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本發(fā)明公開了一種用于單向活動(dòng)支座安裝方向錯(cuò)誤處治的限位裝置與方法。本發(fā)明的方法包括步驟1：切除原單向活動(dòng)支座限位板，解除原單向活動(dòng)支座錯(cuò)誤方向的約束；步驟2：根據(jù)限位裝置上的錨栓孔位在墩頂面以及原單向活動(dòng)支座墊石側(cè)面鉆孔用于安置錨固螺栓，將所述限位裝置的上鋼板與原單向活動(dòng)支座的上鋼板頂緊，下鋼板與墩頂面密貼，中間鋼板在原單向活動(dòng)支座墊石高度范圍內(nèi)與原單向活動(dòng)支座墊石側(cè)面密貼；步驟3：限位裝置下鋼板與墩頂面混凝土接觸面、中間鋼板與原單向活動(dòng)支座墊石側(cè)面混凝土接觸面采用結(jié)構(gòu)膠調(diào)整平整度。本發(fā)明可以節(jié)省大量的支座更換設(shè)計(jì)、施工、監(jiān)控等費(fèi)用，而且避免了頂升施工的施工風(fēng)險(xiǎn)，且對(duì)橋面交通沒有任何影響。

項(xiàng)目概況 針對(duì)小型化、集成化、高頻率和高運(yùn)算速度的電子器件，應(yīng)用磁流體的熱磁對(duì)流效應(yīng)，把磁流體作為新一代高效傳熱冷卻技術(shù)用于高密度高功率電子器件設(shè)備中。 主要特點(diǎn) 1. 選擇合適的外加磁場(chǎng)和屏蔽技術(shù)。 2．溫度區(qū)內(nèi)磁場(chǎng)梯度條件和粒子濃度的準(zhǔn)確控制 3．磁流體微型熱管散熱過程的磁場(chǎng)的準(zhǔn)確定位。 技術(shù)指標(biāo)     建立適合電子器件密集環(huán)境下適用磁流體散熱技術(shù)及相應(yīng)的磁場(chǎng)條件和屏蔽技術(shù)，提高了磁流體在磁場(chǎng)、熱場(chǎng)和重力場(chǎng)協(xié)同作用下的流動(dòng)傳熱效果。促進(jìn)節(jié)能環(huán)保技術(shù)的發(fā)展，達(dá)到節(jié)能減排的綠色材料應(yīng)用。市場(chǎng)前景 目前該項(xiàng)目已通過現(xiàn)場(chǎng)的工業(yè)化證明，散熱效果好，能達(dá)到電子器件冷卻要求，滿足工業(yè)生產(chǎn)的需求，在生產(chǎn)過程中無污染，無三廢排放。該項(xiàng)目可應(yīng)用于高密度、高功率電子器件密集環(huán)境下的散熱設(shè)備中，具有較好的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。

主要關(guān)鍵技術(shù)：①中藥有效活性成分分離提取技術(shù) 本項(xiàng)目所選用的中藥的有效成分基本已明確。在我們實(shí)驗(yàn)室工作的基礎(chǔ)上，應(yīng)用現(xiàn)代生物提取分離技術(shù)，將進(jìn)行充分研究，解決高效、經(jīng)濟(jì)、適合工業(yè)生產(chǎn)的有關(guān)中藥有效成分的分離提取制備技術(shù)，其主要工藝流程如下： a、黃酮類物質(zhì)的提取分離技術(shù) 中藥原材料→破碎→熱水提取或石油醚回流浸提→濾過→濃縮→醇提→回收溶劑→黃酮粗提液→浸膏 經(jīng)藥理學(xué)檢驗(yàn)，如需要可將黃酮粗提液進(jìn)一步分離制備： 黃酮粗提液→上樹脂柱→水洗至無色→乙醇洗胱→減壓濃縮→黃酮精制液→成品。 b、皂苷類的提取分離技術(shù) 中藥原材料→破碎→石油醚脫去脂質(zhì)和蠟質(zhì)→醇提→濃縮→大孔樹脂過濾→水洗去除糖分和水溶性成分→乙醇洗脫→減壓濃縮→較純的精制皂苷。 c、多糖成分的提取分離技術(shù) 中藥原材料→烘干→粉碎→脫脂→脫單糖及低聚糖→熱水提取→乙醇沉淀→冷凍干燥→多糖粗制品。 經(jīng)藥理學(xué)檢驗(yàn)，如需要可將粗制多糖進(jìn)一步分離制備： 多糖粗制品→脫蛋白→脫色→柱分離→純化→濃縮→脫鹽→干燥→多糖精品。 ② 成品制造技術(shù) 本項(xiàng)目產(chǎn)品按營養(yǎng)素和中藥制劑二部分分別生產(chǎn)包裝。使用時(shí)再合用。營養(yǎng)素部分按其配方用西藥常規(guī)技術(shù)生產(chǎn)片劑。 中藥部分依據(jù)中藥配伍原則和本產(chǎn)品所要求達(dá)到的功效研制成新的配方，并制備成口服液，其制作工藝流程如下： 按配方混合各中藥提取物→調(diào)配→罐裝→殺菌→包裝 此外，依據(jù)市場(chǎng)開發(fā)的需要，利用藥品制造中先進(jìn)的微膠囊技術(shù)也可將中藥部分改制成膠囊。 ③ 質(zhì)量控制標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù) 為保證本產(chǎn)品的制造質(zhì)量穩(wěn)定、功效明確、便于拓展市場(chǎng)、依據(jù)第三代中藥保健食品的要求，制定生產(chǎn)質(zhì)量控制標(biāo)準(zhǔn)化的有關(guān)參數(shù)。明確產(chǎn)品中起主要功效的有關(guān)活性成分的含量，并且本產(chǎn)品的質(zhì)量符合同類產(chǎn)品的國家標(biāo)準(zhǔn)。

硅烷偶聯(lián)劑是一類重要的、應(yīng)用日漸廣泛的處理劑，它最初用來處理玻璃表面，隨著化工產(chǎn)品的不斷發(fā)展，逐漸在各個(gè)領(lǐng)域獲得應(yīng)用。在化學(xué)工業(yè)上，最常用于無機(jī)材料和有機(jī)材料的表面處理。3-異氰酸酯丙基三乙氧基硅烷是硅烷偶聯(lián)劑中的一種，異氰酸酯能與羥基、氨基反應(yīng)，用于一些有機(jī)材料中，能起偶聯(lián)作用，并對(duì)無機(jī)材料有優(yōu)異的附著力。目前世界上只有美國和日本生產(chǎn)這種偶聯(lián)劑，價(jià)格昂貴。我國主要從日本進(jìn)口，每公斤售價(jià)在一千元以上，附加值高。從國外的專利文獻(xiàn)來看，現(xiàn)這種偶聯(lián)劑主要是通過3-氨基丙基三乙氧基硅烷與光氣的反應(yīng)來制備。光氣是一種劇毒氣體，使用不便。固體光氣是一種理想的光氣的替代品，而且我國有多家廠家生產(chǎn)，價(jià)格便宜。我們研究了用固體光氣生產(chǎn)3-氨基丙基三乙氧基硅烷，進(jìn)行了小試。所合成的產(chǎn)品在外觀和性質(zhì)上與國外進(jìn)口產(chǎn)品一致。合成3-氨基丙基三乙氧基硅烷所需的原料便宜，它的附加值高是因?yàn)樵谏a(chǎn)過程中有較高的技術(shù)要求。所以，這種產(chǎn)品適合作為高新技術(shù)開發(fā)的產(chǎn)品。

近幾年，硅基集成電路的速度遭遇瓶頸、停滯不前，解決的辦法之一是引入光子學(xué)器件，部分取代電子學(xué)集成電路中的信號(hào)處理和互聯(lián)器件，這就要求光子學(xué)器件具有像電子學(xué)集成那樣的小尺度和三維集成能力，同時(shí)具有和電子學(xué)集成兼容的制備工藝。這些要求使得光電混合集成面臨巨大的挑戰(zhàn)，是一個(gè)世界性的難題。 光學(xué)所張家森教授團(tuán)隊(duì)與信息科學(xué)學(xué)院彭練矛教授團(tuán)隊(duì)合作，提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統(tǒng)，該系統(tǒng)與現(xiàn)有的COMS制備工藝兼容，可以實(shí)現(xiàn)光子學(xué)和電子學(xué)的三維集成和互聯(lián)，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長(zhǎng)和偏振復(fù)用回路和具有COMS信號(hào)處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學(xué)模塊、電子學(xué)信號(hào)處理系統(tǒng)和存儲(chǔ)系統(tǒng)；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學(xué)集成和電子學(xué)集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學(xué)器件尺度可以和電子學(xué)器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個(gè)通訊波段，這是硅材料無法做到的；5. 光電探測(cè)器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實(shí)現(xiàn)三維光電混合集成，可以實(shí)現(xiàn)更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時(shí)，有可能解決電子學(xué)集成回路在速度上的瓶頸。 上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果近期發(fā)表于最新一期《自然 電子學(xué)》雜志。 相關(guān)文獻(xiàn)：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

北京大學(xué)量子材料中心王健研究組與合作者在鈦酸鍶（SrTiO3）襯底上外延生長(zhǎng)的單原胞層厚（0.55 nm）鐵硒（FeSe）薄膜中觀測(cè)到了具有磁激發(fā)跡象的玻色模式和強(qiáng)非磁性雜質(zhì)誘導(dǎo)的準(zhǔn)粒子束縛態(tài)。兩項(xiàng)發(fā)現(xiàn)為超導(dǎo)機(jī)制備受爭(zhēng)議的單原胞層鐵硒薄膜提供了異號(hào)配對(duì)的重要實(shí)驗(yàn)證據(jù)，表明在該體系中盡管界面電–聲耦合被認(rèn)為可以增強(qiáng)超導(dǎo)特性，自旋漲落對(duì)于庫珀對(duì)的配對(duì)有著不可忽略的作用，或?qū)﹁F基高溫超導(dǎo)機(jī)理的統(tǒng)一理解提供重要參考。 提升超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度和理解庫珀配對(duì)機(jī)制是超導(dǎo)領(lǐng)域兩個(gè)最重要的研究方向。在以往的鐵基超導(dǎo)研究中，基于電子–空穴費(fèi)米口袋嵌套的s±波配對(duì)被廣泛接受。然而對(duì)于AxFe2?ySe2 (A = K, Rb, Cs, Tl)、(Li1?xFex)OHFe1?ySe，尤其是單原胞層 FeSe/SrTiO3等一系列重電子摻雜鐵硒化合物，重電子摻雜會(huì)導(dǎo)致費(fèi)米能級(jí)上移，進(jìn)而導(dǎo)致布里淵區(qū)中心Γ點(diǎn)的空穴費(fèi)米口袋降至費(fèi)米能級(jí)以下，使得電子–空穴費(fèi)米口袋嵌套理論失效。因而，鐵基超導(dǎo)中的s±配對(duì)圖像受到嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。 鈦酸鍶襯底上外延生長(zhǎng)的鐵硒薄膜具有鐵基超導(dǎo)家族最簡(jiǎn)單的分子結(jié)構(gòu)和最高的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度（能隙閉合溫度的典型值為65 K），自2012年被清華大學(xué)薛其坤團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)以來在國際凝聚態(tài)物理領(lǐng)域掀起了研究熱潮。前期，北京大學(xué)王健研究組與薛其坤研究組合作采用電輸運(yùn)和抗磁性測(cè)量首次報(bào)道了單層鐵硒中高溫超導(dǎo)的直接證據(jù)（Chin. Phys. Lett. 31, 017401 (2014)，被Science編輯選擇文章Science 343, 230 (2014)報(bào)道）。然而，其中的超導(dǎo)配對(duì)機(jī)制，一直存在爭(zhēng)議，始終懸而未決。 為了揭示單層鐵硒中的超導(dǎo)配對(duì)機(jī)制，王健研究組開展了一系列系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)中的單層鐵硒超薄膜采用分子束外延技術(shù)生長(zhǎng)于鈦酸鍶襯底。通過原位超高真空（~10?10 mbar）原位掃描隧道譜探測(cè)，研究組發(fā)現(xiàn)超導(dǎo)能隙外存在由電子–玻色子耦合導(dǎo)致的鼓包（hump）結(jié)構(gòu)。系統(tǒng)的掃描隧道譜實(shí)驗(yàn)揭示以該鼓包為特征的玻色模式更接近磁激發(fā)信號(hào)（圖1），極有可能是充當(dāng)配對(duì)媒介、且連接布里淵區(qū)近鄰角落（M點(diǎn)）電子費(fèi)米口袋的(π,π)自旋漲落。超導(dǎo)序參量作為復(fù)數(shù)，其在費(fèi)米面上的分布存在同相位（保號(hào)：sign-preserving）與反相位（異號(hào)：sign-reversing）兩種情形。雜質(zhì)散射作為一種相位敏感技術(shù)，已廣泛應(yīng)用于以往超導(dǎo)配對(duì)研究。其中非磁性雜質(zhì)尤為特殊，其選擇性地局域破壞s±波、d波等異號(hào)配對(duì)，實(shí)驗(yàn)上表現(xiàn)為誘導(dǎo)超導(dǎo)能隙內(nèi)的束縛態(tài)，而對(duì)傳統(tǒng)保號(hào)s波配對(duì)無明顯效應(yīng)，因此可用于區(qū)分異號(hào)和保號(hào)配對(duì)圖像。王健研究組采用沉積于單層鐵硒表面的強(qiáng)非磁性雜質(zhì)鉛（Pb）吸附原子作為散射中心，實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)相對(duì)于正常超導(dǎo)譜形，鉛原子在超導(dǎo)帶隙邊界附近誘導(dǎo)出電子型譜權(quán)重增強(qiáng)，同時(shí)超導(dǎo)能隙減弱（圖2）。該特征是‘隱’束縛態(tài)的典型信號(hào)。系統(tǒng)的勢(shì)散射強(qiáng)度調(diào)節(jié)（圖2(d)）等實(shí)驗(yàn)也印證了這一觀點(diǎn)，有力地說明單層鐵硒超導(dǎo)能隙函數(shù)存在異號(hào)。同時(shí)，基于異號(hào)配對(duì)圖像，如擴(kuò)展s±波（圖2(e)），南京大學(xué)王強(qiáng)華教授與南京師范大學(xué)高繹教授理論上定性復(fù)現(xiàn)了非磁性雜質(zhì)誘導(dǎo)的超導(dǎo)譜形重構(gòu)。上述的玻色模式與非磁雜質(zhì)散射兩項(xiàng)研究成果一致支持單層鐵硒中存在以自旋漲落為媒介的異號(hào)配對(duì)，為最終澄清單層鐵硒的界面高溫超導(dǎo)機(jī)制奠定了重要基礎(chǔ)，同時(shí)也預(yù)示具有不同費(fèi)米面構(gòu)型的鐵基高溫超導(dǎo)體或存在統(tǒng)一解釋。圖1. 單原胞層 FeSe中具有磁激發(fā)跡象的玻色模式。(a) 單原胞層 FeSe的掃描隧穿譜，顯示超導(dǎo)能隙外由電子–玻色子耦合導(dǎo)致的鼓包結(jié)構(gòu)；(b) Ω/2Δ1與Δ1的統(tǒng)計(jì)負(fù)關(guān)聯(lián)（Ω：玻色模式能量；Δ1：內(nèi)超導(dǎo)能隙）。圖2. 單原胞層 FeSe中強(qiáng)非磁性雜質(zhì)誘導(dǎo)的準(zhǔn)粒子束縛態(tài)。(a) Pb吸附原子的STM形貌圖；(b) Pb吸附原子和正常單原胞層 FeSe的掃描隧穿譜，顯示9.5 mV處存在‘隱’束縛態(tài)；(c) 跨Pb吸附原子的掃描隧穿線譜；(d) 101組Pb吸附原子掃描隧穿譜（黑實(shí)線下方）與無吸附原子時(shí)的掃描隧穿譜（黑實(shí)線上方）對(duì)比；(c) 擴(kuò)展s±波圖像下非磁性雜質(zhì)的模擬局域態(tài)密度譜。 兩項(xiàng)工作分別于2019年5月22日和2019年7月15日發(fā)表于Nano Letters（Nano Lett. 19, 3464?3472 (2019)）、Physical Review Letters（Phys. Rev. Lett. 123, 036801 (2019)）。論文鏈接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.9b00144、https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.123.036801。 其中Nano Letters文章北京大學(xué)博士生劉超飛為第一作者，北京大學(xué)王健教授為通訊作者；Physical Review Letters文章，北京大學(xué)博士生劉超飛、王子喬和南京師范大學(xué)高繹教授為共同第一作者，北京大學(xué)王健教授和南京大學(xué)王強(qiáng)華教授為共同通訊作者。 以上工作得到了國家自然科學(xué)基金、國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、量子物質(zhì)科學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心、中科院卓越創(chuàng)新中心、北京市自然科學(xué)基金、江蘇省自然科學(xué)基金等經(jīng)費(fèi)的支持。王健特別感謝謝心澄、王垡、徐莉梅、任澤峰以及量子物質(zhì)科學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心在北大超高真空分子束外延與低溫掃描隧道顯微鏡實(shí)驗(yàn)室搭建過程中給予的支持。

開發(fā)前景及產(chǎn)業(yè)化效益分析：隨著介入診療技術(shù)的發(fā)展，介入性診療器材 產(chǎn)業(yè)作為新興的醫(yī)療器材產(chǎn)業(yè)也迅速發(fā)展壯大，以每年25%以上的速度增長(zhǎng)， 到2015年，預(yù)計(jì)將達(dá)到300-400億元。其中冠脈支架增長(zhǎng)速度達(dá)到45%左右， 其市場(chǎng)規(guī)模占介入診療器材產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值的60%。 然而，國產(chǎn)支架自主產(chǎn)權(quán)的缺乏，使之在國際市場(chǎng)時(shí)常受到專利侵權(quán)的陰影。 所以亟待開發(fā)具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的，療效更加優(yōu)良的血管內(nèi)支架。本項(xiàng)目 系列支架產(chǎn)品，可稱為內(nèi)皮“友好型"血管支架克服現(xiàn)有支架的缺陷，消除平 滑肌細(xì)施增生，減少不可降解的聚合物產(chǎn)生的炎癥，減少血管內(nèi)再狹窄。

針對(duì)病毒結(jié)構(gòu)多樣、快速變異的特征，周德敏課題組建立了病毒轉(zhuǎn)化為活疫苗的通用方法：在保留病毒感染情況下，突變其一個(gè)三聯(lián)碼為終止密碼，病毒就變?yōu)轭A(yù)防性疫苗，突變多個(gè)三聯(lián)碼病毒 就變?yōu)橹委熜运幬铮嵏膊《疽呙缪邪l(fā)理念。

該成果提出了"黑盒"式互操作方法和技術(shù)，顛覆了傳統(tǒng)"白盒"路線，將信息孤島開放效率平均提升2個(gè)數(shù)量級(jí)，應(yīng)用于國家大數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、國家安全和國防等重大工程，成為支撐我國大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)生態(tài)發(fā)展的一項(xiàng)共性關(guān)鍵技術(shù)。

《先進(jìn)高折射高色散透明陶瓷的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化》，現(xiàn)階段成熟產(chǎn)品為：微晶/多晶藍(lán)寶石陶瓷材料，主要用于高檔珠寶和飾品行業(yè)，其基本特點(diǎn)包括折射率n≥1.76，硬度≥9，半透明或微透明，外觀色澤類似翡翠和玉，可耐1200℃高溫而無損。在天然翡翠等玉石資源日趨枯竭，價(jià)格不斷上揚(yáng)的背景下，這種以藍(lán)寶石材料為基通過高溫工藝制備而成的新型珠寶材料具有廣泛的市場(chǎng)前景。 透明陶瓷是現(xiàn)代無機(jī)材料發(fā)展的最前沿領(lǐng)域，通常用于激光光學(xué)、發(fā)光材料等方面，如何將原本不透明的陶瓷透明化，是技術(shù)難點(diǎn)，目前國外尚未有將透明陶瓷反向微透明化用作珠寶飾品行業(yè)的報(bào)道，原因在于只有東方才有獨(dú)特的朦朧審美觀和玉文化，因此本項(xiàng)目處于較為領(lǐng)先的階段。