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直拉硅片的內吸雜工藝
2021-04-11 00:00:00
云上高博會
http://www.502d.xyz
關鍵詞：
硅片吸雜工藝
所屬領域:
項目成果/簡介:
本發明公開了一種直拉硅片的內吸雜工藝，包括：(1)在氮氣氛下，將直拉硅片以50～100℃/秒的速率升溫至1200～1250℃，維持30～150秒，然后以5～50℃/秒的速率冷卻至800～1000℃，接著自然冷卻；(2)將經步驟(1)處理后的直拉硅片在氬氣氛下于800～900℃退火8～16小時。本發明僅包含兩步熱處理工藝，所需溫度和時間比現有工藝的要低，熱預算顯著降低；另外體微缺陷的濃度和潔凈區寬度可以很方便地通過第一步快速熱處理的溫度、時間和冷卻速率得到控制。
項目階段:
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