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分 分 岔 合 并 煤層 上覆 煤層采動 后 破碎頂板條件下下 伏 煤 層 安全高 效 開采關鍵技術
采用理論分析、數(shù)值模擬、相似模擬和現(xiàn)場實測等多種綜合研究方法，對分岔合并煤層上覆煤層采動后破碎頂板條件下 72 煤安全高效開采綜合技術進行系統(tǒng)研究。分析工作面的地質條件，測試工作面煤巖力學參數(shù)，掌握工作面煤巖力學特性；分析 71 煤開采對底板破壞影響規(guī)律，為工作面超前預注漿加固范圍提供依據(jù)；針對破碎頂板的特點，分析兩柱式和四柱式支架對破碎頂板的適應性，改變淮北礦區(qū)傳統(tǒng)的破碎頂板采用兩柱式支架選型原則，提出適合工作面破碎頂板條件的四柱支撐掩護式支架；確定注漿方案，選取注漿材料，實驗優(yōu)化注漿漿液配比，設計漿液擴散半徑，布置注漿孔；現(xiàn)場實測破碎頂板條件下工作面礦壓顯現(xiàn)及圍巖運移特征，為有效的破碎頂板控制技術及頂板管理提供依據(jù)。1）針對試驗工作面復雜難采條件，研究提出了采用適應難采條件的四柱支撐掩護式支架結構，并合理設計了支架參數(shù)，改變了淮北礦區(qū)傳統(tǒng)的破碎頂板采用兩柱式支架選型原則，為淮北礦區(qū)破碎頂板的管理提供了全新途徑。2）研制了具有初撐力高、頂梁整體剛性強，前部支護強度大，密封性好、較大的面向煤壁的水平力、帶壓移架、底座采用半封底形式，抬架力高、液壓系統(tǒng)流量大等特點的 ZZ7600/20/40 新型液壓支架，解決了復雜難采煤層工作面易出現(xiàn)煤壁片幫、超前冒頂和支架扎底等難題，保證了工作面安全高效回采。3）與國內外同類研究相比，創(chuàng)新提出“更換鉆頭”與“跟管鉆進”埋設注漿套管的新方法，研發(fā)了經濟可行的破碎頂板注漿加固補強技術，有效控制了頂板冒落，為工作面安全順利回采創(chuàng)造了良好條件，降低了注漿成本，解決了破碎頂板鉆孔、埋設注漿套管難的問題。
安徽理工大學
2021-04-13
一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法
專利內容是本發(fā)明針對背景技術存在的缺陷，提出了一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法，緩解了襯底與薄膜之間的應力產生，得到的單晶石榴石厚膜可作為磁光或微波厚膜應用，該方法制得的磁光厚膜的厚度可達100µm以上。
電子科技大學
2021-02-01
一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜、其制備方法及用途
本發(fā)明公開一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜及其制備方法。該膜由聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂和糖類高分子組成，在優(yōu)選的原料與比例下對LDL有良好的特異性吸附作用，且具有良好的穩(wěn)定性和生物相容性，可重復使用，成本低廉，有望投入大規(guī)模臨床應用。其制備方法包括以下過程:將膜用聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂、糖類高分子、致孔劑按一定比例溶于溶劑，制成均一的紡絲制膜液，將紡絲制膜液過濾、真空脫泡后，通過浸沒沉淀相轉化法紡絲制備中空纖維成膜，然后將所制得的中空纖維膜依次在去離子水和超純水充分漂洗。本發(fā)明采用的共混溶解制備法具有操作簡便安全、原材料廉價易得等優(yōu)點。
浙江大學
2021-04-11
高穩(wěn)定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術
成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國內外生產的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級為千歐, 刻槽后數(shù)量級為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術指標如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應用領域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無線網絡與應用：協(xié)作無線網絡 5 移動通信—LTE 技術
天津大學
2021-04-11
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超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發(fā)明提供一種超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術領域。本發(fā)明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發(fā)明的優(yōu)點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現(xiàn)了Cr-N基膜成分多元化和結構多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業(yè)大學
2021-04-14
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復極式離子膜電解槽極網自動化激光焊接成套技術裝備
北京工業(yè)大學
2021-04-14
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低能耗低污染膜/生物反應器（MBR） 污水處理技術與設備
技術特點及優(yōu)勢 1、對現(xiàn)有的用于污水處理的膜進行改性，提高膜通量，減小跨膜壓力。膜通量較現(xiàn)有膜提高2倍以上，跨膜壓力只有1米左右水柱。 2、突破了以往MBR膜都是與泥水直接接觸的固有形式，對MBR結構進行了改進，減少膜與污泥、胞外聚合物（EPS）等膜污染關鍵物質的接觸，可以極大緩解膜污染問題； 3 、采用的廉價耐污染膜材料，延長膜的使用壽命，降低運行成本； 4 、控制反應器微生物處于內源呼吸期，反應器中能有效建立細菌—原生動物—后生動物微生態(tài)系
哈爾濱工業(yè)大學
2021-04-14
一種燃料電池膜電極熱壓頭上表面貼片的糾偏補償方法
本發(fā)明公開了一種燃料電池膜電極熱壓頭上表面貼片的糾偏補償方法。傳統(tǒng)的機器視覺采圖后擺動氣缸翻轉，然后貼片，不能保證GDL 的貼裝精度，另外，由于 GDL 料盒比 GDL 本身尺寸稍大，不能保證每次真空拾取機構吸取 GDL 的中心軸線都與旋轉軸的中心軸線重合，因此翻轉后也會有誤差。本發(fā)明主要解決這兩個誤差的計算和補償方法，實現(xiàn)熱壓頭上表面的準確貼片。本發(fā)明基于現(xiàn)有的 GDL 熱壓裝備實現(xiàn)，首先對相機進行標定，標定兩個相機各自的像素坐標系和世界坐標系的關系，分別根據(jù)是由安裝誤差引起的貼片糾偏或者是由軸線
華中科技大學
2021-04-14
一種納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜、其制備方法及應用
本發(fā)明公開了一種納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜、其制備方法及 應用。所述復合膜，包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層，所述 納米石墨烯底層厚度在 4000nm 至 6000nm 之間，所述納米氫氧化鈷表 層厚度在 50nm 至 100nm 之間，所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所 述納米石墨烯底層上。其制備方法，包括以下步驟：將氧化石墨烯均 勻分散于水中，涂敷在片狀導電基底上，干燥得到納米氧化石墨烯膜； 組建三電極體系采用
華中科技大學
2021-04-14
適用于對移動中的柔性膜執(zhí)行標識的多自由度打標裝置
本發(fā)明屬于柔性膜質量檢測設備相關領域，并公開了一種適用 于對移動中的柔性膜執(zhí)行標識的多自由度打標裝置，包括支撐組件、 傳動組件、動力組件、打標針組件和記號筆組件，其中支撐組件可實 現(xiàn)打標裝置的機械連接，同時還具有導向和位置調節(jié)的功能；動力組 件為打標裝置提供可控的動力，傳動組件可適于在運動中多自由度地 驅動打標針組件和記號筆組件，并提供高精度的打標操作；打標針組 件和記號筆組件分別可在柔性膜上打出針孔和顏色標記，并檢測標記 是否成功完成。通過本發(fā)明，在高速運動過程中也能夠高精度、穩(wěn)定 可靠地執(zhí)行打標操作，而且反應靈敏度高，因而尤其適用于 RFID 標 簽之類對表面標識質量高的運用場合。
華中科技大學
2021-04-11