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（專利號：ZL 201410557604.6） 簡介：本發(fā)明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鎢(WS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該納米粉末材料為核殼結(jié)構(gòu)，內(nèi)核為WS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述WS2內(nèi)核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發(fā)明采用等離子電弧放電法，將鎢粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極材料，

（專利號：ZL 201410557617.3） 簡介：本發(fā)明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鉬(MoS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該納米粉末材料為核殼結(jié)構(gòu)，內(nèi)核為MoS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述MoS2內(nèi)核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發(fā)明采用等離子電弧放電法，將鉬粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極

（專利號：ZL 201410557601.2） 簡介：本發(fā)明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的硫化銅(CuS)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該納米粉末材料為核殼結(jié)構(gòu)，內(nèi)核為CuS納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述CuS納米顆粒內(nèi)核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發(fā)明采用等離子電弧放電法，將銅粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極

                    粉末二氧化硅 LK925 補(bǔ)強(qiáng)性好、耐摩擦   橡膠用傳統(tǒng)二氧化硅，主要應(yīng)用于日常生活中橡塑補(bǔ)強(qiáng)劑、鞋業(yè)制品、家用電動車輪胎、電線外皮層等領(lǐng)域 LK955-1 分散性高、絕緣性好 LK955-2 絕緣性優(yōu)異、補(bǔ)強(qiáng)性好 LK975 摩擦性好、補(bǔ)強(qiáng)性優(yōu)異 LK955-1A 分散性優(yōu)異、摩擦系數(shù)低 造紙、皮革等領(lǐng)域 LK965A 消光性優(yōu)異、分散性優(yōu)異、摩擦系數(shù)低 高端涂料等領(lǐng)域 LK965B 消光性好、易分散 木器、塑料、皮革等領(lǐng)域 LK955GXJ 透明度高、強(qiáng)度大 硅橡膠專用二氧化硅，可增強(qiáng)其韌性與強(qiáng)度 LK958GXJ 分散性優(yōu)異、強(qiáng)度大 LKSILM10 流動性好、耐酸、耐堿   抗結(jié)塊劑專用二氧化硅，主要防止粉末涂料結(jié)塊、涂層及塑料薄膜粘連，也可在農(nóng)藥可濕性粉劑里的運(yùn)用，可防止結(jié)塊及擴(kuò)散增溶 LKSILM90 摩擦系數(shù)低、流動性好 LSILP245 流動性優(yōu)異、容易擴(kuò)散、具有一定吸附性 LKSILP300 流動性優(yōu)異、摩擦系數(shù)低、吸附性能優(yōu)異 LK25 可根據(jù)客戶需求定制 其它特殊用途二氧化硅

化學(xué)化工學(xué)院婁永兵教授課題組在國際頂級期刊《ACS Nano》上發(fā)表題為“MoS2-Stratified CdS-Cu2?xS Core?Shell Nanorods for Highly Efficient Photocatalytic Hydrogen Production”（二硫化鉬層化硫化鎘?硫

（專利號：ZL 201410445750.X） 簡介：本發(fā)明公開了一種米粒狀α-Fe2O3納米粉末的制備方法，屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該方法首先采用Fe2(SO4)3和NaOH為原材料、十六烷基三甲基溴化銨(C19H42BrN)為表面活性劑，水熱法制備針狀的FeOOH粉末；然后將FeOOH粉末在馬弗爐中以10℃/min的升溫速率從室溫升到1000℃后直接冷卻，即得米粒狀的α-Fe2O3納米粉末。采用該方法所制備的α-Fe2O3呈現(xiàn)較為均

（專利號：ZL 201410445750.X） 簡介：本發(fā)明公開了一種米粒狀α-Fe2O3納米粉末的制備方法，屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該方法首先采用Fe2(SO4)3和NaOH為原材料、十六烷基三甲基溴化銨(C19H42BrN)為表面活性劑，水熱法制備針狀的FeOOH粉末；然后將FeOOH粉末在馬弗爐中以10℃/min的升溫速率從室溫升到1000℃后直接冷卻，即得米粒狀的α-Fe2O3納米粉末。采用該方法所制備的α-Fe2O3呈現(xiàn)較為均

 從元素在地殼中的豐度，毒性和價格方面介紹硫化物作為熱電材料的天然優(yōu)勢；從熱電性能上分析了硫化物在熱穩(wěn)定性，載流子濃度的可調(diào)控性等方面的劣勢；也總結(jié)了包括元素?fù)诫s、微觀結(jié)構(gòu)調(diào)控等優(yōu)化硫化物熱電材料的方法；最后提出了硫化物潛在的研究方向和可能的優(yōu)化硫化物熱電材料性能的新方法。

一、產(chǎn)品性能1）易生物降解性，對生態(tài)系統(tǒng)無毒無害。2）配伍性優(yōu)異，耐強(qiáng)堿，耐高pH值，耐高溫。3）對雙氧水H2O2具有極佳的穩(wěn)定性。用于雙氧水氧漂穩(wěn)定劑。

單層半導(dǎo)體性過渡族金屬硫?qū)倩衔铮∕X2: MoS2, WS2 等）是繼石墨烯之后備受關(guān)注的二維層狀材料。該類材料具有優(yōu)異的電學(xué)性質(zhì)、強(qiáng)的光物相互作用、高效的催化特性等，在光電子學(xué)器件、傳感器件、電催化產(chǎn)氫等領(lǐng)域具有非常廣闊的應(yīng)用前景。單層MX2 材料的批量制備和高品質(zhì)轉(zhuǎn)移是關(guān)鍵的科學(xué)問題。現(xiàn)有方法仍面臨著諸多重大挑戰(zhàn)，例如，難以實(shí)現(xiàn)晶圓尺寸的層數(shù)均勻性、單晶疇區(qū)小、生長速度緩慢、生長襯底價格昂貴、轉(zhuǎn)移過程復(fù)雜、容易引入污染物等。北京大學(xué)張艷鋒課題組是國內(nèi)較早開展相關(guān)研究的課題組之一，在單層MX2材料的可控制備、精密表征和電催化產(chǎn)氫應(yīng)用方面取得了一系列重要進(jìn)展：基于范德華外延的機(jī)理，他們在晶格匹配的云母基底上首次獲得了厘米尺度均勻的單層MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)，他引198次)； 在藍(lán)寶石上獲得了大疇區(qū)單層WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013), 他引250次)；發(fā)展了一種新型的金屬性箔材(Au箔)基底，實(shí)現(xiàn)了疇區(qū)尺寸可調(diào)單層MoS2的制備，借助STM/STS表征技術(shù)建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷態(tài)、電子結(jié)構(gòu)和電催化析氫之間的構(gòu)效關(guān)系 (ACS Nano 8, 10196 (2014)，他引124次)。上述成果也受邀撰寫綜述文章(Chem. Soc. Rev. 44, 2587 (2015)，他引92次)。最近他們在大尺寸均勻MoS2的批量制備以及“綠色”轉(zhuǎn)移方面取得重要進(jìn)展。他們選用廉價易得的普通玻璃作為基底，創(chuàng)新性地采用Mo箔作為金屬源(與S粉共同作為前驅(qū)體)，采用“face-to-face”的金屬前驅(qū)體供給方式，實(shí)現(xiàn)了前驅(qū)體在樣品上下游的均勻供應(yīng)，使得樣品尺寸可以得到最大限度的放大(僅受限于爐體尺寸)，獲得了對角線長度可達(dá)6英寸的均勻單層MoS2; 結(jié)合DFT理論計(jì)算和系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn)，玻璃基底上微量的Na對材料生長起到明顯的促進(jìn)作用, Na傾向于吸附在MoS2疇區(qū)的邊緣，起到顯著降低MoS2拼接生長能壘的作用，從而促進(jìn)其快速生長。 獲取滿覆蓋單層樣品的生長時間僅為8 min，單晶疇區(qū)邊緣尺寸可達(dá)0.5 mm。此外，他們利用玻璃基底的親水特性，發(fā)展了一種無刻蝕的、僅利用超純水輔助的“綠色”轉(zhuǎn)移方法。該方法適用于晶圓尺寸樣品的快速轉(zhuǎn)移，且具有操作簡單，轉(zhuǎn)移樣品質(zhì)量高等明顯優(yōu)勢。該工作提出了利用廉價的普通玻璃基底來制備大面積、晶圓尺寸均勻、大疇區(qū)單層MoS2的新方法/新途徑，并深入分析了其生長機(jī)制，為相關(guān)二維材料的批量制備和高效轉(zhuǎn)移提供了重要的實(shí)驗(yàn)依據(jù)，對于推動該類材料的實(shí)際應(yīng)用具有非常重要的意義。