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隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新一代信息技術(shù)興起，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)，傳統(tǒng)計(jì)算系統(tǒng)的算力難以滿足海量數(shù)據(jù)的計(jì)算需求。與此同時(shí)，摩爾定律逐漸放緩，單純依靠提高集成度、縮小晶體管尺寸來(lái)提升芯片及系統(tǒng)性能的路徑正面臨技術(shù)極限，通過(guò)引入憶阻器新器件、模擬計(jì)算新范式、存算一體新架構(gòu)，將拓展出全新的高性能人工智能芯片與系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)計(jì)算能力的飛躍。 目前被廣泛使用的經(jīng)典馮·諾依曼計(jì)算架構(gòu)下數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理是分離的，存儲(chǔ)器與處理器之間通過(guò)數(shù)據(jù)總線進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，在面向大數(shù)據(jù)分析等應(yīng)用場(chǎng)景中，這種計(jì)算架構(gòu)已成為高性能低功耗計(jì)算系統(tǒng)的主要瓶頸之一：數(shù)據(jù)總線的有限帶寬嚴(yán)重制約了處理器的性能與效率，且存儲(chǔ)器與處理器之間存在嚴(yán)重性能不匹配問(wèn)題。憶阻器存算一體系統(tǒng)把傳統(tǒng)以計(jì)算為中心的架構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)據(jù)為中心的架構(gòu)，其直接利用阻變器件進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理，通過(guò)將器件組織成為交叉陣列形式，實(shí)現(xiàn)存算一體的矩陣向量乘計(jì)算。憶阻器存算一體系統(tǒng)可以避免數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)和計(jì)算中反復(fù)搬移帶來(lái)的時(shí)間和能量開(kāi)銷，消除了傳統(tǒng)計(jì)算系統(tǒng)中的“存儲(chǔ)墻”與“功耗墻”問(wèn)題，可以高效、并行的完成基礎(chǔ)的矩陣向量乘計(jì)算，未來(lái)極有潛力成為支撐人工智能等新興應(yīng)用的核心技術(shù)。 清華大學(xué)吳華強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了材料與器件、電路設(shè)計(jì)、架構(gòu)和算法的軟硬件協(xié)同等多方面原始創(chuàng)新，解決了系統(tǒng)精度損失等被廣泛關(guān)注的難題： 材料與器件創(chuàng)新。科研團(tuán)隊(duì)選擇了電學(xué)特性穩(wěn)定的二氧化鉿作為憶阻層核心材料，提出了通過(guò)插入少量氧化鋁層來(lái)固定離子分布、抑制晶粒間界形成的新理論，提出了引入熱增強(qiáng)層的新原理器件結(jié)構(gòu)，成功抑制了憶阻器非理想特性的產(chǎn)生。 電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新。開(kāi)發(fā)了一套憶阻器與晶體管的混合電路設(shè)計(jì)方法，提出“差分電阻”設(shè)計(jì)思想，采取源線電流鏡限流設(shè)計(jì)，抑制了憶阻器電路中可能產(chǎn)生的各種計(jì)算誤差。 算法創(chuàng)新。提出了混合訓(xùn)練算法，僅用小數(shù)據(jù)量訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)并只更新最后一層網(wǎng)絡(luò)的權(quán)重，即可將存算一體硬件系統(tǒng)的計(jì)算精度達(dá)到與軟件理論值相同的水平。 “技術(shù)鏈”創(chuàng)新。從“單點(diǎn)技術(shù)突破”拓展到“技術(shù)鏈突破”，開(kāi)發(fā)了針對(duì)憶阻器存算一體芯片的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具，打通了從電路模塊設(shè)計(jì)到系統(tǒng)綜合再到芯片驗(yàn)證的設(shè)計(jì)全流程。 上述理論和方法發(fā)表于《自然》《自然·納米技術(shù)》《自然·通訊》等國(guó)際頂級(jí)期刊，以及被譽(yù)為“集成電路奧林匹克”的“國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)”等頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議。研究成果被“國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖”和30多部綜述文章長(zhǎng)篇幅引用。團(tuán)隊(duì)已在該研究方向申請(qǐng)國(guó)內(nèi)外專利72項(xiàng)，其中30項(xiàng)已獲得授權(quán)，知識(shí)產(chǎn)權(quán)完全自主可控。 團(tuán)隊(duì)已研制出全球首款憶阻器存算一體芯片和系統(tǒng)，集成了8個(gè)憶阻器陣列和完整的外圍控制電路，以更小的功耗和更低的硬件成本大幅提升了計(jì)算設(shè)備的算力。全系統(tǒng)的計(jì)算能效比當(dāng)前主流的人工智能計(jì)算平臺(tái)——圖形處理器（GPU）高兩個(gè)數(shù)量級(jí)。團(tuán)隊(duì)還設(shè)計(jì)了一款基于130nm工藝研制的完整憶阻器存算一體芯片，在MNIST數(shù)據(jù)集上計(jì)算速度已超過(guò)市面上28nm工藝的四核CPU產(chǎn)品近20倍，能效有近千倍的優(yōu)勢(shì)。

項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介:隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新一代信息技術(shù)興起，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)，傳統(tǒng)計(jì)算系統(tǒng)的算力難以滿足海量數(shù)據(jù)的計(jì)算需求。與此同時(shí)，摩爾定律逐漸放緩，單純依靠提高集成度、縮小晶體管尺寸來(lái)提升芯片及系統(tǒng)性能的路徑正面臨技術(shù)極限，通過(guò)引入憶阻器新器件、模擬計(jì)算新范式、存算一體新架構(gòu)，將拓展出全新的高性能人工智能芯片與系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)計(jì)算能力的飛躍。

清華大學(xué)化工系以混合物微觀結(jié)構(gòu)調(diào)控為基礎(chǔ)，打破常規(guī)，獨(dú)創(chuàng)具有廣泛適用性的“選擇性固固分離技術(shù)”，實(shí)現(xiàn)了混合體系的全面、高效、連續(xù)、廉價(jià)分離與除雜。 主要特點(diǎn)如下： 1、化學(xué)法高效解離混合顆粒，能耗大幅降低。 2、選擇性界面活化，強(qiáng)化不同組分在漿液中的差異，為后續(xù)分離打基礎(chǔ)。 3、多種分離技術(shù)和工藝耦合，實(shí)現(xiàn)高選擇性精準(zhǔn)分離和回收。 

凌云多店鋪進(jìn)銷存系統(tǒng)零售版主要針對(duì)零售店鋪日常業(yè)務(wù)的商品入庫(kù)、采購(gòu)?fù)素洝N售出庫(kù)、銷售退換貨、盤(pán)點(diǎn)、財(cái)務(wù)管理等工作。全面反映門(mén)店的采購(gòu)、銷售、損耗、財(cái)務(wù)情況，為多店鋪的決策提供了正確的支持平臺(tái)，幫助門(mén)店更有效、更全面地管理商品，是一款適合零售型的服裝、箱包、裝飾品、童裝、內(nèi)衣店等單店鋪或多店鋪使用的零售店鋪進(jìn)銷存。

本發(fā)明的固支梁直接加熱式微波信號(hào)檢測(cè)器由六端口固支梁耦合器，通道選擇開(kāi)關(guān)，微波頻率檢測(cè)器，微波相位檢測(cè)器，直接加熱式微波功率傳感器級(jí)聯(lián)構(gòu)成；六端口固支梁耦合器由共面波導(dǎo)，介質(zhì)層，空氣層和固支梁構(gòu)成；六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四端口及到第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度分別相同，待測(cè)信號(hào)經(jīng)第一端口輸入，并由第二端口輸出直接加熱式微波功率傳感器，由第四端口，第六端口輸出微波相位檢測(cè)器，由第三端口，第五端口輸出到通道選擇開(kāi)關(guān)；通道選擇開(kāi)關(guān)的第七端口和第八端口接直接加熱式微波功率傳感器

本發(fā)明的固支梁間接加熱式微波信號(hào)檢測(cè)器由六端口固支梁耦合器，通道選擇開(kāi)關(guān)，微波頻率檢測(cè)器，微波相位檢測(cè)器構(gòu)成；六端口固支梁耦合器由共面波導(dǎo)，介質(zhì)層，空氣層和固支梁構(gòu)成；六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四端口以及第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度分別相同，待測(cè)信號(hào)經(jīng)第一端口輸入，由第二端口輸出間接加熱式微波功率檢測(cè)器，由第四端口和第六端口輸出間接加熱式微波相位檢測(cè)器，由第三端口和第五端口輸出通道選擇開(kāi)關(guān)；通道選擇開(kāi)關(guān)的第七端口和第八接間接加熱式微波功率傳感器，通道選擇開(kāi)關(guān)的第九端口和第

本發(fā)明的固支梁Ｔ型結(jié)間接加熱式微波信號(hào)檢測(cè)器由六端口固支梁耦合器，通道選擇開(kāi)關(guān)，微波頻率檢測(cè)器，微波相位檢測(cè)器級(jí)聯(lián)構(gòu)成；六端口固支梁耦合器由共面波導(dǎo)，介質(zhì)層，空氣層和固支梁構(gòu)成；六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四端口以及第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度相同，待測(cè)信號(hào)經(jīng)第一端口輸入，由第二端口輸出到第一間接加熱式微波功率傳感器，由第四端口和第六端口輸出到微波相位檢測(cè)器；由第三端口和第五端口輸出到通道選擇開(kāi)關(guān)；通道選擇開(kāi)關(guān)的第七端口和第八端口分別接間接加熱式微波功率傳感器，通道選擇開(kāi)關(guān)

本發(fā)明的固支梁間接加熱在線式未知頻率微波相位檢測(cè)器由六端口固支梁耦合器，通道選擇開(kāi)關(guān)，微波頻率檢測(cè)器，微波相位檢測(cè)器級(jí)聯(lián)構(gòu)成；六端口固支梁耦合器由共面波導(dǎo)，介質(zhì)層，空氣層和固支梁構(gòu)成；共面波導(dǎo)在ＳｉＯ２層上，固支梁的下方為介質(zhì)層，兩個(gè)固支梁之間的共面波導(dǎo)長(zhǎng)度為λ／４；第一端口到第三端口、第四端口及到第五端口、第六端口的功率耦合度相同，待測(cè)信號(hào)經(jīng)第一端口輸入，由第二端口輸出到下級(jí)處理電路，由第四端口和第六輸出到微波相位檢測(cè)器，由第三端口和第五端口輸出到通道選擇開(kāi)關(guān)；通道選擇開(kāi)關(guān)的第七端口和第八接間接加

本發(fā)明的固支梁直接加熱在線式已知頻率微波相位檢測(cè)器由六端口固支梁耦合器，微波相位檢測(cè)器，直接加熱式微波功率傳感器；六端口固支梁耦合器由共面波導(dǎo)，介質(zhì)層，空氣層和固支梁構(gòu)成；共面波導(dǎo)制作在ＳｉＯ２層上，固支梁的下方沉積介質(zhì)層，并與空氣層，固支梁共同構(gòu)成耦合電容結(jié)構(gòu)，兩個(gè)固支梁之間的共面波導(dǎo)長(zhǎng)度為λ／４；六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四端口以及第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度相同，待測(cè)信號(hào)經(jīng)六端口固支梁耦合器的第一端口輸入，由第三端口和第五端口輸出到直接加熱式微波功率傳感器，由第四端