|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
.jpg){kind=logo}
在鈦合金表面制備 Ti-Si-C 涂層的方法
項(xiàng)目簡(jiǎn)介 一種在鈦金屬表面制備 Ti-Si-C 涂層的方法，其特征是它由涂層合金粉末片制備和 激光熔覆處理組成。其中，Ti 粉、Si 粉和石墨粉經(jīng)混合球磨烘干后，在壓片機(jī)上壓制合 金粉末片，且涂層合金粉末片中各組分的原子個(gè)數(shù)百分比為：Ti 粉 50%，Si 粉 16.7%，C 粉 33.3 %。 產(chǎn)品性能、指標(biāo) 本發(fā)明熔覆工藝性能優(yōu)良，涂層組織致密，界面結(jié)合良好，主要組成相為 α-Ti、TiCx、 Ti5Si3 和 Ti3SiC2，組織為 α-Ti 基體＋
江蘇大學(xué)
2021-04-14
7000 系超高淬透性超高強(qiáng)鋁合金及其制備方法
項(xiàng)目簡(jiǎn)介 本成果基于成分、制備技術(shù)設(shè)計(jì)優(yōu)化，獲得了一種在 7000 系鋁合金中淬透最高并具 有很高力學(xué)性能、抗腐蝕性能的 7000 系鋁合金。 有益效果是：該 7000 系超高淬透性超高強(qiáng)鋁合金，在現(xiàn)有 7000 系鋁合金淬透性最 高、抗腐蝕性能最好、力學(xué)性能也非常高的鋁合金。獲批國(guó)家授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利 3 件。 性能指標(biāo) （1） 淬透性都在 276mm 以上，是 7075 鋁合金的 5.5 倍以上。 （2） 屈服強(qiáng)度、抗拉強(qiáng)度、延伸率分別達(dá) 650 MPa、700 MPa、10.5 % （
江蘇大學(xué)
2021-04-14
600-650MPa 強(qiáng)度高抗晶間腐蝕鋁合金及其制備方法
項(xiàng)目簡(jiǎn)介 一種 600-650MPa 強(qiáng)度高抗晶間腐蝕鋁合金及制備方法，其特征是所述的鋁合金主要 由 Al、Zn、Mg、Cu、Zr 和 Sr 組成，其中，Zn 的質(zhì)量百分比為 10.78～13.01%，Mg 的質(zhì) 量百分比為 2.78～3.56%， Cu 的質(zhì)量百分比為 1.12～2.80%，Zr 的質(zhì)量百分比為 0.183～0.221%， Sr 的質(zhì)量百分比為 0.0456～0.0751%，余量為鋁和少量雜質(zhì)元素。所述 的 制 備 方 法 依 次 包 括 ：（ 1 ）熔鑄； （ 2
江蘇大學(xué)
2021-04-14
大學(xué).jpg){kind=logo}
氫能源車(chē)用納米結(jié)構(gòu)鎂基合金復(fù)合儲(chǔ)氫材料
針對(duì)車(chē)載氫能源的難題，開(kāi)展納米結(jié)構(gòu)鎂基合金復(fù)合材料儲(chǔ)氫研究，特別開(kāi)展了 Mg 納米線的儲(chǔ)氫性能研究。
MgH2（7.6wt% H2）是理想的輕質(zhì)儲(chǔ)氫材料之一，但其緩慢的吸放氫動(dòng)力學(xué)和相對(duì)高的操作溫度，限制了它的發(fā)展。為了改善鎂基材料的儲(chǔ)氫性能，通過(guò)氣相傳輸?shù)姆椒ㄖ苽淞瞬煌蚊驳?Mg 納米線。
結(jié)果表明，改變載氣流速、傳輸溫度和沉積基底，可以控制 Mg 納米線的長(zhǎng)度和直徑。測(cè)試結(jié)果顯示，Mg 納米線降低了脫附能壘，改善了熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，直徑為 30-50nm 的 Mg 納米線具有良好的可逆儲(chǔ)放氫性能。研究成果發(fā)表在 J. Am. Chem. Soc.，J. Phys. Chem. C，J. AlloysCompds 等期刊上，授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利 2 項(xiàng)。
南開(kāi)大學(xué)
2021-04-13
.jpg){kind=logo}
5、高壓真空開(kāi)關(guān)用銅鉻合金觸頭材料
本項(xiàng)目采用真空熔鑄方法，解決了 Cu-Cr 合金鑄造產(chǎn)生的成分偏析及組織不 均勻問(wèn)題，得到的顯微組織細(xì)化、成分均勻化，尤其是合金中 Cr 粒子的細(xì)化問(wèn) 題，大幅度提高耐電壓強(qiáng)度，同時(shí)又能保持銅的高導(dǎo)電性，觸頭的小型化才有實(shí) 現(xiàn)的可能。本方法還能回收利用生產(chǎn)廢料，因此生產(chǎn)工藝更為環(huán)保。而且生產(chǎn)成 本大大降低，性能還有所提高。本項(xiàng)目制備的觸頭材料,性能與國(guó)內(nèi)外同類(lèi)產(chǎn)品 相比,在導(dǎo)電性,均勻性,組織細(xì)化等多方面全面領(lǐng)先。
上海理工大學(xué)
2021-01-12
.jpg){kind=logo}
包覆型鎂合金復(fù)合鑄件鑄造裝置及其鑄造方法
由于鑄造生產(chǎn)過(guò)程由多工序集體作業(yè)完成，成分、溫度、鑄型質(zhì)量乃至 氣候環(huán)境等多因素影響產(chǎn)品質(zhì)量，工藝參數(shù)波動(dòng)大，質(zhì)量控制靠經(jīng)驗(yàn)的比重 大，產(chǎn)品質(zhì)量很大部分又都是在產(chǎn)品成形后甚至機(jī)械加工后才體現(xiàn)出來(lái)，質(zhì) 量問(wèn)題非常突出。鑄造過(guò)程計(jì)算機(jī)模擬仿真是學(xué)科發(fā)展的前沿領(lǐng)域，是當(dāng)今世 界各國(guó)專(zhuān)家學(xué)者關(guān)注的熱點(diǎn)，已成為鑄造工藝設(shè)計(jì)與優(yōu)化的重要手段。鑄造CAE 的精度取決于界面條件數(shù)據(jù)、熱物性數(shù)據(jù)、初始條件數(shù)據(jù)的輸入，這些數(shù)據(jù)與 企業(yè)生產(chǎn)條件緊密相關(guān)，不是軟件所能給予的。鑄造CAE材料數(shù)據(jù)體系與精益 鑄造工藝技術(shù)在歐、美、日韓等國(guó)際知名企業(yè)得到高度重視，是企業(yè)不對(duì)外提供、具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)。
本項(xiàng)目與一些國(guó)內(nèi)大型知名企業(yè)合作，開(kāi)展了鑄造CAE材料數(shù)據(jù)及精益鑄 造工藝開(kāi)發(fā)應(yīng)用研究，開(kāi)發(fā)材料數(shù)據(jù)體系，建立了 CAE精準(zhǔn)分析與精益工藝設(shè)計(jì)的集成應(yīng)用平臺(tái)，縮短鑄造工藝開(kāi)發(fā)周期，提升生產(chǎn)線質(zhì)量指標(biāo)及工藝效率, 降低生產(chǎn)成本，提高企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力。利用本研究成果，每年幫助多個(gè)企業(yè)進(jìn)行近20個(gè)高要求復(fù)雜鑄件的質(zhì)量攻 關(guān)，已累計(jì)在百余種鑄件上獲得應(yīng)用。
重慶大學(xué)
2021-04-11
.jpg){kind=logo}
一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法
一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法 發(fā)明專(zhuān)利/實(shí)用新型/：發(fā)明授權(quán) 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開(kāi)了一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制 備方法，其將純度為 99.99％以上的金屬鎵原料溶解于酸中，配制澄清 的鎵鹽溶液，加入沉淀劑產(chǎn)生沉淀物，將獲得的沉淀經(jīng)洗滌、過(guò)濾、 干燥、煅燒制成單分散超細(xì)氧化鎵粉體；用合成的單分散氧化鎵粉體 作為原料，經(jīng)模壓成型和冷等靜壓強(qiáng)化獲得氧化鎵生坯，將生坯放在 高溫爐
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方法與設(shè)備
本發(fā)明公開(kāi)了一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及設(shè)備。方法根據(jù)待成形金屬構(gòu)件切片輪廓形狀確定成型缸的內(nèi)部 結(jié)構(gòu)，使各鋪粉層的金屬粉末盡量只處于待成形金屬構(gòu)件切片輪廓形 狀對(duì)應(yīng)的區(qū)域，以大幅度減少金屬粉末的用量，并提高高能束增材制 造的功效。設(shè)備包括一個(gè)或多個(gè)成型缸，該成型缸的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與待成 形金屬構(gòu)件切片輪廓形狀相匹配。本發(fā)明通過(guò)使用鑲塊以及與金屬構(gòu) 件切片輪廓形狀相適應(yīng)的異形基板，實(shí)現(xiàn)了針對(duì)不同金屬構(gòu)件
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于高能束增材制造的溫度場(chǎng)主動(dòng)調(diào)控系統(tǒng)及其控制方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種梯度溫度場(chǎng)主動(dòng)調(diào)控系統(tǒng)及其控制方法，系 統(tǒng)由溫度場(chǎng)監(jiān)控系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)和控制系統(tǒng)；溫度場(chǎng)監(jiān)控系統(tǒng)用于測(cè) 量成形區(qū)域 XOY 平面及四周的溫度場(chǎng)信息，將獲得的溫度場(chǎng)信息進(jìn)行 量化處理后反饋給控制系統(tǒng)，加熱系統(tǒng)根據(jù)控制系統(tǒng)指令對(duì)成型缸的 底部和四周進(jìn)行溫度場(chǎng)的分區(qū)獨(dú)立實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)在加工過(guò)程中整 個(gè)加工區(qū)域的溫度場(chǎng)恒定，保證已加工區(qū)域與未加工區(qū)域處于合理的 溫度梯度，避免熱應(yīng)力導(dǎo)致構(gòu)件翹曲、變形、開(kāi)裂。本
華中科技大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
高穩(wěn)定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術(shù)
成果與項(xiàng)目的背景及主要用途：
Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對(duì)于濺射制備電阻膜來(lái)說(shuō)，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù)(TCR)是金屬膜電阻器的一個(gè)重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時(shí)會(huì)造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。
技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級(jí)為千歐, 刻槽后數(shù)量級(jí)為兆歐)且穩(wěn)定(隨時(shí)間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點(diǎn)高, 原子移動(dòng)性低, 因此由其所組成的薄膜穩(wěn)定性高。通過(guò)在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來(lái)提高電阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過(guò)程中, 可通過(guò)通入微量的氧來(lái)提高薄膜的電阻率, 同時(shí)調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。技術(shù)指標(biāo)如下：溫度沖擊實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過(guò)載實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實(shí)驗(yàn)后ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。
應(yīng)用領(lǐng)域：
集成電路、電子元器件
合作方式及條件：具體面議
天津大學(xué)
2021-04-11