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產品詳細介紹     6 路標清視頻信號,6 路立體聲模擬音頻信號。    規格參數： 輸入通道: 6路CVBS標清、2個6路立體聲音頻 CVBS輸入標準: PAL/NTSC CVBS采集輸出格式: 畫面大小: 176x144至720x576像素 每秒幀數: 1-30幀/秒 色彩格式: UYVY/YUY2/I420/RGB24/RGB32 音頻參數: 聲道數: 12聲道 采樣頻率: 8/16/22.05/32/44.1/48/96 KHz 采樣精度: 24 bit 信噪比: >= 90 db 視頻處理功能: RGB/YUV轉換,5-Tap畫面縮放,運動自適應去隔行 板載內存: 128MB;DDR2/32bit/166Hz 插槽接口: Low-Profile PCI-Express x1 主體外觀尺寸: 123mmx69mm功能特性： 畫質好:采用10bit采樣精度的4倍過采樣AD轉化器,5線自適應梳狀濾波器等技術,保障了畫面細節豐富,信噪比高,并大大減少了色邊 音質好:采用96KHz采樣率,24bit采樣精度A/D轉換器,實測信噪比在90db等,保障了畫面細節豐富,信噪比高,并大大減少了色邊 產品描述： n         小尺寸具備更高性能 符合Low Profile高度、Half Length板長標準，可以很方便地安裝在2U和標準機箱內，這樣一款體積小巧靈活的采集卡可同時采集6路CVBS視頻和6路不平衡立體聲音頻，具備強勁性能。 n         高品質元件具有超強穩定性 所有芯片和電容元件使用進口高質量元件，采用6層板設計，信號品質優于同類產品，輕松通過超長時間全負荷工作，可連續工作24h x7不間斷。 n         最高質量模擬信號采集 同時采集6路復合視頻和6路不平衡立體聲音頻，每通道可達D1/30 fps，無失幀現象，兼容PAL，NTSC視頻標準，并且可以自動識別輸入信號的視頻標準，無需手工調整。 n         PCI-E接口輕松達到高帶寬 采用PCI-E接口，允許和每個設備建立獨立的數據傳輸通道，無需向系統請求帶寬，輕松達到高帶寬。 n         畫面任意縮放和剪裁 通過自帶的AMCAP工具可對輸入信號任意縮放和剪裁，滿足您的個性化需求，帶來更具個性化的體驗。 n         高品質音視頻體驗 采用10bit采樣精度的4倍過采樣AD轉化器,5線自適應梳狀濾波器等技術,保證畫面具有高銳利度，畫面細節豐富，并大大減少了色邊；采用96KHz采樣率,24bit采樣精度A/D轉換器,實測信噪比在90db等, 高采樣率和高采樣精度保證采樣失真最小化，高信噪比保證聲音足夠純凈。 n         流媒體直播 經過壓縮的視頻再壓縮成流媒體格式會極大地降低質量，而且會耗費更多CPU，純凈的無壓縮視頻源能夠提高互聯網流媒體視頻質量。支持領先的流媒體軟件，無需二次開發，將視頻采集成最高質量格式后再壓縮成適合網絡發布的任何特定格式，搭建屬于自己的IPTV！ n         兼容更多軟件 采用標準開發接口，基于 DirectShow Filter 的音視頻采集接口，基于 DirectSound 的音頻采集接口，基于 IKsPropertySet 的擴展接口，兼容更多軟件，如：Windows Media Encoder、Adobe Flash Media Live Encoder、Real Producer Plus、VideoLAN for Windows。 n         靈活的多通道采集 具備SimuStream 功能，可兼容多個應用程序同時采集，不降低幀率。同一時間可將統一信號源處理為多種格式、多種比特率、多種分辨率的流媒體，減少硬件總成本，適用于IPTV，支持多種終端用戶收看。  

本實用新型提供一種用于弱膠結軟巖的鉆孔取芯裝置，所述鉆孔取芯裝置包括：鉆孔取芯鉆頭、通氣聯軸、密封套和低溫供氣系統，所述通氣聯軸的一端活動連接有鉆孔取芯鉆頭，所述通氣聯軸的中部活動套設有密封套；本實用新型通過鉆齒深入鉆身內外壁的部分，實現了軟巖鉆孔取芯過程中內外壁切削，并極大的減少了巖芯與鉆壁的接觸，由通氣聯軸與密封套相配合，實現了冷卻氣體的流入，為軟巖鉆孔取芯過程中提供了較大的排渣空間，同時循環流動的冷卻氣體為排渣提供動力，提高了軟巖取芯成功率

基于流體動力，對微創深靜脈血栓取除器械進行優化設計，通過初步離體血栓實驗驗證了取栓器的血栓取除率、殘血栓粒度、取栓時間等；改進雙側乳腺鉬靶圖像預處理算法及數據處理算法，可提高乳腺癌預測的精度、敏感性、特異度。

高吸水性樹脂是一類具有高吸水保水性能的高分子材料，已在醫用衛生、農林園藝等眾多領域扮演重要角色。理想的高吸水性樹脂應具備高吸水能力、高吸水速率、良好的機械強度；本項目開發的多孔性高吸水性樹脂在吸水能力和吸水速率上具有很大優勢。項目內容主要包括基于聚丙烯酸（鈉）-丙烯酰胺高吸水性樹脂的生產技術，可獲得同時具有高吸水/鹽水倍率和速率的簇狀多孔高吸水性微球樹脂。

甘薯新品種渝紫香10號系2016年重慶市品種審定委員會鑒定紫薯品   種，具有產量高、大薯率較高、花色苜含量高、適口性好、抗病性好等特點,是鮮食、花色昔加工專用品種。具體指標如下: 1. 生長勢及植株形態：紫薯型品系，萌芽性優，中長蔓，最長蔓長257.3cm ,莖粗0.51cm ,莖端茸毛中，平均分枝數5.4個,葉片心形帶齒,頂葉和成年葉^色、葉脈綠色,莖色綠色。 2. 塊根形態:結薯性較好，結薯集中；單株結薯數3.5個;薯形中膨   紡形，深紅皮紫肉，薯干紫色。上薯率79.88%，大薯率較高。 3. 品質：該品系薯塊烘干率27.71%、淀粉含量17.75%.薯塊花色昔含量26.85mg/100g鮮薯,適合作鮮食、花色苜加工專用品種。 4. 產量:TS畝產1400-2200kg ,高產可達2500kg。 5. 抗病性與貯藏性:抗黑斑病,藥劑浸種后宜貯藏。 6. 生育期:全生育期150天左右。 7. 種植區域:重慶市甘薯主產區。

研發階段/n用波利馬細胞質雄性不育系"2063A"與恢復系"05-P71-2"配組育成的三系雜交油菜品種。屬半冬性甘藍型油菜。株型緊湊，株高中等，生長勢強，抗倒性較強，分枝性中等。苗期生長較慢，半直立，葉片缺刻較深，葉色濃綠；薹期生長勢較強。莖綠色，花黃色，花瓣相互重疊。結莢性較好，籽粒中等大小。區域試驗中株高176.4厘米，單株有效角果數323.3個，每角粒數20.3粒，千粒重3.63克。菌核病發病率12.91%，病指8.06；病毒病發病率0.75%，病指0.53。出苗至成熟216.7天，與中油雜

研發階段/n培兩優1108是一個優質、抗白葉枯病、抗倒伏的兩系雜交稻組合，2007年通過湖北省審定。母本是培矮64S、父本是通過分子標記輔助選擇育種技術轉入IRBB21的Xa21基因的華1108。區域試驗產量8.23噸/公頃，與三系對照組合相當。糙米率80.2％，精米率70.1%，整精米率57.0%，堊白率18%，直鏈淀粉含量21.4%，膠稠度60mm，長寬比3.0。株高110cm，抗倒性強、適合機械收割。全生育期平均142天，在湖北主要作中稻種植。

XM-D018心臟傳導系電動模型 ? XM-D018心臟傳導系電動模型展示傳導系與心電圖，是按成人心臟放大，主要示心臟的外形與其連接的大血管，左、右心房，左、右心室中的結構，心臟的血管，心臟傳導系是在此基礎上顯示出來的，傳導系統包括竇房結、 結間束、房室結、房室束，左、右束支和浦肯野纖維等。 ? 一、顯示內容： ■ 燈光顯示心臟傳系各組成部分的位置分布（竇房結、結間束、房室結、房室束、右束支以及變異的副傳導束等）。 ■ 二十種心律的心電圖，并與相應的心臟傳導系統同時顯示，以表示二者之間的關系。 ? 二、技術參數： ■ 尺寸：按1:2放大，40×40×9cm ■ 材質：PVC材料+木框 ? 三、標準配置： ■ XM-D018心臟傳導系電動模型：1臺 ■ 電源線：1根 ■ 說明書：1冊 ■ 保修卡合格證：1張

集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化, 乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優良的傳熱性能, 加入少量強化元素, 通過固溶強化和彌散強化提高其強度, 同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導電率：60～80%IACS。

集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化，乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成，其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路，是芯片的散熱通道，又是連結電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優良的傳熱性能，加入少量強化元素，通過固溶強化和彌散強化提高其強度，同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。