(fā)布于2015年）
武漢科技大學
2021-01-12
XM-633頭頸部層次解剖模型附腦N、A模型
XM-633頭頸部層次解剖模型附腦N、A
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XM-633頭頸部層次解剖模型附腦N、A模型顯示頭部、頸部深、淺層血管和神經(jīng)，在顯示頭部、頸部的肌肉基礎上顯示血管、神經(jīng)的分布和走向，頭部、頸部作正中矢狀切面顯示各種器官結構，左側半腦拆下可示腦神經(jīng)外形及腦神經(jīng)進出腦及腦顱底部位，腦可拆下示眼外肌。
尺寸：自然大，38.5×24×50cm
材質：PVC材料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
P06/N01/PSt壓電陶瓷促動器—芯明天科技
產(chǎn)品詳細介紹 壓電陶瓷，是一種能夠將機械能和電能互相轉換的功能陶瓷材料。壓電陶瓷到底是一種什么樣的材料呢？壓電陶瓷屬于無機非金屬材料。這是一種具有壓電效應的材料。所謂壓電效應是指某些介質在力的作用下產(chǎn)生形變，引起介質表面帶電，這是正壓電效應。反之，施加激勵電場，介質將產(chǎn)生機械形變，稱逆壓電效應。這種奇妙的效應已經(jīng)被科學家應用在與人民生活密切相關的許多領域，以實現(xiàn)能量轉換、傳感、驅動、頻率控制等功能 特性：納米級分辨率 無摩擦，無間隙 剛度強，使用壽命長 可選擇位置傳感功能進行閉環(huán)控制 真空兼容，可在高溫或低溫下操作 機械接頭形式：螺紋、圓球、平頭 可根據(jù)客戶要求定制應用：通信，光纖調節(jié) 顯微鏡微調，機械工程 微系統(tǒng)技術，你米定位技術 半導體設備，精密儀器 閥門（真空管） 度量衡/干涉度量學 生命科學/生物技術
哈爾濱芯明天科技有限公司
2021-08-23
高電阻率金屬氧化物材料表面電鍍技術
電鍍作為金屬材料的表面改性技術已經(jīng)取得了很廣泛的應用，近年來電鍍也開始在非金屬導電材料的表面改性領域取得相當規(guī)模的工業(yè)應用。但高電阻率氧化物材料表面金屬鍍覆一直以來不能采用電鍍工藝，這是因為這類材料的電子電導小，電鍍液中被鍍金屬離子不能從材料表面得到電子，所以不能沉積下來。傳統(tǒng)的絕緣氧化物材料表面鍍覆金屬的方法有化學鍍、真空蒸鍍、濺射鍍、涂覆金屬漿料后再燒結等方法，各方法都有各自的優(yōu)缺點。如含有氨水的化學鍍銀溶液不穩(wěn)定，甚至有可能生成有爆炸危險的疊氮化合物。真空蒸鍍和濺射鍍有設備投資大、維護費用較高等缺點，涂覆金屬漿料后再燒結的方法有金屬層厚度不均勻等缺點。 我們發(fā)明了一種高電阻率金屬氧化物材料表面電鍍的技術，解決了多種高電阻率金屬氧化物材料表面不能電鍍的問題。高電阻率金屬氧化物材料電鍍的基本過程是首先對氧化物材料表面進行原子氫致電導改性處理，提高其表面電子電導，使材料表面出現(xiàn)半導化甚至金屬化，然后在氧化物材料表面直接電鍍金屬層。我們在這個方向上已經(jīng)進行了近十年的研究，發(fā)表了十幾篇學術論文，申請了兩項發(fā)明專利。 本技術適用于由氧化物功能材料制造的電子元器件表面電鍍，也適用于氧化物材料顆粒或塊體的電鍍等，所得金屬鍍層厚度均勻，與氧化物材料表面具有良好的結合力。
北京科技大學
2021-04-11