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太陽能逆變器技術是太陽能發電技術領域的研發成果，可以應用在三 相及單相太陽能并網逆變器中。電路采用了高效率的電路拓撲、先進的 電感設計技術、優良的驅動方案、完善的電路設計及軟件功能，整體功 能經過了測試驗證。該技術符合國家新能源發展政策，具有較大的經濟 效益。性能指標： 1.8KW以下單相

自改革開放以來。我國設施栽培面積已有1000萬畝，其中，溫室250萬畝，塑料大棚200萬畝，中、小棚500萬畝，地膜覆蓋9600萬畝，為世界之最。目前，我國農村以塑料膜覆蓋為主的園藝設施，每平方米的投入一般在50%以上。高效節能溫室增產效果在80%以上，加上產品質量高，又多在淡季上市，每畝增收在5000元以上，半年到一年就可以收回建溫室的投資。與此同時，為

灶面尺寸φ400mm×350mm，金屬制品，表面鍍亮膜，焦點位置可調。

230mm×210mm×180mm，在太陽光或100W白熾燈光照射下小車能行駛。

懸賞金額：10萬元 發榜企業：德旭新材料（廣州）股份有限公司 產業集群：先進材料產業集群 需求領域：特種功能材料;精細化工;電子材料;半導體材料;表面改性材料 技術關鍵詞：抗磨;超滑;切割;拋光

隨著目前國際反恐形勢的日益嚴峻，大到戰場上恐怖組織的生化襲擊，小到日常生活中大量行李信件內夾帶的各類危險品，給國防安檢等帶來了前所未有的巨大挑戰。因此，軍工企業對于非接觸式無損檢測手段的開發和利用是企業內部品質把控的重要一環，同時也是國家經濟高速發展的重要保障。現有技術手段存在的主要問題是檢測時間長且準確率不高。相比之下，太赫茲波譜作為一種非接觸式無損檢測手段，可與危險品成分中的C\HO\N有機大分子發生相互作用，通過共振吸收譜探知危險品的種類與劑量。“TDS-I型太赫茲手持式危險品檢測儀”在傳統太赫茲時域波譜系統基礎上，使用特種保偏光纖與精密光纖器件替代常規自由空間光路的全部透/反射鏡片，形成了全光纖一體化結構，極大簡化了儀器光路，增加了系統的集成性與穩定性；使用超高速光延遲掃描振子，搭配超高速數據采集鎖放電路模塊，實現了0.1sec/scan的超高速太赫茲信號采集，真正的實時在線樣品檢測；太赫茲信號重復性好、穩定性高，信噪比大于65dB，譜寬大于3.5THz；上位機軟件使用LABVIEW設計，界面簡潔友好，便于終端用戶熟悉和操作；儀器外觀秉承簡約設計風格。可以實現爆炸物、生物制劑等危險品的臨場快速在線檢測，是一款軍民融合的高科技含量產品。

本發明公開了一種適用于腸道病變檢測的太赫茲內窺鏡及檢測方法。包括插入腸道的組合管體、太赫茲信號增強模塊、太赫茲檢測模塊和實時成像模塊，組合管體主要由套管、套頭和半球形玻璃罩組成，太赫茲信號增強模塊主要由可調諧激光器和安裝在套管內的光纖組成，太赫茲檢測模塊主要由太赫茲波探測器和太赫茲波發射器以及安裝在組合管體內的第一不銹鋼金屬線和第二不銹鋼金屬線組成，實時成像模塊主要由圖像處理與傳輸電路板以及安裝在組合管體內的電源線、視頻信號線、LED冷光源和CMOS攝像頭組成。本發明實現了在腸道病變初期對其進行準確的檢測，提高了檢測的準確度和靈敏度，具有獲取信息豐富、結構緊湊操作方便、適用范圍廣等優點。

隨著目前國際反恐形勢的日益嚴峻，大到國際戰場上恐怖組織的生化襲擊， 小到國內日常生活中大量行李、包裹、郵件、信封內夾帶的各類危險品(毒品、 爆炸物、有害生化制劑等)，給國防、安檢和人民的正常生活等帶來了前所未有的巨大挑戰。因此，軍工企業對于非接觸式、無損檢測手段的開發和利用是企業 內部品質把控的重要一環，同時也是國家經濟高速發展的重要保障。現有檢測技術手段存在的主要問題是檢測時間長且準確率

近年來,半導體光源正以新型固體光源的角色逐步進入照明領域。由于半導體照明具有高效、節能、環保、使用壽命長、響應速度快、耐振動、易維護等顯著優點,所以在國際上被公認為最有可能進入通用照明領域的新型固態冷光源。隨著其價格的不斷降低,發光亮度的不斷提高,半導體光源在照明領域中展現了廣泛的應用前景。業界普遍認為,半導體燈取代傳統的白熾燈和熒光燈,是大勢所趨。而半導體發光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認為是最有可能進入普通照明領域的一種綠色照明光源，按固體發光物理學原理,LED發光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發光效率高、響應時間極短、光色純、抗沖擊、性能穩定可靠及成本低等優點,因此被譽為21 世紀新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優點，但是發光效率和使用壽命仍是制約其普及應用的主要因素。 目前國內大多致力于LED外部封裝結構的研究，而公司里多采用進口芯片，如cree芯片，再在現有基礎上進行外部封裝結構和設計。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結構，國內所能達到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結構的不合理性，浪費了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結構，而且在芯片方向都明顯優于國內水平，所以基本壟斷國內LED的市場，尤其對于功率型白光LED的壟斷相當嚴重。而這些高亮度半導體LED芯片生產技術掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數大公司手中。 現在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進入通用照明市場,其光效需要達到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時還要求在LED 的封裝及燈具的設計制作過程中盡可能提高出光效率。現有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發出的光在出射芯片的時候，有相當一部分光被芯片與外界（環氧樹脂）的界面反射。本產品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用壽命，達到2萬小時以上，而且可以使發光效率達到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領整個照明市場，必將產生豐厚的利潤，具有非常好的發展前景。