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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務平臺
中國高等教育學會關(guān)于召開第二屆數(shù)字時代創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)教育研討會的通知
為探討當前高校該如何抓住數(shù)字經(jīng)濟和新一輪產(chǎn)業(yè)革命的契機，將數(shù)字技術(shù)積極融入創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)教育，激發(fā)創(chuàng)造，成就創(chuàng)新，賦能創(chuàng)業(yè)，持續(xù)深化創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)教育改革，賦能高校專創(chuàng)融合、科創(chuàng)融合、人才培養(yǎng)、數(shù)字創(chuàng)業(yè)以及高質(zhì)量雙創(chuàng)實踐教育體系，經(jīng)研究，中國高等教育學會決定舉辦第二屆數(shù)字時代創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)教育研討會。
中國高等教育學會
2023-03-30
第二屆科創(chuàng)中國·高等學校技術(shù)交易大會成功舉辦
4月9日，由中國科協(xié)和重慶市人民政府指導，中國高等教育學會聯(lián)合重慶市級相關(guān)部門共同舉辦，學會科技服務專家指導委員會、哈爾濱工業(yè)大學、電子科技大學、重慶大學三所高校參與承辦的第二屆科創(chuàng)中國·高等學校技術(shù)交易大會在重慶國際博覽中心順利召開。
云上高博會
2023-04-11
中國高等教育學會關(guān)于舉辦第二屆科創(chuàng)中國·高等學校技術(shù)交易大會的通知
為全面貫徹落實黨的二十大精神，推動高校科技創(chuàng)新和成果轉(zhuǎn)化，服務科技自立自強和區(qū)域創(chuàng)新發(fā)展，在中國科協(xié)和重慶市人民政府的指導下，中國高等教育學會聯(lián)合重慶市級相關(guān)部門共同舉辦第二屆科創(chuàng)中國·高等學校技術(shù)交易大會。本次大會包括主論壇及集成電路、數(shù)字經(jīng)濟、低碳與能源三大產(chǎn)業(yè)分論壇，并將與第58·59屆中國高等教育博覽會同期舉行。
中國高等教育學會
2023-03-23
關(guān)于高校設備更新改造及數(shù)字化建設解決方案供應商名錄（第二批）的公示
公示期2024年1月8日至2024年1月12日。
中國高等教育博覽會
2024-01-08
DT640-BC型裸片溫度計硅二極管低溫溫度傳感器錦正茂科技
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優(yōu)勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-11-17
國務院辦公廳關(guān)于建設第三批大眾創(chuàng)業(yè)萬眾創(chuàng)新示范基地的通知
為貫徹落實《政府工作報告》部署，更好發(fā)揮大眾創(chuàng)業(yè)萬眾創(chuàng)新示范基地對促改革、穩(wěn)就業(yè)、強動能的帶動作用，進一步推動大眾創(chuàng)業(yè)萬眾創(chuàng)新向縱深發(fā)展，更大程度激發(fā)市場活力和社會創(chuàng)造力，以新動能支撐保就業(yè)保市場主體，經(jīng)國務院同意，決定在部分地區(qū)、企業(yè)、高校和科研院所建設第三批雙創(chuàng)示范基地。
國務院辦公廳
2020-12-24
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一種Mg2Ni型三元Mg-Ni-Cu可逆儲氫材料及其制備方法
（專利號：ZL 201510578249.5） 簡介：本發(fā)明公開了一種Mg2Ni型三元Mg?Ni?Cu可逆儲氫材料及其制備方法，屬于儲氫技術(shù)領(lǐng)域。該儲氫材料成分范圍為：Mg占合金原子百分比為66.7％，Ni+Cu占合金原子百分比為33.3％，Cu在Ni+Cu中的原子百分比為0～12％，原料的純度均不低于99.5％。該儲氫材料制備的關(guān)鍵在于首先制備高化學穩(wěn)定性的Ni(Cu)固溶體粉末，然后將固溶體粉末和Mg粉按比例混合燒結(jié)得到高純Mg2Ni型三元Mg20Ni10?xCux(0<x≤1.2)可逆儲氫合金。本發(fā)明涉及的材料具有高的儲氫容量(3.5wt％以上)和良好的低溫放氫動力學等特性，Cu替代貴金屬Ni降低了材料的使用成本。本發(fā)明涉及的制備方法具有工藝溫和、簡單、易控，生產(chǎn)設備投資少，生產(chǎn)過程無污染，易于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)的顯著優(yōu)點。
安徽工業(yè)大學
2021-04-11
一種基于CZT變換和剪除分裂基快速傅里葉變換的三維攝像聲納波束形成方法
本發(fā)明公開了一種基于CZT變換和剪除分裂基快速傅里葉變換的三維攝像聲納波束形成方法，包括以下步驟：分別計算每個換能器接收到的聲波中，與載波頻率fk對應的第k個DFT變換系數(shù)；利用所得變換系數(shù)，構(gòu)建矩陣C；對應方位角方向，對矩陣C的每一列，進行一維離散卷積運算，得到P×N的矩陣MD；對應仰視角方向，對矩陣MD的每一行，進行一維離散卷積運算，得到P×Q的矩陣ME；利用矩陣ME，構(gòu)建矩陣MF；計算矩陣MF中每個元素的模，得到三維攝像聲納波束。本發(fā)明在FFT運算過程中識別和去除不必要的運算操作，有效降低了三維攝像聲納波束形成方法所需的運算量。
浙江大學
2021-04-11
教育部關(guān)于開展第三批“全國高校黃大年式教師團隊”創(chuàng)建活動的通知
2023年擬認定第三批全國高校黃大年式教師團隊200個。
教育部
2023-05-17
三部門發(fā)文，延續(xù)實施一次性擴崗補助政策
為落實黨中央、國務院關(guān)于促進高校畢業(yè)生等青年就業(yè)工作決策部署，發(fā)揮失業(yè)保險助企擴崗作用，鼓勵企業(yè)積極吸納大學生等青年就業(yè)，人力資源社會保障部、教育部、財政部近日下發(fā)通知，延續(xù)實施一次性擴崗補助政策。
微言教育
2023-07-05