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光收發(fā)芯片是光收發(fā)模塊中的集成電路，并不包括激光芯片，是指光纖寬帶網(wǎng)絡(luò)物理層的主要基礎(chǔ)芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驅(qū)動(dòng)器三種。它們被用于光纖傳輸?shù)那岸耍瑏?lái)實(shí)現(xiàn)高速傳輸信號(hào)的光電、電光轉(zhuǎn)換，這些功能被集成在光纖收發(fā)模塊中。

圍繞自主通用處理器，研發(fā)操作系統(tǒng)及其之上的核心 API 軟件，支撐國(guó)家信息化建設(shè)，并致力于構(gòu)建區(qū)別于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生態(tài)體系 。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器高速光收發(fā)芯片(EP110) 　　EP110為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動(dòng)器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過(guò)連接至VCSEL驅(qū)動(dòng)器的3線(xiàn)數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線(xiàn)PCB設(shè)計(jì)提供最佳的背板短接。EP110集成一個(gè)微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過(guò)固件實(shí)現(xiàn)高級(jí)Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門(mén)限、LOS極性、CML輸出電平、信號(hào)通道極性)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無(wú)需外部微處理器和外部元件。 　　EP110采用無(wú)鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器高速光收發(fā)芯片(EP112) 　　EP112為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動(dòng)器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過(guò)連接至VCSEL驅(qū)動(dòng)器的3線(xiàn)數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線(xiàn)PCB設(shè)計(jì)提供最佳的背板短接。EP112集成一個(gè)微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過(guò)固件實(shí)現(xiàn)高級(jí)Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門(mén)限、LOS極性、CML輸出電平、信號(hào)通道極性)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無(wú)需外部微處理器和外部元件。 　　EP112采用無(wú)鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至14Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器高速光收發(fā)芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動(dòng)器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收發(fā)芯片,工作在高達(dá)14Gbps的數(shù)據(jù)速率、非常適合以太網(wǎng)和光纖通道應(yīng)用。在EP116的發(fā)射和接收路徑上集成了CDR功能，解決了大多數(shù)高速系統(tǒng)存在的信號(hào)失真問(wèn)題。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過(guò)連接至VCSEL驅(qū)動(dòng)器的3線(xiàn)數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線(xiàn)PCB設(shè)計(jì)提供最佳的背板短接。EP116集成一個(gè)微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過(guò)固件實(shí)現(xiàn)高級(jí)Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門(mén)限、LOS極性、CML輸出電平、信號(hào)通道極性、去加重)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、可編程去加重、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無(wú)需外部微處理器和外部元件。 　　EP116采用無(wú)鉛、6mm*6mm、48引腳QFN封裝。 　　特點(diǎn)： 　　3.3供電時(shí)，功耗僅為500mW 　　工作速率高達(dá)10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收靈敏度 　　Rx和Tx極性選擇 　　可調(diào)節(jié)觸發(fā)LOS報(bào)警電平 　　LOS極性選擇 　　能夠向100歐姆差分負(fù)載提供高達(dá)12mA的調(diào)制電流 　　偏置電流高達(dá)19mA 　　Rx輸出可選擇去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可調(diào)節(jié)調(diào)制輸出的眼圖交叉點(diǎn) 　　工作溫度: -40度 到 90度

第61屆高博會(huì)倒計(jì)時(shí)7天，作為國(guó)內(nèi)高等教育領(lǐng)域舉辦時(shí)間較長(zhǎng)、規(guī)模較大、影響力較強(qiáng)的專(zhuān)業(yè)品牌展會(huì) 中國(guó)高等教育博覽會(huì)，將于4月15日~4月17日在福州海峽國(guó)際會(huì)展中心舉辦。離開(kāi)展時(shí)間僅剩7天，屆時(shí)武漢 梅宇儀器公司將攜多款當(dāng)紅星石混凝試驗(yàn)攪拌機(jī)在1號(hào)館1B64展位精彩亮相，重點(diǎn)展示混凝試驗(yàn)攪拌機(jī)(六聯(lián)混 凝實(shí)驗(yàn)攪拌器)的新技術(shù)、新應(yīng)用、新服務(wù)。誠(chéng)邀蒞臨參觀(guān)體驗(yàn)，期待與您重逢! 展位號(hào)1B64，不見(jiàn)不散!

傳統(tǒng)上多采用Ni/Au金屬作為L(zhǎng)ED的電極，降低出光效率，因此，需要采用 透明電極。針對(duì)LED對(duì)透明電極的要求，利用磁控濺射法在玻璃襯底上設(shè)計(jì)不同 氣氛、襯底溫度、工作氣壓、濺射功率、靶距、濺射時(shí)間等參數(shù)下的實(shí)驗(yàn)制備 CI0和ZA0薄膜，探尋制備兩類(lèi)薄膜的合適的工藝條件；并研究了退火處理對(duì)制 備薄膜的結(jié)構(gòu)和性能的影響。制備出高質(zhì)量、高性能的CI0和ZA0薄膜，發(fā)現(xiàn)薄 膜的透光率均在80%以上，甚至可高達(dá)91%,電阻率達(dá)到10-3Q. cm數(shù)量級(jí)或 更低，達(dá)到了 LED用透明電極薄膜材料的性能要求。

可以量產(chǎn)/n高壓LED是多個(gè)LED單元的芯片級(jí)串聯(lián)，互連比多個(gè)小功率管芯打線(xiàn)互連更為可靠；且LED單元之間間距很小，光線(xiàn)集中，便于光學(xué)設(shè)計(jì)，可用于高光密度照明，路燈、廣場(chǎng)照明和舞臺(tái)聚光照明等。幾個(gè)高壓LED串聯(lián)后可直接達(dá)到市電電壓水平，變壓能耗小，驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，可用于各種市電照明場(chǎng)合，例如室內(nèi)照明、園區(qū)和工作場(chǎng)所照明等；高壓LED能減小驅(qū)動(dòng)電路、光學(xué)設(shè)計(jì)和散熱部分的體積，因此 可采用多種燈具形式和適用多種安裝場(chǎng)合。

傳統(tǒng)上多采用Ni/Au金屬作為L(zhǎng)ED的電極，降低出光效率，因此，需要采用透明電極。針對(duì)LED對(duì)透明電極的要求，利用磁控濺射法在玻璃襯底上設(shè)計(jì)不同氣氛、襯底溫度、工作氣壓、濺射功率、靶距、濺射時(shí)間等參數(shù)下的實(shí)驗(yàn)制備CIO和ZAO薄膜，探尋制備兩類(lèi)薄膜的合適的工藝條件；并研究了退火處理對(duì)制備薄膜的結(jié)構(gòu)和性能的影響。制備出高質(zhì)量、高性能的CIO和ZAO薄膜，發(fā)現(xiàn)薄膜的透光率均在80%以上，甚至可高達(dá)91％，電阻率達(dá)到10－3Ω.cm數(shù)

當(dāng)前全球經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，越來(lái)越突顯出資源短缺和環(huán)境污染問(wèn)題，全球能源與環(huán)保壓力已越來(lái)越大。伴隨著“綠色照明工程”的積極推進(jìn)以及世界各國(guó)的節(jié)能環(huán)保意識(shí)逐步增強(qiáng)，LED照明技術(shù)被引入照明應(yīng)用領(lǐng)域并已經(jīng)成為當(dāng)前照明市場(chǎng)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境的主流趨勢(shì)。在LED驅(qū)動(dòng)電源中，功率因數(shù)低、電磁兼容超標(biāo)、效率低則是其暴露出來(lái)比較棘手的三個(gè)主要問(wèn)題。因此，研究LED驅(qū)動(dòng)器的三大問(wèn)題將為L(zhǎng)ED照明市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展提供重要的理論依據(jù)。在LED驅(qū)動(dòng)器中主要包含了浪涌電壓抑制電路、EMC電路、一次整流濾波電路、具有PFC功能的DC/D

成果簡(jiǎn)介隨著 LED 制造技術(shù)的發(fā)展， LED 應(yīng)用已經(jīng)從顯示設(shè)備的背光照明領(lǐng)域發(fā)展到了民用照明領(lǐng)域， 越來(lái)越多的 LED 已被應(yīng)用在汽車(chē)、 路燈、 民用以及舞臺(tái)燈光等各種照明場(chǎng)合。 驅(qū)動(dòng)電源性能是體現(xiàn) LED 整體性能的關(guān)鍵， 保證 LED 驅(qū)動(dòng)電源具有小巧、 長(zhǎng)壽命、 高可靠性等優(yōu)點(diǎn)是未來(lái) LED 驅(qū)動(dòng)電源的發(fā)展方向。本項(xiàng)目設(shè)計(jì)的是采用擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高性能功率變換器作為主電路， 將AC-DC 電源和驅(qū)動(dòng)芯片的功能合二為一， 在實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)校正的同時(shí)， 保證 LED