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原理介紹： 光在與微粒的相互作用中，會將自身攜帶的動量傳遞給微粒，對微粒施加力的作用。在光鑷中，處在激光中的粒子所受的力有兩種：一部分是電磁場分布不均勻導致的梯度力，梯度力將微粒吸引向光阱的中心；一部分是光子與粒子相互作用導致的散射。針對不同大小的粒子，大致可以分為三類： 一、微粒的尺度遠大于激光波長，可以采用幾何光學近似模型，光線在微粒經過折射反射，將動量傳遞至微粒上； 二、微粒尺度跟激光波長相近，這種情況下可以通過電磁場麥克斯韋方程組求解； 三、微粒尺度遠小于激光波長，微粒在光場中被激發為偶極子，受到偶極子與強聚焦光場的相互作用力； 相關內容： 動手調節光路，利用光鑷捕捉并操控小球； 基于空間光調制器的光鑷系統，通過研究不同算法從而得到加載在空間光調制器上的全息圖、更加深入地研究特殊模式光束在光學微操縱中的應用、拓展光鑷與其他學科交叉的應用前景以及對光場偏振態、相位、振幅的聯合調制等等。 應用領域： 作為非侵入型的力學操控系統，光鑷可以應用于細胞生物學、氣溶膠科學、物理化學等交叉學科的基礎研究，包括細胞微環境的改變、形變拉伸、微粒力學參數的測量等等。將全息光鑷與圖像識別結合，可以做到自動捕獲粒子和分揀， 將全息光鑷與光學顯微鏡相結合，可以量化細胞、分子的動力學特性，在細胞生物學中有巨大的研究空間； 方案介紹： 光路圖：   上圖為本方案全息光鑷裝置的光路示意圖。首先激光經過擴束后，直徑與空間光調制器有效區域的短邊直徑相等，擴束后的激光依次通過線偏振片、半波片和非偏振分光棱鏡。用半波片旋轉線偏光角度，使之工作在相位模式下，空間光調制器的入射角控制在在 5°以內。 經過空間光調制器反射的光經過由兩個傅里葉透鏡組成的縮束系統，該系統能改變光斑尺寸確保光束直徑與顯微物鏡的入瞳直徑匹配。對于外圍光強較弱的高斯光束，利用此縮束系統將激光直徑稍大于顯微物鏡入瞳直徑。 經過縮束系統的激光經過 45°直角反射鏡，二向色鏡將激光透射進入顯微物鏡，同時讓照明光源透過，從而使 CMOS 相機采集到樣品像?？臻g光調制器位于第一個傅里葉透鏡的焦距處，全息圖與物鏡入瞳是共軛像面，所以全息圖經過顯微物鏡做傅里葉變換后在顯微物鏡焦平面即樣品面上再現期望的光場分布。   特點： 此方案采用的開普勒式縮束系統透鏡間的焦平面與樣品面是共軛的，在透鏡焦平面加入高通濾波器或在空間光調制器上疊加閃耀光柵后，后續光學元件按照一級像排列，從而移去零級光的影響。 加載全息圖后 X-Y 位置可實時調整，快速疊加不同焦距菲涅爾相位圖、閃耀光柵相位圖等； 空間光調制器可供多種語言調用（labview、C、Python 等）；可編程實現不同數目、不同排列的光阱陣列；   配置標準：   序號 配置 規格 序號 配置 規格 1 激光光源 637nm 激光最大功率1w 4 顯微物鏡 PLN100× 油浸   NA 1.25 2 空間光調制器 1920*1080   2π 5 照明光源 波長470nm 功率760mw 3 CMOS相機 1280*1024 60FPS 6 相機筒鏡 f=200mm 等系列其他配置

本發明公開了一種多徑網絡中基于鏈路時延控制的軟負載均衡 方法。在此算法模型中，決定流量的最佳路徑分配時，同時考慮了傳 播時延和鏈路帶寬，在無額外開銷的基礎上，一方面，可以實現最小 化最大鏈路端到端時延，減小接收端數據包重排序的等待時延；另一 方面，可以使各條鏈路的端到端時延差最小，因此減小了數據包時延 抖動，降低了數據包進行重排序的風險。數據包進行重排序的風險越 低、等待時延越小，數據包重排序進程帶來的時延越小。因此，本發 明提出的算法模型不僅能減小端到端時延，還能減小數據包重排序進 程的時延，進而使得成功傳輸一個數據包的時延減小，優化多徑網絡 整體的吞吐量。

本發明公開了一種智能光伏電站模擬儀的匯流箱電路.本發明包括控制電路,供電電路,接口電路,通信電路和外圍電路.本發明可以用于光伏發電系統與陣列板,采集板的通信,使得主控板可以控制采集板及陣列板.本發明可以實現8塊太陽能電池板的電壓以及電流匯總輸出.

近年來,半導體光源正以新型固體光源的角色逐步進入照明領域。由于半導體照明具有高效、節能、環保、使用壽命長、響應速度快、耐振動、易維護等顯著優點,所以在國際上被公認為最有可能進入通用照明領域的新型固態冷光源。隨著其價格的不斷降低,發光亮度的不斷提高,半導體光源在照明領域中展現了廣泛的應用前景。業界普遍認為,半導體燈取代傳統的白熾燈和熒光燈,是大勢所趨。而半導體發光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認為是最有可能進入普通照明領域的一種綠色照明光源，按固體發光物理學原理,LED發光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發光效率高、響應時間極短、光色純、抗沖擊、性能穩定可靠及成本低等優點,因此被譽為21 世紀新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優點，但是發光效率和使用壽命仍是制約其普及應用的主要因素。 目前國內大多致力于LED外部封裝結構的研究，而公司里多采用進口芯片，如cree芯片，再在現有基礎上進行外部封裝結構和設計。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結構，國內所能達到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結構的不合理性，浪費了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結構，而且在芯片方向都明顯優于國內水平，所以基本壟斷國內LED的市場，尤其對于功率型白光LED的壟斷相當嚴重。而這些高亮度半導體LED芯片生產技術掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數大公司手中。 現在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進入通用照明市場,其光效需要達到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時還要求在LED 的封裝及燈具的設計制作過程中盡可能提高出光效率?，F有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發出的光在出射芯片的時候，有相當一部分光被芯片與外界（環氧樹脂）的界面反射。本產品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%?？梢杂行У脑黾覮ED的使用壽命，達到2萬小時以上，而且可以使發光效率達到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領整個照明市場，必將產生豐厚的利潤，具有非常好的發展前景。

近日，東南大學化學化工學院青年教師陳旭漫博士在國際頂級期刊《Angewandte Chemie（德國應用化學）》上發表題為“Efficient Near-Infrared Emissive Artificial Supramolecular Light-Harvesting System for Imaging in Golgi Apparatus”的學術論文。光捕獲過程作為將自然光進行捕獲、能量轉化并利用的步驟，是植物光合作用中第一個也是十分重要的過程。構筑人工光捕獲體系對于光能的利用具有重要意義，但目前構筑具有高效人工光捕獲體系仍存在很大挑戰。東南大學研究團隊利用“杯芳烴誘導聚集”策略，設計合成兩親磺化杯芳烴和陽離子型萘基吡啶衍生物作為熒光給體在水溶液中自組裝，并引入尼羅藍作為熒光受體分子，成功構筑了近紅外發射的超分子人工光捕獲體系。通過進一步研究，團隊發現該體系在細胞內依然保持很高的光捕獲效率和高度穩定性，同時證明了其對高爾基體染色的選擇性。該研究對于人工超分子光捕獲體系傳感、成像、診斷等方面的研究有著重要的推動作用。論文第一作者為東南大學化學化工學院青年教師陳旭漫，東南大學為第一通訊單位。

光伏農業行業面臨光伏發電和植物生長“爭光”的矛盾，本項目利用低成本的聚合物多層膜將農作物光合作用所需要主要光譜成分濾出來，其余大部分太陽光都反射， 這樣在投射到農地表面的太陽光就大幅減少，水蒸發也會大幅減少，同時采用現代太陽能聚光光伏技術將 80%以上太 陽光收集起來用于發電，實現“種地”+“發電”兩不誤。 可提高農戶收入，并從源頭上幫助實現中國大片干旱缺水農地水蒸發與降水量的平衡。 

成果簡介：光伏并網逆變系統可將光伏發電系統輸出的電能轉換為電網可接收的電能。本項目所開發的光伏并網逆變系統具有最大功率點跟蹤功能和反 孤島能力。網側采用 VSI 結構逆變器，通過網側電抗器直接并網。這種并網 結構確保了并網的靈活性和可靠性。利用升壓變換器對光伏電池進行控制， 實現最大功率點追蹤。系統的效率在滿功率 20kW時達到了 96.5%。 項目來源：自行開發 技術領域：新能源 應用

產品詳細介紹磁光效應系統是研究磁性薄膜、磁性微結構以及樣品磁化強度和樣品各向異性最理想的測量工具。是一種基于磁光效應原理設計的超高靈敏度磁強計.具有測量精度高、測量時間短等優點?？梢援a生平滑、穩定的受控磁場，并且磁場平滑過零?？梢灾瘘c測量也可以掃描測量，方便易懂的測量軟件以及友好的交互界面為測量提供了有力保障。本套磁光效應系統是廣大科研工作者的有利工具.磁光克爾系統功能和特點：測量靈敏度高，準確度高。非接觸式測量，是一種無損測量?？梢詼y量同一樣品厚度不等的楔形磁性薄膜?？梢詫悠贩诺秸婵罩性粶y量。可以測量同一樣品不同部位的磁化情況。

本發明公開了一種高靜壓下液電脈沖激波發射器的預擊穿時延 調控方法，包括：根據液電脈沖激波發射器中的液體性質和發射器結 構尺寸獲得單位電壓作用下的激波間隙電場分布；根據工作液體中產 生超音速流注的臨界條件調控脈沖功率電源的工作電壓 Ub；當激波發 射器中的電極附近電場達到超音速流注的臨界條件時，使得激波發射 器工作在超音速流注擊穿模式下；當需調控電壓超過脈沖功率電源的 最高工作電壓仍無法達到超音速流注的臨界條件時，則通過調整激波 發射器的電極結構來提高間隙間的電場強度；重復步驟使得當工作電 壓低于脈沖