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一種用于制作原子層沉積膜的可拆卸噴頭及裝置
本發明公開了一種用于制作原子層沉積膜的可拆卸噴頭及裝置。用于制作原子層沉積膜的噴頭，包括進氣管路、進氣口和出氣口；所述進氣口內部為空腔；所述出氣口內部形成空腔，分為上半部分和下半部分，其上半部分與下半部分之間設有漏斗形結構；進氣管路與進氣口固定連接，進氣口與出氣口可拆卸密閉連接。用于制作原子層沉積膜的裝置，包括所述噴頭、腔體支撐架、基片承載臺和運動平臺，腔體支撐架中間形成長條狀鏤空，可順序設置多個可拆卸噴頭，基片承載臺設置在墻體支撐架下方，運動平臺帶動基片承載臺。本發明能適應不同的原子層沉積反應，通
華中科技大學
2021-04-14
一種基于原子力顯微鏡的多功能組合探針系統
本發明公開了一種基于原子力顯微鏡的多功能組合探針系統。該系統能在各種設定的工作環境中通過程序控制原位切換具有不同功能的探針，從而在同一實驗區域原位實現微觀摩擦磨損實驗、表面形貌掃描、晶體結構演變探測和摩擦能量耗散測量等功能。該系統在原位切換探針時，無需破壞工作環境，有效避免外界環境對樣品表面的污染。
西南交通大學
2016-10-19
基于 PSO 改進的原子分解法的雷擊干擾與故障識別方法
本發明涉及一種雷擊干擾與雷擊故障識別方法，尤其是涉及一種基于 PSO 改進的原子分解法的雷 擊干擾與故障識別方法。本發明利用原子分解法對故障線路保護安裝處的電壓電流信號進行頻率成分分 析，提出基于零序電流穩態工頻分量有無的雷擊干擾識別方法;提出基于電流線模分量原子分解能量比 值與基于故障相電流電磁暫態特征的雙重故障類型識別判據，提高了故障識別的準確率。本發明在過完 備冗余原子庫的基礎上自適應地尋找信號的最佳匹配原子及其參數，從而使信號的自適應表達簡潔，分 解結果稀疏，極大地提高了
武漢大學
2021-04-14
一種 RFID 天線毛刺和污點缺陷的視覺檢測系統及方法
本發明公開了一種用于對 RFID 天線毛刺和污點缺陷執行視覺檢測的方法，包括：對攝像裝置執行標定之后，通過其與條形或背光光源的配合，對待檢測的各個 RFID 天線拍攝圖像；采集所拍攝的天線圖像并將其與天線模板圖像相匹配以獲得預對齊信息；根據天線模板圖像上的 ROI 區域并結合預對齊信息，從天線圖像中扣取對應的毛刺和污點檢測區域；對所摳取檢測區域和 ROI 區域分別執行二值化處理，然后執行圖像相減處理；對相減處理后的殘余圖像執行 blob 分析，由此判定毛刺和污點缺陷結果。本發明還公開了相應的視覺檢測
華中科技大學
2021-04-14
一種基于多重漏磁檢測信號特征值的缺陷評價方法
本發明公開了一種基于多重漏磁檢測信號特征值的缺陷評價方 法，包括以下步驟:1)將樣件磁化，用探頭分別在樣件的盲孔和所有 矩形槽上方進行掃查，得到信號曲線計算獲得各個 MFL 信號特征值; 2)在數據處理裝置中得到 MFL 信號特征值分別與偏離值、提離值的線性方程;3)在數據處理裝置中得到 MFL 信號特征值與矩形槽上同一方 向尺寸的線性方程;4)用探頭對待測鐵磁件進行檢測，掃查得到 MFL漏磁信號特征值，根據步驟&nbs
華中科技大學
2021-04-14
一種基于光電子全息成像探測原子結構的方法
本發明公開了一種基于光電子全息成像探測原子結構的方法，通過測量強激光作用于原子電離產生的光電子動量譜，分析其中的干涉結構，可以獲取原子散射振幅的相位信息。包括：利用高強度的飛秒激光電離原子，測量電離得到的光電子的動量譜。分析測量到的動量譜，從全息干涉圖中提取原子散射振幅的相位信息。由于目前還沒有探測原子散射振幅相位信息的有效方法，本發明提出的方法將在全面認識原子結構方面有重要的應用價值。
華中科技大學
2021-04-14
一種陣列式原子干涉重力梯度張量全分量的測量系統
本發明公開了一種陣列式原子干涉重力梯度張量全分量的測量系統，包括：n 個陣列式排布的冷原子干涉單元，冷原子干涉單元包括：真空腔體；真空腔體包括上干涉區，下干涉區，探測區和原子團制備結構，上干涉區為一根細長型管道，且頂端安裝有玻璃窗口；下干涉區為多窗口的腔體，且側面安裝有玻璃窗口。三束豎直激光操縱四 團 原 子 同 時 干 涉 ， 實 現 重 力 梯 度 張 量 中 的 <imgfile=""DDA0001192057860000011.GIF"" wi=""424"" he=""70""/&g
華中科技大學
2021-04-14
華科天成高品質PRIDE100型I原子發射光譜儀
產品詳細介紹華科天成高品質PRIDE100型I原子發射光譜儀產品特點1.分析速度快 2.精密度高 3.穩定性好 4.檢出限低 5.分析元素多6.操作便捷 全新Windows運行環境功能齊全7.全自動點火 氣路智能控制，實現軟件點火，更方便8.安全 有冷卻水保護、氬氣保護、滅弧保護更安全采用多重屏蔽和良好的接地，使儀器輻射小于2V/m (JJG768-2005規定小于10V/m)。更好地保證操作者的安全。
北京華科天成科技有限公司
2021-08-23
一種表面氧缺陷多孔金屬氧化物材料及其制備和應用
本發明公開了一種表面氧缺陷多孔金屬氧化物材料及其制備和應用。所述表面氧缺陷多孔金屬氧化物材料的制備方法包括以下步驟：1)將金屬鹽溶解于有機溶劑中，形成透明溶液、2)將步驟1)中的透明溶液與軟膜板劑混合，得到二者充分均勻分散的分散液，充分混合形成金屬鹽凝膠、3)將步驟2)中得到的金屬鹽凝膠制備成干凝膠、4)將步驟3)中得到的干凝膠高溫煅燒，所得灰分即為表面氧缺陷多孔金屬氧化物、本方法能夠同步合成出表面氧缺陷多孔金屬氧化物材料。制備方法相對簡單，在形成多孔結構的同時增加了材料表面的氧空穴濃度，改變了材料的電子結構，可應用于吸附、光電催化及電池領域。
清華大學
2021-04-10
層狀二維材料的晶體和缺陷結構精準調控研究提供了新思路
通過溶劑熱方法，成功制備出一種層間距寬化并富有缺陷的1T-VS 2 納米片，展現出優異的電催化析氫性能。由于有機溶劑分子以及在反應過程中產生的銨離子等的插層作用，該溶劑熱法制備出的VS 2 納米片層間距寬化至1.0 nm，比塊體VS 2 材料的層間距（0.575 nm）增加了74%。層間距的寬化引起晶格的畸變而引入眾多的缺陷，豐富的缺陷賦予VS 2 納米片更多的活性位點，層間距的寬化還進一步改變了VS 2 材料的電子結構，從而使得該VS 2 納米片具有更加優化的氫吸附自由能（? G H ）。HER測試結果表明，該VS 2 納米片呈現出優異的電催化性能，具有較小的塔菲爾斜率（36 mV dec ?1 ）、具有較低的過電位（-43 mV@10 mA cm ?2 ）和良好的穩定性（60 h）。此外，通過第一性原理計算的結果表明，層間距寬化的VS 2 具有更優化的? G H （-0.044 eV），媲美貴金屬Pt(如圖3 ). 。并且，層間距的寬化可以降低缺陷形成能，使材料更易形成缺陷。這里，理論計算結果和實驗相一致，較好地證明了通過層間距和缺陷的精細調控，可以有效提升二維材料的電催化析氫反應活性, 揭示了層間距和缺陷結構調控對提升電催化析氫的基本原理。此項研究工作為層狀二維材料的晶體和缺陷結構精準調控研究提供了新思路，為開發高性能電催化析氫材料研究打開了一扇新窗戶。
南方科技大學
2021-04-13