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  本項(xiàng)目的提出建立在申請(qǐng)人對(duì)國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究現(xiàn)狀和趨勢(shì)的分析及已有的工作基礎(chǔ)上,項(xiàng)目的目標(biāo)產(chǎn)品為具有自修復(fù)功能，主要應(yīng)用于海洋工程高性能防腐涂層的復(fù)合聚合物蠟微粉。避免全新的分子結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),將多見于樹脂材料的自修復(fù)性能遷移到海洋工程等領(lǐng)域用的高性能防腐涂層上,再加上應(yīng)用極為簡(jiǎn)單，可直接添加到涂料體系中去，在兼容市場(chǎng)現(xiàn)有涂料產(chǎn)品配方和涂裝工藝基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)涂層表面自修復(fù)功能。

研究?jī)?nèi)容及用途 ：本項(xiàng)目將納米技術(shù)的發(fā)明專利和獨(dú)特的工藝技術(shù)相 結(jié)合，推出了集高質(zhì)量、多功能、綠色環(huán)保為一體的 “德冠世紀(jì) ”牌納米建 筑涂料系列產(chǎn)品，它涵蓋了內(nèi)墻乳膠漆、外墻乳膠漆、底漆等不同功能用 途的水性涂料，同時(shí)還推出了蘊(yùn)涵納米技術(shù)精華、具有多種優(yōu)異特性的納 米乳液。適用于各種居家、別墅、酒店、公共建筑物的內(nèi)墻裝飾，尤其能 滿足對(duì)環(huán)保性能苛刻的食品、 醫(yī)藥等行業(yè)及對(duì)老人、 兒童房屋裝修的需求。

聚丙烯是丙烯的聚合物，縮寫為PP。它的相對(duì)分子質(zhì)量一般為15萬(wàn)~55萬(wàn)。聚丙烯最早 于1957年由意大利Montecatin公司首先開始工業(yè)化生產(chǎn)，現(xiàn)在已經(jīng)成為發(fā)展速度最快的塑料產(chǎn) 品，屬于五大通用塑料之一，其產(chǎn)量?jī)H次于聚乙烯(PE)和聚氯乙烯(PVC)，列第三位。聚丙烯 的熔融溫度為170℃，密度為0.91克/厘米3 ，具有高強(qiáng)度、硬度大、耐磨、抗彎曲疲勞、耐熱溫 度達(dá)到120℃、耐濕和耐化學(xué)性優(yōu)良、容易加工成型、價(jià)格低廉的優(yōu)點(diǎn)，而成為被廣泛運(yùn)用的 通用高分子材料。聚丙烯的主要缺點(diǎn)有二個(gè)，一為成型收縮率大，并由此可能導(dǎo)致材料尺寸穩(wěn) 定性差，容易發(fā)生翹曲變形；二是低溫易脆斷。此外，同傳統(tǒng)工程塑料相比，聚丙烯還存在楊 氏模量低、耐熱性差、易老化等缺點(diǎn)。 晶須是具有規(guī)整截面，長(zhǎng)徑比從l0～1000甚至更高，僅是玻璃纖維的千分之一的極其細(xì)微 的單晶纖維材料。其晶體結(jié)構(gòu)完整、內(nèi)部缺陷較少，其強(qiáng)度和模量均接近完整晶體材料的理論 值，是目前發(fā)現(xiàn)的固體的最強(qiáng)形式。由于晶須本身結(jié)構(gòu)纖細(xì)，且具有高強(qiáng)度、高模量、高長(zhǎng)徑 比等優(yōu)異的力學(xué)性能，加入樹脂之中，能夠均勻分散，起到骨架作用，形成聚合物-纖維復(fù)合 材料，起到顯著的顯微增強(qiáng)效果。晶須的存在可有效地傳遞應(yīng)力，阻止裂紋擴(kuò)展，可以使聚合 物強(qiáng)度增大，顯著提高力學(xué)強(qiáng)度。

本發(fā)明公開了膠體NiO納米晶的制備方法，將羧酸鎳、保護(hù)配體、醇或胺和有機(jī)溶劑混合，惰性氣氛下攪拌并抽真空；將反應(yīng)器中的混合物加熱到100～350℃，反應(yīng)后經(jīng)冷卻、沉淀劑沉淀、提純處理，得到所述的膠體NiO納米晶；所述羧酸鎳的通式為：(R1-COO)2Ni，所述保護(hù)配體的通式為(R2-COO)nM，其中，R1與R2獨(dú)立地選自H、C2～C30的烴基或芳基，所述Mn+與羧酸根結(jié)合形成的羧酸鹽的反應(yīng)活性低于羧酸鎳，n為羧酸根數(shù)。本發(fā)明還公開了所述制備方法得到的純相膠體NiO納米晶，具有易于低溫溶液工藝成膜、功函數(shù)高等優(yōu)點(diǎn)，有望應(yīng)用于有機(jī)薄膜太陽(yáng)能電池、有機(jī)發(fā)光二極管、量子點(diǎn)發(fā)光二極管等諸多領(lǐng)域。

本發(fā)明公開了一種鐵基非晶合金磁性材料及其制備方法。該合金材料的化 學(xué)分子式為：(Fe100-aCoa)x-Dyy-Bz-Siw，式中的x，y，z，w為原子百分?jǐn)?shù)：60≤x ≤75，5≤y≤25，20≤z≤25，0≤w≤10，0≤a≤10，且x+y+z+w＝100。該合金 的制備過程如下：將工業(yè)純金屬原料以及FeB合金按合金配方配料，采用真空 感應(yīng)熔煉成母合金，然后用單輥甩帶法制得非晶薄帶。本發(fā)明具有較好的玻璃 形成能力，且軟磁性能優(yōu)良。所需的原材料大多為工業(yè)純度，從而降低了成本， 同時(shí)制備工藝簡(jiǎn)單，可廣泛應(yīng)用于結(jié)構(gòu)材料和磁性材料等方面。

基于半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)概念，首次通過工藝簡(jiǎn)單，成本低廉熔融鹽法合成一系列鉭酸鈣基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)復(fù)合材料，發(fā)現(xiàn)了兩元及多元半導(dǎo)體復(fù)合物組分及其含量可通過改變前驅(qū)物比例簡(jiǎn)單調(diào)控，證明該異質(zhì)結(jié)復(fù)合物相，組分變化與光催化制氫性能有著密切關(guān)系，闡明不同鉭酸鈣晶相界面異質(zhì)結(jié)形成促進(jìn)光生電荷有效分離機(jī)制，極大地提高光催化制氫性能。

鋁合金結(jié)晶組織的微細(xì)化會(huì)顯著提高鋁材的強(qiáng)韌性、組織均勻性、致密性、 耐蝕性、加工工藝性和表面質(zhì)量等，并減少偏析和裂紋等諸多鑄造缺陷。目前， 國(guó)內(nèi)外通常采用 Al-Ti-B 或 Al-Ti-C 中間合金來(lái)細(xì)化晶粒，但 Al-Ti-B 中間合金 126 的形核襯底質(zhì)點(diǎn) TiB2 本身的直徑大小在 0.5-3.0μm，而且往往以較大的聚集團(tuán) 形式存在，如此大的顆粒團(tuán)在加入到鋁合金中后會(huì)帶來(lái)一系列的副作用。而普 通 Al-Ti-C 中間合金細(xì)化效果不穩(wěn)定，易衰退，難以滿足鋁制品產(chǎn)品質(zhì)量的要 求。 Al-Ti-C 中間合金之所以細(xì)化效果不穩(wěn)定和容易衰退，是由于其中的 TiCx 晶體存在較多碳空位，從而使之失穩(wěn)，且隨 TiCx中碳空位數(shù)量的增加，Al 原子 在 TiCx 表面的偏聚及有序化受到抑制，由原來(lái)的完全共格逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)椴煌耆?格。因此，減少 TiCx中的碳空位是提高其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和生核效率的關(guān)鍵。 研究表明，無(wú)空位的 TiC 是鋁的有效生核襯底，在接近凝固點(diǎn)的鋁熔體中， Al 原子能夠依附于其周圍形成一個(gè)完全共格的有序區(qū)，最終促進(jìn) α-Al 生核和鋁 晶粒細(xì)化。經(jīng)過長(zhǎng)期的研究和探索發(fā)現(xiàn)，TiCx 中的碳空位可以被原子半徑較小 的 B、N 等原子填充，最終形成摻雜型的 TiCxB1-x和 TiCxN1-x等粒子，從而降低 空位濃度并提高異質(zhì)生核能力。 B 摻雜型 Al-Ti-C 晶種合金中含有大量直徑在 1μm 以下（亞微米）的 TiCxB1-x 晶核襯底粒子，且彌散分布，當(dāng)將該中間合金以微量（0.15%左右）加 入到待細(xì)化的鋁及其合金熔體中后，立即釋放出大量的亞微米級(jí)的摻雜型 TiC 晶核，從而使待細(xì)化鋁合金的晶粒組織得到顯著細(xì)化甚至超細(xì)化（指晶粒直徑 在微米級(jí)）。因此，采用摻雜型 Al-Ti-C 晶種合金對(duì)鋁熔體進(jìn)行晶粒細(xì)化處理 將是鋁加工行業(yè)又一次重要的技術(shù)進(jìn)步。

本實(shí)用新型公開了一種鋁基非晶薄帶收卷裝置，包括固定底座，所述支撐操作臺(tái)頂部的兩側(cè)均固定連接有限位機(jī)構(gòu)，所述支撐操作臺(tái)頂部靠近左側(cè)的位置固定連接有表面除雜裝置，所述支撐操作臺(tái)頂部且位于表面除雜裝置的右側(cè)固定連接有表面吹干裝置，所述固定底座頂部且位于支撐柱的右側(cè)固定連接有收卷固定架，所述收卷固定架的頂部轉(zhuǎn)動(dòng)連接有收卷滾輪，本實(shí)用新型涉及鋁基非晶技術(shù)領(lǐng)域。該鋁基非晶薄帶收卷裝置，達(dá)到了薄帶收卷開始階段便于固定收卷，保證薄帶收卷傳輸過程中不出現(xiàn)偏移褶皺現(xiàn)象，保證薄帶表面的光滑度，不被劃傷，從而提高光潔度和磁

電脈沖可以顯著改變材料微觀結(jié)構(gòu)演化路徑和擴(kuò)展材料微觀結(jié)構(gòu)的特征參數(shù)范圍；為材料加工和新材料的制備提供了新的廣闊空間。電脈沖退火快速?gòu)?qiáng)化亞微米純鋁，短時(shí)間電脈沖退火降低拉錯(cuò)密度且不引起晶粒尺寸增大，液氮下電脈沖處理可以析出致密的納米析出相，提升材料性能。

本申請(qǐng)涉及一種二維材料硒化銦的非晶化方法。本申請(qǐng)的非晶化方法包括：S1：提供設(shè)置有納米層狀硒化銦樣品的電學(xué)芯片；S2：對(duì)電學(xué)芯片施加脈沖電壓，使硒化銦發(fā)生非晶化。本申請(qǐng)通過施加脈沖電壓來(lái)誘導(dǎo)非晶化，具有快速、精確、節(jié)能等優(yōu)勢(shì)，適用于高性能電子和光電器件的制造。