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       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

本發(fā)明公開了一種硅烷偶聯(lián)劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料及其制備方法和應(yīng)用。該硅烷偶聯(lián)劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料主要由二氧化鈦納米管陣列、硅烷偶聯(lián)劑、有機(jī)溶劑和冰醋酸混合后反應(yīng)得到，可應(yīng)用于處理含有機(jī)污染物和/或重金屬污染物的廢水中。本發(fā)明的硅烷偶聯(lián)劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料氧化還原能力強(qiáng)，可同時(shí)去除有機(jī)污染物和重金屬污染物，且去除效果好，可反復(fù)使用。

本發(fā)明公開了一種硅烷偶聯(lián)劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料及其制備方法和應(yīng)用。該硅烷偶聯(lián)劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料主要由二氧化鈦納米管陣列、硅烷偶聯(lián)劑、有機(jī)溶劑和冰醋酸混合后反應(yīng)得到，可應(yīng)用于處理含有機(jī)污染物和/或重金屬污染物的廢水中。本發(fā)明的硅烷偶聯(lián)劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料氧化還原能力強(qiáng)，可同時(shí)去除有機(jī)污染物和重金屬污染物，且去除效果好，可反復(fù)使用。

專利申請(qǐng)時(shí)，成果處于研發(fā)階段，技術(shù)處于國(guó)內(nèi)空白。

成果簡(jiǎn)介：  成功開發(fā)出了在正常太陽(yáng)能輻射強(qiáng)度條件下能滿足全天供熱的鍋爐-太陽(yáng)能耦合工作的技術(shù)，保證了系統(tǒng)連續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行；開發(fā)出了高效太陽(yáng)能集熱陣列（增加基于涂料分解反射聚光效應(yīng)的高效集熱器技術(shù)）； 研發(fā)出一套具有一定生產(chǎn)能力和深入實(shí)驗(yàn)、改造能力的金屬網(wǎng)基波紋管結(jié)構(gòu)的相變蓄熱樣機(jī)；提高系統(tǒng)單位安裝面積的集熱量，保證全天候預(yù)熱軟水出水溫度80-95

本發(fā)明公開了一種在微流控芯片中同時(shí)利用抗原抗體特異性識(shí)別和細(xì)胞尺寸差別分選腫瘤細(xì)胞的 方法。本發(fā)明方法包括如下步驟:先在二氧化硅微球表面包裹一層明膠，再修飾上 anti-EpCAM，然后 與含有腫瘤細(xì)胞的樣品混合孵育，孵育后的混合樣品通過(guò)可進(jìn)行尺寸分選的微流控芯片分選收集后，用 明膠酶降解二氧化硅球表面的明膠即可釋放收集的腫瘤細(xì)胞。本發(fā)明通過(guò)抗原抗體特異性識(shí)別選擇性的 擴(kuò)大了吸附腫瘤細(xì)胞的微球與其他細(xì)胞的尺寸差別，分選效率及純度更高，并且分選出來(lái)的腫瘤細(xì)胞能 夠被釋放及培養(yǎng)，活性不受影響。

針對(duì)火電機(jī)組汽輪機(jī)組凝汽器管式換熱器、管式空預(yù)器易結(jié)垢與積灰、換熱 端差大，清洗較困難，且運(yùn)行成本高等問(wèn)題，提出并設(shè)計(jì)了一種以帶平衡孔的旋 流葉片為核心的清垢、清灰及強(qiáng)化換熱裝置，其能依靠循環(huán)水、煙氣的流動(dòng)實(shí)現(xiàn) 旋流葉片自激旋轉(zhuǎn)，強(qiáng)化擾流，實(shí)現(xiàn)在線自動(dòng)清垢清灰及強(qiáng)化換熱，且在平衡孔 的作用下，能防止旋流片的偏斜而實(shí)現(xiàn)自平衡穩(wěn)定。應(yīng)用本方法與裝置應(yīng)用本方 法與裝置于火電機(jī)組凝汽器，端差可降低為1~3C,應(yīng)用于火電機(jī)組管式煙氣換 熱器，可提高熱力發(fā)電廠熱效率該裝置還可廣泛應(yīng)用于電力、化工、制 藥、印染等表面式換熱過(guò)程，節(jié)能減排效果顯著。