成果的背景及主要用途：

對(duì)于大功率白光 LED(半導(dǎo)體發(fā)光二極管），由于其工作電流大和工作電壓高，

在其工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生很多熱量，在現(xiàn)有的封裝技術(shù)下，不能提供足夠的散熱能

力來(lái)維持極限條件下的可靠運(yùn)行，大功率 LED 連接成為瓶頸，而解決這一問(wèn)題

的根本方法在于改善芯片級(jí)互連材料的散熱能力。

技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介：

采用納米銀焊膏的低溫?zé)Y(jié)技術(shù)，利用其納米銀低熔點(diǎn)的性能，使燒結(jié)溫度

降低到 280℃，而燒結(jié)后銀連接具有高熔點(diǎn)（960℃）、高導(dǎo)電和高導(dǎo)熱性能，非

常適合高溫功率電子器件的長(zhǎng)期可靠性運(yùn)行。

以大功率 1W LED 芯片封裝為例，測(cè)試表明對(duì)于三種熱界面材料銀漿(silver

epoxy)，錫銀銅焊膏(solder paste)，和鈉米銀焊膏（silver paste），由于鈉米銀焊

膏的高導(dǎo)熱性，在大電流下發(fā)光效率提高 7~10%，說(shuō)明散熱效率提高，有效地

降低了結(jié)溫。目前課題組已完成 25W 的 LED 模塊封裝。

技術(shù)水平及專利與獲獎(jiǎng)情況：

獲發(fā)明專利“以納米銀焊膏低溫?zé)Y(jié)封裝連接大功率 LED 的方法”，發(fā)明專

利 ZL200610014157.5，授權(quán)日：2008.11.19。

應(yīng)用前景分析及效益預(yù)測(cè)：

此項(xiàng)技術(shù)可以用于大功率 LED 芯片的封裝，具有廣闊的市場(chǎng)前景，進(jìn)一步

可以推廣到大功率半導(dǎo)體激光器的封裝中。

應(yīng)用領(lǐng)域：電子封裝

技術(shù)轉(zhuǎn)化條件：

本項(xiàng)目組在電子器件的熱管理方面也具有豐富的經(jīng)驗(yàn)，可進(jìn)行電子封裝的熱

分析及熱管理設(shè)計(jì)。

合作方式及條件：根據(jù)具體情況面議

20 耐高溫、耐高濕電子封裝材料