|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
一種半弧形Bi2Se3超薄納米片的制備方法
本發(fā)明涉及一種半弧形Bi2Se3超薄納米片的制備方法，其具體作法是：a、配制混合溶液：分別稱量0.1-1mmol Bi(NO)3·5H2O，0.5-1.5mmol Se，1mmolNa2SO3,將其混合后放入高壓釜內襯。在高壓釜內襯中加入80mL乙醇，用玻璃棒攪拌越5min。b、水熱反應：封閉高壓釜后，將其放入箱式爐加熱至200°C，12h，待自然冷卻后取出。c、離心過濾：將b步反應后所得的溶液超聲5-8分鐘，1000轉/分離心過濾，將濾液于80℃下干燥得灰黑色產物，即為半弧形Bi2Se3超薄納米片。合成步驟少，操作簡單，目的產物物性能優(yōu)良。
西南交通大學
2016-10-20
科德勁半金屬KDJ-3B窗口對講機河南地區(qū)專供
產品詳細介紹 一.功能簡介 1.全自動雙向對講機，不用按鍵，自由交談 2.三種副機可自由選配，外型美觀 3.外話筒已置于副機內，內外只有一根連線，安裝簡捷 4.對講系統(tǒng)語音逼真、清晰，內外音量可自由調節(jié) 5.最新技術，微電腦處理電路，具靜噪功能，并徹底解決回音嘯叫問題 6.可以用在任何窗口內外交談困難的地方，適用于銀行，金融，售票窗口等不同工作環(huán)境 具有較寬的動態(tài)工作范圍，有效適應各種工作環(huán)境；超強的背景噪音抑制電路，靜態(tài)時本機無噪音； 線性音量控制功能，音量調節(jié)時無噪音；功率大，最大達8W(主機3W,付機5W)可長時連續(xù)工作；自動雙向錄音轉換 。 設計：專業(yè)窗口對講，適用服務窗口 外型:全新外觀設計，貼近客戶環(huán)境 音質：音響芯片處理，純真優(yōu)美動聽 功能：通道自動切換，監(jiān)聽語音輸出 安裝：一線轉接內外，靈活選擇整機 使用：音量獨立調節(jié)，靜音手動選擇 維護：SMD表貼元件，經久穩(wěn)定耐用 升級：不斷探索創(chuàng)新，客戶擁有信心 二.技術參數 通道控制：快速智能切換 頻率響應：主機、副機200Hz-10KHz 輸出功率：主機2W，副機2W 規(guī)格：272(L)*165（W)*120（H)mm 失 真 度：小于2% 話筒插孔：3.5雙聲道插座 監(jiān)聽插孔：3.5雙聲道插座 電源電壓：AC220V 50Hz DC12-15V 消耗功率：0.5W 中軟高科官網http://www.sfzydq.com 和www.kedejin.com 感興趣者可以聯系電話13383829331，或者QQ 2929054816
河南身份證閱讀器服務有限公司
2021-08-23
科德勁半金屬窗口對講機KDJ-3B河南廠家直供
產品詳細介紹 新型半金屬帶語音窗口對講機KDJ-3B 一.技術參數 通道控制：快速智能切換 頻率響應：主機、副機200Hz-10KHz 輸出功率：主機2W，副機2W 規(guī)格：272(L)*165（W)*120（H)mm 失 真 度：小于2% 話筒插孔：3.5雙聲道插座 監(jiān)聽插孔：3.5雙聲道插座 電源電壓：AC220V 50Hz DC12-15V 消耗功率：0.5W 二.功能簡介 1.全自動雙向對講機，不用按鍵，自由交談 2.三種副機可自由選配，外型美觀 3.外話筒已置于副機內，內外只有一根連線，安裝簡捷 4.對講系統(tǒng)語音逼真、清晰，內外音量可自由調節(jié) 5.最新技術，微電腦處理電路，具靜噪功能，并徹底解決回音嘯叫問題 6.可以用在任何窗口內外交談困難的地方，適用于銀行，金融，售票窗口等不同工作環(huán)境 具有較寬的動態(tài)工作范圍，有效適應各種工作環(huán)境；超強的背景噪音抑制電路，靜態(tài)時本機無噪音； 線性音量控制功能，音量調節(jié)時無噪音；功率大，最大達8W(主機3W,付機5W)可長時連續(xù)工作；自動雙向錄音轉換 。 設計：專業(yè)窗口對講，適用服務窗口 外型:全新外觀設計，貼近客戶環(huán)境 音質：音響芯片處理，純真優(yōu)美動聽 功能：通道自動切換，監(jiān)聽語音輸出 安裝：一線轉接內外，靈活選擇整機 使用：音量獨立調節(jié)，靜音手動選擇 維護：SMD表貼元件，經久穩(wěn)定耐用 升級：不斷探索創(chuàng)新，客戶擁有信心
河南身份證閱讀器服務有限公司
2021-08-23
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
寬禁帶半導體碳化硅(SiC)材料是第三代半導體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導率等突出優(yōu)點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發(fā)電、列車牽引設備、高壓直流輸電設備以及艦艇、飛機等軍事設備的功率電子系統(tǒng)領域。與傳統(tǒng)硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統(tǒng)，大幅度降低系統(tǒng)體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。目前基于國內工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區(qū)面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線
電子科技大學
2021-04-10
一種基于全息波導的頭戴式顯示器件
本發(fā)明公開了一種基于全息波導的頭戴式顯示器件，該器件包括入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導（５）；入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、貼附于矩形波導（５）的上表面或下表面；入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導（５）貼于上表面或下表面由出入瞳光線設計方向決定。本發(fā)明利用光瞳重塑方式解決了傳統(tǒng)二維擴瞳方式產生的大視場角情況下的視場分離。
東南大學
2021-04-11
高溫壓電振動能量回收器件和高溫驅動器
傳統(tǒng)PZT壓電陶瓷應用廣泛，但在居里溫度較低，環(huán)境溫度較高時，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應用范圍的進一步拓展，一些極端條件對壓電陶瓷的應用提出了新的挑戰(zhàn)。北京大學工學院實驗室利用高居里點的鈧酸鉍-鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于d31模式和d33模式的應用于高溫環(huán)境中的壓電振動能量回收器，器件可以穩(wěn)定地工作在150℃以上的高溫環(huán)境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數和相應的輸出功率比室溫時提高一倍以上。 與壓電能量回收器不同的是，壓電驅動器是一種利用壓電效應，將電能轉化為機械能實現納米級驅動的器件，壓電驅動器利用壓電材料的準靜態(tài)逆壓電效應實現10微米至100微米的微小位移；同時，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動效應制備高溫壓電馬達。
北京大學
2021-02-01
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。
電子科技大學
2021-04-10
磁流體熱磁對流在電子器件散熱中的應用
項目概況 針對小型化、集成化、高頻率和高運算速度的電子器件，應用磁流體的熱磁對流效應，把磁流體作為新一代高效傳熱冷卻技術用于高密度高功率電子器件設備中。 主要特點 1. 選擇合適的外加磁場和屏蔽技術。 2．溫度區(qū)內磁場梯度條件和粒子濃度的準確控制 3．磁流體微型熱管散熱過程的磁場的準確定位。 技術指標 建立適合電子器件密集環(huán)境下適用磁流體散熱技術及相應的磁場條件和屏蔽技術，提高了磁流體在磁場、熱場和重力場協(xié)同作用下的流動傳熱效果。促進節(jié)能環(huán)保技術的發(fā)展，達到節(jié)能減排的綠色材料應用。市場前景 目前該項目已通過現場的工業(yè)化證明，散熱效果好，能達到電子器件冷卻要求，滿足工業(yè)生產的需求，在生產過程中無污染，無三廢排放。該項目可應用于高密度、高功率電子器件密集環(huán)境下的散熱設備中，具有較好的經濟效益和社會效益。
南京工程學院
2021-04-11
基于超陡擺幅器件的極低功耗物聯網芯片
隨著集成電路的發(fā)展，功耗問題越來越成為制約的瓶頸問題。特別是在即將到來的萬物互聯智能時代，物聯網、生物醫(yī)療、可穿戴設備和人工智能等新興領域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態(tài)功耗。面向未來龐大的物聯網節(jié)點應用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來越多的關注。受玻爾茲曼限制，傳統(tǒng)晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關鍵因素，基于傳統(tǒng)CMOS晶體管的集成電路已經無法滿足物聯網節(jié)點等對極低功耗的需求。 本項目基于標準CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進一步研發(fā)具有極低功耗的物聯網節(jié)點芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統(tǒng)晶體管的量子帶帶隧穿機制，可突破亞閾擺幅極限，同時獲得比傳統(tǒng)晶體管低2個量級以上的關態(tài)電流性能，具備極其優(yōu)越的低靜態(tài)功耗性能。通過超陡亞閾擺幅器件及電路技術的研究和突破，可促進我國物聯網芯片產業(yè)的發(fā)展，顯著提高物聯網節(jié)點的工作時間，具有重要的應用價值。
北京大學
2021-02-01
基于閃蒸噴霧的大功率電子器件冷卻系統(tǒng)
隨著電子技術的不斷發(fā)展，電子器件和芯片性能的提高帶來電路及其芯片的散熱問題日益突出。研究表明：電子器件工作溫度在70～80℃水平時，每增加1℃，其可靠性就降低5%。同時由于芯片的不斷集成化和微型化，導致散熱量的迅速增加，傳統(tǒng)的冷卻技術已經不能滿足散熱要求。本技術開發(fā)了一種制冷劑閃蒸噴霧高效冷卻循環(huán)系統(tǒng)，利用閃蒸霧化和相變傳熱技術，實現了低溫高效換熱，傳熱系數高達26533W/(m2·K)，表面溫度在低于60攝氏度熱流密度即可超過100W/cm2（而常規(guī)水冷條件下元器件表面溫度超過150攝氏度）。
西安交通大學
2021-04-11