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現(xiàn)貨供應(yīng)CONCH琦勝計(jì)數(shù)器CA-61K-N轉(zhuǎn)速表RLF-40K
產(chǎn)品詳細(xì)介紹
現(xiàn)貨供應(yīng)CONCH琦勝計(jì)數(shù)器CA-61K-N轉(zhuǎn)速表RLF-40K
東莞市榮達(dá)機(jī)電進(jìn)口計(jì)數(shù)器銷售中心專業(yè)代理銷售臺(tái)灣琦勝計(jì)數(shù)器,琦勝計(jì)米器,琦勝計(jì)米表,琦勝計(jì)長儀,琦勝轉(zhuǎn)速表,琦勝線速表,琦勝電流表,琦勝電壓表,琦勝長度發(fā)訊器,琦勝長度發(fā)信器,琦勝碼表,琦勝米表,琦勝碼輪,琦勝米輪,琦勝計(jì)米輪,琦勝計(jì)碼輪,CONCH計(jì)數(shù)器,CONCH計(jì)米器,CONCH計(jì)米表,CONCH計(jì)長儀,CONCH轉(zhuǎn)速表,CONCH線速表,CONCH電壓表,CONCH電流表CONCH長度發(fā)訊器,CONCH長度發(fā)信器,CONCH碼表,CONCH米表,CONCH碼輪,CONCH米輪,CONCH計(jì)米輪,CONCH計(jì)碼輪,臺(tái)灣計(jì)數(shù)器,臺(tái)灣計(jì)米器,電子計(jì)數(shù)器,電子計(jì)米器,進(jìn)口計(jì)數(shù)器,進(jìn)口計(jì)米器,數(shù)顯計(jì)數(shù)器,數(shù)顯計(jì)米器, 智能計(jì)數(shù)器,智能計(jì)米器,數(shù)顯轉(zhuǎn)速表,智能轉(zhuǎn)速表,電子轉(zhuǎn)速表,數(shù)字轉(zhuǎn)速表,數(shù)顯線速表,智能線速表,電子線速表,臺(tái)灣電壓表,進(jìn)口電壓表,臺(tái)灣電流表,進(jìn)口電流表,臺(tái)灣轉(zhuǎn)速表,進(jìn)口轉(zhuǎn)速表,臺(tái)灣測(cè)速表,進(jìn)口測(cè)速表,臺(tái)灣線速表,進(jìn)口線速表,CA-21K-N,CA-41K-N,CA-61K-N,CA-42K-N,CA-62K-N,CA-21P-N,CA-41P-N,CA-61P-N,CA-42P-N,CA-62P-N,CA-42PA-N,CA-52PA-N,CA-62PA-N,CA-641P-N,CA-642P-N,CA-662K-N,CA-641P-N-086,CA-662K-N-034,CA-662K-MD-N-116,CA-642B-N,CA-40-N,CA-60-N,CA-62K-107,CA-642P-N,CA-642B-N,CA-42PB,CA-40UD-N,CA-61KB-N,CA-60UD-N,CA-41PUD-N,CA-61PUD-N,CU-40-N,CU-60-N,CU-40K-N,CU-60K-N, CU-41K-N,CU-61K-N,CU-42K-N,CU-62K-N,CU-63K-N,CU-42PA-N,CU-42PB-N,CU-62PB-N,CU-41P-N, CU-61P-N,CU-42P-N,CU-62P-N,CU-43P-N,CU-43P-026,CU-80-N,CU-60K-03-1,CU-60K-03-2,CD-41K-N,CD-61K-N,CD-42K-N,CD-62K-N,CU-60K-032,CU-43PC-N,CU-63PC-N, RLF-40K, RF-40K, VF-40AC-660, VF-40DCA-10, VF-40AC0-750V, VF-50DCA-10, VU-42P-N, IU-42P-N, RU-41P-N, RU-42P-N, VU-51K-N, VU-52K-N, VU-53K-N, IU-51K-N, IU-52K-N, IU-53K-N, RU-41P-L, RU-41P-H, RA-40P-N, IU-52K-N, CU-60K-03-2, PL-S1M, PL-S2M, PL-S3M, PL-S4M, PL-D1M, PL-D2M, PL-D3M, PL-D4M, PL-S1Y, PL-S2Y, PL-S3Y,PL-S4Y,PL-D2Y,PL-D3Y,TH-7AX,TH-7NX,LS18R-300,LS3-3MR,QL-1805,AL-1805,TS-1808,TS-3010-NA,CH-7P,CH-7A,CH-7N,TA-41K
另現(xiàn)貨批發(fā)臺(tái)安、臺(tái)達(dá)、愛德利、東元、三菱、LG、SANCH、海利普、風(fēng)機(jī)水泵變頻器；東元馬達(dá)，東力馬達(dá)，東煒庭電機(jī)，西門子電機(jī)，松文馬達(dá)，萬鑫齒輪減速馬達(dá)，三菱PLC，F(xiàn)OTEK、JY-TECK、KONDA、臺(tái)德計(jì)數(shù)器，萊茵碼表，瑞科接近開關(guān)，鋁殼制動(dòng)電阻，電抗器，濾波器，恒壓供水控制柜
東莞市榮達(dá)機(jī)電設(shè)備有限公司
2021-08-23
ISOH 4-20mA系列4-20mA電流環(huán)路兩線無源型信號(hào)隔離器
ISO 4-20mA/ISOS 4-20mA/ISOH 4-20mA系列4-20mA電流環(huán)路兩線無源型信號(hào)隔離器
無需外接任何元件即可實(shí)現(xiàn)4-20mA或0-20mA電流環(huán)路信號(hào)隔離器，產(chǎn)品有PCB板上安裝的IC封裝、DIN35標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)軌安裝和PIM面板嵌入式安裝方式。 DIN導(dǎo)軌式安裝方式可實(shí)現(xiàn)信號(hào)一進(jìn)一出、二進(jìn)二出、三進(jìn)三出等多路隔離傳輸功能。 PIM 面板嵌入式智能化變送表可實(shí)現(xiàn)4-20mA信號(hào)隔離顯示、報(bào)警控制及遠(yuǎn)距離無失真?zhèn)鬏數(shù)榷喾N功能。 廣泛應(yīng)用在冶金采礦、石油化工、電力設(shè)備、醫(yī)療儀器、工業(yè)自動(dòng)化、新能源設(shè)施及軍工科研等領(lǐng)域，用戶可根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)需要選擇合適產(chǎn)品。
深圳市順源科技有限公司
2024-07-31
關(guān)于組織開展2023年山西省省級(jí)科技企業(yè)孵化器申報(bào)和績效評(píng)價(jià)工作的通知
為貫徹落實(shí)黨的二十大精神，加快實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略，加快實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)，促進(jìn)創(chuàng)業(yè)孵化機(jī)構(gòu)體系化、專業(yè)化建設(shè)，推動(dòng)科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，形成示范帶動(dòng)效應(yīng)，現(xiàn)開展2023年山西省省級(jí)科技企業(yè)孵化器認(rèn)定工作，有關(guān)事項(xiàng)通知如下
山西省科技廳國際與區(qū)域科技合作處
2023-07-20
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用于同時(shí)檢測(cè)CU2+ Ｐb2+ Cd2+的陣列式薄膜傳感器及其制備方法
本發(fā)明涉及用于同時(shí)檢測(cè)Cu2+,Pb2+,Cd2+的陣列式薄膜傳感器及基制備方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次為SiO2層,對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三種薄膜;該薄膜傳感器是通過激光脈沖沉積技術(shù)在SiO2表面上制備三種敏感薄膜,采用激光沉積技術(shù)把三個(gè)敏感材料分別制備在SiO2表面上,最后形成三種陣列式薄膜傳感器.它對(duì)溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有選擇性,能檢測(cè)出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本發(fā)明可在江河湖泊,生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域(如血液,體液),工業(yè)廢水,中藥,蔬菜,水果,茶葉等領(lǐng)域中對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+同時(shí)進(jìn)行定性和定量檢測(cè).
東北電力大學(xué)
2021-04-30
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一種用于薄膜太陽能電池的碳基光子晶體背反射器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種用于薄膜太陽能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結(jié)構(gòu)不同的光子晶體疊加構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數(shù)，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發(fā)明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實(shí)現(xiàn)600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率。制備工藝簡(jiǎn)單。
河北師范大學(xué)
2021-05-03
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一種基于開槽結(jié)構(gòu)的四分之一模基片集成波導(dǎo)濾波器
本發(fā)明公開了一種基于開槽結(jié)構(gòu)的四分之一模基片集成波導(dǎo)濾波器，包括四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔，四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔通過基片集成波導(dǎo)圓形腔沿任意兩條相互垂直的磁壁分割得到，四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔包括介質(zhì)基片，介質(zhì)基片的上表面設(shè)有上金屬層，介質(zhì)基片的下表面設(shè)有下金屬層，介質(zhì)基片中沿四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔的周向均勻分布有貫穿上金屬層和下金屬層的金屬通孔。本發(fā)明相對(duì)于傳統(tǒng)的基片集成波導(dǎo)圓形腔有效實(shí)現(xiàn)了小型化。并且，相對(duì)于傳統(tǒng)的多層結(jié)構(gòu)，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，加工方便。此外，相對(duì)于傳統(tǒng)的微帶結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的濾波器品質(zhì)因數(shù)高，損耗小。
東南大學(xué)
2021-04-11
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一種基于多核處理器的高速印花機(jī)圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種基于多核處理器的高速印花機(jī)圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理系統(tǒng)，包括數(shù)據(jù)接收設(shè)備、數(shù)據(jù)解析處理設(shè)備、數(shù)據(jù)傳輸通道和數(shù)據(jù)輸出設(shè)備。本發(fā)明還公開了一種基于多核處理器的高速印花機(jī)圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理方法，其通過以太網(wǎng)接口接收數(shù)據(jù)，利用處理器的多個(gè)核并行處理數(shù)據(jù)，由FPGA實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的輸出。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明系統(tǒng)及方法能夠大大提高數(shù)據(jù)的旋轉(zhuǎn)效率以及吞吐量，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)碼印花機(jī)的高效能產(chǎn)出。
浙江大學(xué)
2021-04-11
一種基于多核處理器的高速印花機(jī)圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種基于多核處理器的高速印花機(jī)圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理系統(tǒng)，包括數(shù)據(jù)接收設(shè)備、數(shù)據(jù)解析處理設(shè)備、數(shù)據(jù)傳輸通道和數(shù)據(jù)輸出設(shè)備。本發(fā)明還公開了一種基于多核處理器的高速印花機(jī)圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理方法，其通過以太網(wǎng)接口接收數(shù)據(jù)，利用處理器的多個(gè)核并行處理數(shù)據(jù)，由FPGA實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的輸出。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明系統(tǒng)及方法能夠大大提高數(shù)據(jù)的旋轉(zhuǎn)效率以及吞吐量，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)碼印花機(jī)的高效能產(chǎn)出。
浙江大學(xué)
2021-04-11
一種帶水合反應(yīng)器的復(fù)合吸收劑循環(huán)捕捉CO2的裝置及方法
本發(fā)明公開一種帶水合反應(yīng)器的復(fù)合吸收劑循環(huán)捕捉CO2的裝置及方法，該裝置包括煅燒?還原反應(yīng)器(1)、冷凝器(2)、水合反應(yīng)器(3)、空氣反應(yīng)器(4)、碳酸化反應(yīng)器(5)、換熱器(6)以及各部分之間的連接管道；該循環(huán)捕捉CO2的方法為：鈣銅基復(fù)合吸收劑中的Ca(OH)2和CaO與進(jìn)入碳酸化反應(yīng)器的煙氣反應(yīng)，捕捉CO2；固體產(chǎn)物在煅燒?還原反應(yīng)器中與通入其中的CH4反應(yīng)，產(chǎn)生高濃度CO2；部分反應(yīng)后的固體進(jìn)入水合反應(yīng)器改善孔隙結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)反應(yīng)活性；活化后的復(fù)合吸收劑進(jìn)入空氣反應(yīng)器完成銅基載氧體的再生。本發(fā)明使用鈣循環(huán)耦合化學(xué)鏈工藝實(shí)現(xiàn)了低能耗捕捉煙氣中的CO2，同時(shí)借助水合反應(yīng)抑制吸收劑碳酸化性能衰退。
東南大學(xué)
2021-04-11
一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測(cè)器的制備方法
本發(fā)明公開了一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測(cè)器的制備方法，包括如下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長ZnO納米棒陣列；采用磁控濺射法在ZnO納米棒上濺射不同厚度的AlN鞘層薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ZnO/AlN核鞘納米棒陣列兩端制備具有歐姆接觸的金屬電極，構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明通過簡(jiǎn)單的磁控濺射方法，控制濺射時(shí)間，在ZnO納米棒上生長不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘層薄膜，制備的ZnO/AlN核鞘光探測(cè)器件不僅具有更好的紫外光響應(yīng)，在360nm紫外光照射下，電壓為5V時(shí)，明暗電流比為5.5×103，提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)，同時(shí)具有更快速的響應(yīng)和恢復(fù)時(shí)間，分別是0.883和0.956s。
東南大學(xué)
2021-04-11