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輸出電容低ESR開關變換器雙緣PFM調制電壓型控制方法及其裝置
本成果來自國家科技計劃項目，現(xiàn)已結題，并獲得國家發(fā)明專利授權（ZL201310022469.0），知識產權屬于西南交通大學。該成果公開了一種輸出電容低ESR開關變換器雙緣PFM調制電壓型控制方法及其裝置，檢測流過輸出電容的電流ic以及輸出電壓Vo，將兩者相加得到信號Vos，電壓控制信號Vc與Vos經過時間運算器生成可變時間，結合預設的恒定時間，再經過控制時序生成器產生由恒定時間和可變時間組成的控制時序，控制開關變換器開關管的導通與關斷。本成果具有輸出電壓低紋波且無低頻振蕩、穩(wěn)定范圍廣、瞬態(tài)響應速度快、穩(wěn)壓精度高的優(yōu)點。
西南交通大學
2016-06-27
一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方法
本發(fā)明公開了一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方 法，適合鍶、鈰、鈀等元素摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備。 本方法采用陽極氧化法制備納米棒陣列模板，采用溶膠凝膠法在模板 上形成摻雜鈷酸鑭納米棒，并采用晶種的方式將納米棒與電極基板接 觸。該方法可以完好的保留納米棒的形貌，并能在室溫下對一氧化碳 有較好的響應。采用該方法制備的室溫一氧化碳傳感器結構簡單，性 能優(yōu)異。
華中科技大學
2021-04-14
一種賤金屬內電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種賤金屬內電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其 制備方法，所述壓敏電阻器為瓷片和內電極依次層壓生成，其中所述 內電極材質為賤金屬鎳，所述壓敏電阻器的兩端涂有銀電極。本發(fā)明 具有以下有益效果：（1）本發(fā)明所使用的 ZnO 壓敏電阻材料配方適 用于還原再氧化制備工藝；（2）本發(fā)明采用賤金屬 Ni 為內電極，可 以大幅度降低多層片式壓敏電阻器制備成本；（3）采用傳統(tǒng)的固相燒 結方法，端銀的燒滲和瓷體氧化一次性
華中科技大學
2021-04-14
一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法， 包括多個垂直方向的三維 NAND 存儲串，每一個三維 NAND 存儲串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導體區(qū)域、分別位于半導體區(qū) 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導體區(qū)域的隧穿電介 質、圍繞隧穿電介質上、下分布了多個分立的電荷存儲層、包裹了隧 穿電介質以及多個電荷存儲層的阻隔電介質層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導體區(qū)域包括多個存儲單元的
華中科技大學
2021-04-14
一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子控制器
本發(fā)明公開了一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子 控制器，包括：2N 個繞組橋臂及一個共用橋臂，其中，N 為多軸磁懸 浮軸承自由度數(shù)，2N 個繞組橋臂分為 N 個 A 組繞組橋臂以及 N 個 B 組繞組橋臂，每一個繞組橋臂設置一個可控開關，共用橋臂設置 2 個 可控開關，通過改變可控開關的導通時間控制通過每個繞組的電流， 實現(xiàn)對多軸磁懸浮軸承中電磁力的控制。本發(fā)明的各繞組勵磁電流在 公共接點處相互抵消，改變了以往結構共用橋臂電流為各繞組橋臂之 和，顯著減小了流過共用橋臂可控開關的電流，降低了開
華中科技大學
2021-04-14
摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡及其構成的鎖模光纖激光器
本實用新型公開了一種摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡及其構成的鎖模光纖激光器，該摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡包括基底、鍍在所述基底上的高反射膜以及鍍在所述高反射膜上的摻鐵硒化鋅薄膜，由于該摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡以摻鐵硒化鋅薄膜為可飽和吸收體，同時摻鐵硒化鋅薄膜本身具有較高的損傷閾值，能夠用于高功率激光器的研制，彌補了本領域缺少高損傷閾值可飽和吸收鏡或可飽和吸收體的空缺；基于上述摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡構成的鎖模光纖激光器，利用雙包層增益光纖獲得激光，并通過摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡對激光進行調制實現(xiàn)鎖模，獲得超短脈沖激光。
四川大學
2017-12-28
類環(huán)狀流微膜蒸發(fā)板翅式冷凝蒸發(fā)技術 新型高效冷凝蒸發(fā)器
該項目是在國家自然科學基金委的大力支持下，由西安交通大學吳裕遠教授主持的課題組經過15年的艱苦努力，突破傳統(tǒng)機理，銳意科技創(chuàng)新，所取得的最新成果，榮獲2001年國家技術發(fā)明獎二等獎。該項目是西安交通大學，擁有完全的自主知識產權,非常適宜在制氧、石油、化工、乙烯等換熱器領域推廣應用。
西安交通大學
2021-01-12
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一種基于超聲波振動式結晶器的不銹鋼生產方法
（專利號：ZL 201410284167.5） 簡介：本發(fā)明公開了一種基于超聲波振動式結晶器的不銹鋼生產方法，屬于鋼鐵冶金技術領域。本發(fā)明的步驟為：步驟一、高爐煉鐵；步驟二、轉爐冶煉并進行精煉；步驟三、超聲波連鑄，經過步驟二精煉之后的鋼水在連鑄過程中采用水平連鑄結晶器，在水平連鑄結晶器上產生超聲波振動。本發(fā)明中無需依靠結晶器的機械振動，而僅僅依靠超聲波振動力使初生坯殼與結晶器內壁自動“脫模”，從而消除或減少不銹鋼鑄坯表面缺陷的產生；結晶器
安徽工業(yè)大學
2021-01-12
基于酞菁納米線具有紅外響應的有機憶阻器及陽離子調節(jié)特性
憶阻器，全稱記憶電阻器(Memristor)。惠普公司的研究人員首次做出納米憶阻器件，掀起憶阻研究熱潮。納米憶阻器件的出現(xiàn)，有望實現(xiàn)非易失性隨機存儲器。并且，基于憶阻的隨機存儲器的集成度、功耗、讀寫速度都要比傳統(tǒng)的隨機存儲器優(yōu)越。此外，憶阻是硬件實現(xiàn)人工神經網(wǎng)絡突觸的最好方式。由于憶阻的非線性性質，可以產生混沌電路，從而在保密通信中也有很多應用。目前，有機憶阻器普遍具有穩(wěn)定性差、工作機理模糊不清、紅外響應差的不足。所以，研究人員希望能夠開發(fā)出具有高穩(wěn)定性且紅外響應好的有機憶阻器。
南方科技大學
2021-04-13
基于運算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路及其讀出方法
本發(fā)明公開了一種基于運算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路，所述阻性傳感器陣列為共用行線和列線的阻性傳感器陣列；該讀出電路包括：標準電阻行，其包括一行N個標準電阻，增設于所述阻性傳感器陣列中，從而得到一個新的共用行線和列線的（M+1）×N電阻陣列；（M+1）個運算放大器，與電阻陣列的（M+1）條行線一一對應，每個運算放大器的反相輸入端、輸出端連接于一點后與其所對應行線連接；控制器，其具有至少(M+1)個IO端口以及至少N個ADC采樣端口，其中的(M+1)個IO端口與所述（M+1）個運算放大器的同相輸入端
東南大學
2021-04-14