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格柵類主推款-格柵防眩 高顯指 背亮補光 恒定照度 專業護眼 權威認證 無藍光頻閃危害 項目 星奧全護眼LED教室燈 國家標準GB7793-2010 功率36w 參數 中小學學校教室采光和照明衛生標準 教室照度（E） 417LX 優于國標 ≥300LX 教室照度均勻度（Uo） 0.8 專業照明設計 ≥0.7 黑白照度（E） 639.3LX 優于國標 ≥500LX 黑板照度均勻度（Uo） 0.81 專業照明設計 ≥0.8 眩光（UGR） 15.9 無眩光危害 ＜19 光頻閃（波動深度） ≤3.2% 無光頻閃危害 —— 顯色指數 ≥90 色彩還原能力強 ≥80 色溫（Tc） 4500K/5500k(可定制） 光線柔和 3300K-5500K 使用壽命 質保三年 壽命長 —— 總功率（P） 450W 消耗功率低 —— 年耗電量（Q） 720度 耗電量低 ——

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 微晶類主推款-微晶防眩 直下式發光設計 項目 星奧全護眼LED教室燈 國家標準GB7793-2010 功率36w 參數 中小學學校教室采光和照明衛生標準 教室照度（E） 417LX 優于國標 ≥300LX 教室照度均勻度（Uo） 0.8 專業照明設計 ≥0.7 黑白照度（E） 639.3LX 優于國標 ≥500LX 黑板照度均勻度（Uo） 0.81 專業照明設計 ≥0.8 眩光（UGR） 15.9 無眩光危害 ＜19 光頻閃（波動深度） ≤3.2% 無光頻閃危害 —— 顯色指數 ≥90 色彩還原能力強 ≥80 色溫（Tc） 4500K/5500k(可定制） 光線柔和 3300K-5500K 使用壽命 質保三年 壽命長 —— 總功率（P） 450W 消耗功率低 —— 年耗電量（Q） 720度 耗電量低 ——

本發明公開了一種基于全卷積網絡的多方向文本檢測方法，首先獲取訓練數據集中的文本塊，并訓練全卷積網絡模型；然后利用訓練好的全卷積網絡模型對測試數據集中的圖片進行檢測，獲取文本塊；然后提取文本塊的字符成分，并根據字符成分的位置信息估算圖像中的候選文本條位置；最后訓練針對文本條中字符成分的全卷積網絡模型，利用訓練好的模型對候選文本條進行檢測，獲取其中的字符成分，根據字符成分過濾掉不需要的文本條，得到圖像中文本條的位置。本發明方法文本檢測方法檢測率高，且能夠克服光照、遮擋、模糊等不利因素的影響。

開展適應于不同圍巖條件的開敞式TBM施工技術研究，在多項重大工程中成功應用。

全三維粒子模擬軟件CHIPIC是國家*63計劃*03主題支持項目“***粒子模擬軟件研發”的主要研究內容，其研究目的是在堅實理論基礎指導下，深入開展強波粒相互作用理論及HPM和HPMM相關理論研究，建立強流相對論互作用的理論體系，為高功率微波器件理論研究提供一款實用的粒子模擬軟件。 因為粒子模擬軟件在軍事領域有重大應用價值，國外的一些先進粒子模擬軟件對我國是禁運的（如美國的MAGIC），從而一些內部技術對我國也是封閉的。本軟件是完全依靠國內的自身條件研制完成的，是具有完全知識產權的軟件。由本軟件運算的準確性（與國外軟件比較驗證）可以證明本成果使用的技術線路是完全可與國外軟件媲美的。 該項目完成了三維電磁粒子模擬理論與算法、軟件設計、軟件測試等研究內容，突破了高效并行計算、大尺度結構建模、三維PIC/MCC混合算法等關鍵技術，設計了友好的圖形化輸入界面及多窗口輸出界面，形成了功能完整的CHIPIC3D模擬軟件。并最終應用于對高功率微波源、真空電子學太赫茲源、脈沖功率真空器件等進行三維粒子模擬。 該項目主要技術指標如下：1.CHIPIC3D全三維電磁粒子模擬軟件在直角及圓柱坐標系下實現了三維FDTD及粒子算法，能對各種對稱、非對稱結構的高功率微波源及太赫茲波源器件進行三維粒子模擬，模擬結果與實驗吻合。2.采用基于消息交換與共享內存相結合的并行計算方法，使加速比達到30以上;3.采用分段建模并行計算的方法，能對30米以上大尺度精細結構進行三維粒子建模及模擬；4.將蒙特卡洛及Vaughan模型算法應用于三維粒子模擬軟件，使其能模擬介質表面二次電子倍增、氣體放電及介質表面擊穿等復雜物理問題；5.采取面向對象的方法，能提供友好的圖形化的輸入界面及多窗口輸出界面。 目前該軟件已在中國工程物理研究院流體物理研究所、中國工程物理研究院應用電子學研究所、北京應用物理與計算數學研究所、國營第七七二廠、四川大學電子信息學院、西南交通大學等單位應用。從軍事應用角度來看，該軟件將縮短我國高功率微波源的研究周期，從而加快我國軍隊相關武器裝備的研究進程；從經濟效益角度來看，該軟件避免了大量的重復加工及重復試驗，節約了大量的人力物力，從而為用戶單位帶來巨大的經濟效益。

一種具有溫度補償的寬溫度全ＭＯＳ電壓基準源，設有啟動電路、基準核心電路、由溫度檢測電路、溫度邏輯開啟電路和高低溫溫度補償電路構成的溫度補償電路。啟動電路向基準核心電路注入電流使其正常工作，基準核心電路基于閾值電壓和熱電壓的一階溫度補償原理，采用ＣＭＯＳ型自偏置電流產生電路產生電流并經過有源負載產生基準電壓ＶＲＥＦ，溫度檢測電路提取ＭＯＳ器件的閾值電壓進行溫度檢測，經溫度補償邏輯開啟電路進行邏輯處理后輸出給高低溫溫度補償電路，高低溫溫度補償電路針對對不同的工作溫度范圍進行補償并將補償結果反饋耦合到基準核心電路輸出的基準電壓中，實現寬溫度工作條件下低溫度系數和高電源抑制比的全ＭＯＳ電壓基準源。

成果描述：該技術與磷酸二氫鉀技術類似，采用濕法稀磷酸為原料，用溶劑萃取磷酸，得到凈化稀磷酸，再用氨中和，經過濾、濃縮、結晶得到全水溶MAP。該技術的優點是P2O5萃取率高，原料酸中80 %的P2O5進入到產品中。自動化程度高、產品質量好、可大規模工業化，適合大型磷肥企業，走肥鹽結合道路。市場前景分析：磷酸二氫銨主要用作肥料和木材、紙張、織物的防火劑、滅火劑、阻燃劑、玻璃材料、磷酸鐵鋰材料和基體改進劑，也用于制藥和反芻動物飼料添加劑。與同類成果相比的優勢分析：產品磷酸二氫銨為白色粒狀晶體。磷酸二氫銨含量在99.0 %以上，相對密度1.803，熔點190 °C，易溶于水，1 %水溶液pH值為4.5。國際先進。