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PC燈罩、led日光燈透明罩
產品詳細介紹PC燈罩、led燈罩、pc罩、led日光燈罩、led日光燈pc罩第一品牌振興塑業，現產PC燈罩、led燈罩、pc罩、led日光燈罩、PC透明罩、pc條紋罩、t8透明罩、t5透明罩、t10透明罩、led日光燈pc罩品種繁多，常用品種包括日光燈罩、磨砂罩、t8燈罩、t8塑料燈罩、t5燈罩、t10燈罩、磨砂燈罩、光擴散劑燈罩、led pc罩、日光燈pc罩、光擴散pc罩、led燈pc罩、led日光燈pc燈罩、led日光燈管pc罩、光擴散pc燈罩、T8擴散罩、t5擴散罩、T10擴散罩、led擴散罩、PC擴散罩、透明罩、透明條紋罩、t8透明罩、t8條紋罩、t5透明罩、t5條紋罩、t10透明罩、t10條紋罩、led透明罩、led條紋罩等等。一般稱為led日光燈面罩、pc面罩、led日光燈透明罩、led日光燈條紋罩、led日光燈半圓罩、pc半圓罩、led日光燈擴散罩、日光燈擴散罩等等，按尺寸可分為t4燈罩、t6燈罩、鋁塑燈罩、t8pc燈罩、t5pc燈罩、t10pc燈罩、t8pc罩、t5pc罩、t10pc罩、t8面罩、t5面罩、t10面罩、t8半罩、t5半罩、t10半罩等等。按外觀可以分為鋁塑pc罩、磨砂pc罩、光擴散罩、燈罩、日光燈pc燈罩、磨砂pc燈罩、磨砂面罩、半罩、led日光燈半罩、pc半罩等等。振興塑業，下轄塑機和塑膠兩個分廠，塑膠分廠使用塑機分廠自產的10條PC管材擠押生產線，自有大型模具車間開發模具。機械塑膠模具三位一體，行內獨例，技術力量雄冠業內。歡迎登錄我司頁面，詳細了解pc管相關介紹和庫存情況。為適應日光燈市場，我司創新推出各種新型PC燈管（包括雙色PC管、磨砂PC管、噴砂PC管、光擴散PC管等等）。產品透光率高，無光斑、暗影，混光效果優秀，材質防老化，抗紫外線（UV），耐高壓，還同時具備阻燃V0效果。 振興塑業是國內生產LED燈管用PC管材規模最大的廠家，我司生產的LED燈管表面透光率高達93，主要品種有T10LED燈管（32mm)、T8LED燈管(30mm)、T6LED燈管(26mm)、T5LED燈管(15mm)等，選用PC或PMMA透明材料，以制成表面特征，又可以分為透明LED燈管、條紋LED燈管、乳白LED燈管、磨砂LED燈管、光擴散LED燈管、雙色LED燈管等，內部可制作各種線路板卡槽。
廣東（港惠）振興塑膠機械有限公司
2021-08-23
低成本功能性多孔有機聚合物
成熟度：技術突破
多孔有機聚合物是一類新興的功能性高分子材料，相比傳統高分子交聯樹脂，其具有類似無機分子篩的微孔，具有更高的官能團密度，已被廣泛用于儲存、分離或催化等領域。然而當前許多性能優良的多孔有機聚合物成本過高，嚴重制約著其實際應用。我們合成的價格低廉且性能優秀的多孔有機聚合物，其性能與當前典型多孔有機聚合物相當，而價格為它們的幾十分之一或幾百分之一，目前在儲存氨氣、分離二氧化碳及分離水中污染物（如硼酸，Hg2+等）等方面已完成實驗室測試，這些成果將為多孔有機聚合物的真正應用打開通道。
意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持
東北師范大學
2025-05-16
芯片熱設計自動化系統
TDA（芯片熱設計自動化）軟件是清華航院曹炳陽教授團隊全自主研發的國際首個芯片跨尺度熱仿真與設計系統。TDA軟件可實現芯片從納米至宏觀尺寸的熱設計與仿真，支持芯片微納結構內部熱輸運過程的模擬研究，直接提高芯片熱仿真精度與結溫預測準確度，進而提高芯片性能、壽命和可靠性。
清華大學
2025-05-16
大尺寸多頻段應用BiLuIG單晶薄膜材料
本項目屬于電子信息功能材料技術領域。 特色及先進性：為了實現同一種單晶薄膜即可應用于磁光器件，又可應用于微波器件中，本項目提出了鉍镥鐵石榴石（BiLuIG）薄膜的設計體系，為了使其同時具有良好的磁光和微波特性，本項目很好的根據晶格匹配原則設計了材料配方，并選用無鉛液相外延技術，大大提高了薄膜的性能。本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。研究內容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方設計研究：基于四能級躍遷模型，并結合離子替代規律和多離子摻雜技術，尋找最佳配方；（2）液相外延單晶薄膜材料的工藝技術研究：包括薄膜均勻性、缺陷控制、無鉛配方、生長速率和薄膜鏡面條件控制等；（3）材料在器件中的驗證研究，設計制備平面波導型磁光開關對材料磁光性能的驗證。 技術指標：（1）建成了我國第一條大尺寸磁光單晶薄膜液相外延的生產線，最大尺寸達到3英寸，單面薄膜厚度達到1μm－20μm。（2）單晶薄膜具體微波和磁光參數：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了進行單晶薄膜材料在磁光和微波器件中的設計、制備和測試工作。 促進科技進步作用意義：本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關器件研究上的瓶頸技術，獲得了高法拉第效應和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。該項目研制的材料已提供給中電集團41所、美國Delaware大學、天津大學、中國工程物理研究院、深圳市通能達電子科技有限公司（中電九所下屬）、陜西金山電器有限公司（4390廠）等單位使用，并為中電集團9所、33所等單位提供批量樣品，用于制備磁光和微波器件，受到好評。
電子科技大學
2021-04-10
大尺寸多頻段應用BiLuIG單晶薄膜材料
本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。
電子科技大學
2021-04-10
一種基于紅外成像的薄膜測厚儀
本發明公開了一種基于紅外成像的薄膜測厚儀，包括光源、準直透鏡、分光棱鏡、參考路散射玻璃、參考路紅外濾光片、參考路反 射鏡、測量路散射玻璃、測量路紅外濾光片、測量路反射鏡、半透半 反分光鏡、成像透鏡、CCD；測量時參考物經反射鏡、分光鏡和成像 透鏡成像到 CCD 光敏面，被測物經反射鏡和成像透鏡也成像到 CCD 光敏面，CCD 將圖像傳送至計算機，經圖像處理后根據圖像的灰度值 求得被測物的厚度；如此形成雙光路測量系統，避免了光源光強變化 的影響；使用散射光透射成像的測量體系，避免了傳統紅外測厚裝置 中存在的干涉影響；設置具有多個局部標準厚度的參考物，該裝置可 以獲取參考物各個局部標準厚度，從而能夠更加精確地測量薄膜厚度。
華中科技大學
2021-04-11
薄膜蒸發與精餾耦合分離技術及設備
柔性智能互動終端的關鍵材料與傳感器件是實現物聯網技術革命的重要技術，柔性透明導電薄膜為其 中不可取代的關鍵元件。本團隊在前期工作中針對納米銀線透明導電薄膜進行了系統的研究，包含材料合 成、導電墨水配方調制、大面積卷對卷制程工藝和柔性觸控樣機制備，已經初步建立起一條從材料、工藝 到器件應用的產學模式；并做了一系列十余項的專利布局（發明專利12篇，授權專利6篇）。其采用的技 術方法如下： （1）低成本的表面圖形化工藝。包含基于光酸顯影的可圖形化配方調制、基于表面能差異化驅動的 自組裝電極圖形化，相比較于傳統的激光、黃光刻蝕，溶液態的圖形化方式成本更低，同時可保證滿足柔 性觸控傳感器的線寬/線距要求； （2）高穩定性的納米銀導電薄膜。基于單分子緩蝕劑修飾的納米銀線穩定性提升方案，相較于業界 傳統的單級分子蒸餾存在分離效率不高、能耗 較大和成本較高等問題，而常規精餾方法又會使某 些活性組分發生熱變質或分解能等不足。薄膜蒸發 與精餾是一種特殊的液－液分離技術，本技術成果 將薄膜蒸發的高效蒸發性與精密精餾的高分離度融 合于一臺完整的設備中，既可避免熱敏性物質長期 暴露于加熱器內，又可使各組分通過
中山大學
2021-04-10
透明防偽包裝薄膜—透明激光全息防偽膜
該成果是原有的鋁反射激光全息防偽末的升級替換品。這種薄膜結構簡單，僅有信 息層和基底層兩層組成。全息圖像以激光全息技術拍攝并用激光雕刻和電鑄手段，以光 柵條紋的形式復制到鎳質金屬模版上。以金屬模版熱壓氣凝膠或有機高聚物聚氨酯涂層， 形成承載全息圖像的信息層，可在薄膜上再現全息圖像。
同濟大學
2021-04-11
太陽電池用ZAO透明導電薄膜
透明導電氧化物薄膜具有良好的導電性能和透光性能，廣泛應用于平面液晶顯示（LCD）、電致發光顯示（ELD）、等離子體顯示（PD）以及太陽能電池、熱鏡、電磁屏蔽等。在相當一段時間內, In2O3：Sn (ITO) 薄膜作為一種典型的透明導電氧化物薄膜得到了極廣泛的應用，但ITO 薄膜中的銦有毒，在制造和應用中對人體有害；ITO 中的In2O3 的價格昂貴,成本較高， ITO 薄膜易受氫等離子體的還原作用，這些缺點在很大程度上限制了ITO 薄膜的研究和應用。新型透明導電ZnO :Al (AZO) 薄膜中的ZnO 價格便宜,來源豐富,無毒,并且在氫等離子中穩定性要優于ITO，在很多領域特別是太陽電池領域具有逐步取代ITO薄膜的趨勢。本產品是多層ZAO透明導電膜，具有透過率高和電阻率低的優點，而且非常適合制備絨面，可作為陷波結構應用于薄膜太陽能電池中。 透明導電膜的主要性能指標有兩個：透過率和方阻。產業化對透明導電膜透過率的要求一般要達到80%以上，南韓的Ｗｏｏｎ－ＪｏＪｅｏｎｇ制備的ZAO膜在可見光區域的平均透過率大于９５％，是國際最高水平。國外科研人員制備的ZAO透明導電膜室溫電阻率最低可達3×10-4Ω·cm，方塊電阻最低可達3Ω/□。國內制備的ZAO透明導電膜一般平均透過率約為80%，電阻率在10-3數量級。 本產品具體性能指標是：透過率＞85%，方阻<50Ω/□。 太陽電池是正在蓬勃發展的產業。國務院剛剛頒布的《可再生能源中長期發展規劃》中明確提出：到2010年，太陽能發電總容量達到30萬千瓦，其中全國將建成1000個屋頂光伏發電項目，總容量5萬千瓦，大型并網光伏電站總容量2萬千瓦；到2020年，太陽能發電總容量達到180萬千瓦，其中全國建成2萬個屋頂光伏發電項目，總容量100萬千瓦，太陽能光伏電站總容量將達到20萬千瓦；另外，光伏發電在通訊、氣象、長距離管線、鐵路、公路等領域的應用，計劃到2010年也將累計達到3萬千瓦，到2020年將達到10萬千瓦。而全球太陽能光伏市場將從2000年的10億美元到2015年擴大到1500億美元。透明導電薄膜是太陽電池中關鍵的薄膜，需求巨大。
上海理工大學
2021-04-11
全透明薄膜晶體管及其電路
薄膜晶體管（thin film transistor, TFT）本質上是一種場效應晶體管，其電性質與傳統的MOS場效應管一樣，都是利用垂直于導電溝道的電場強度來控制溝道的導電能力來實現系統放大，這被稱為電導率調制或場效應原理。同時它也是良好的開關元件，當柵源電壓小于閾值電壓時器件截止，反之導通。場效應管是通過改變輸入電壓來控制輸出電流的，它是電壓控制器件，不吸收信號源電流，不消耗信號源功率，因此它的輸入阻抗很高，它還具有很好的溫度特性、抗干擾能力強、便于集成等優點。 與硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁帶寬度大、透明等優異的半導體特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成為平板顯示器件的像素開關。若使用ZnO-TFT作為有源矩陣驅動的開關元件有以下明顯優勢： (1) ZnO為寬禁帶半導體材料，可以避免可見光照射對器件性能的影響，保證顯示器的清晰度不受太陽光照的影響； (2) 提高開口率，提高顯示器的亮度，進而可以降低功耗； (3) 如果存儲電容也用透明材料制備，制備全透明顯示器件便成為可能； (4) 對襯底要求不高。ZnO薄膜的生長溫度較低，即使室溫條件下也可以生長高質量ZnO薄膜，因此襯底可以選擇廉價的玻璃或者柔韌性塑料等，這又是柔性顯示器成為可能； (5) ZnO具有很好的載流子遷移率，使得ZnO-TFT既具有很高的開態電流，又有效的抑制關態電流的增加；研究ZnO-TFT的另一個重要意義在于推動透明電子學的研究。ZnO-TFT的實現對透明電子學來說是一個富有成效的進展，具有里程碑的意義，為制造透明電路和系統創造了條件。
大連理工大學
2021-04-13