項目簡介： 殯化鉛 ( PbI2) 是制作室溫半導體核輻射探測器的材料之一。山于提純困難、化學配比難于控制等原因，使得該材料沒有得到應用。我們研究出了一種生長碟化鉛等靜壓的新方法，以 分析純的殯化鉛多晶為原料， 可生長出接近理想化學配比、直徑 15mm、長度 300
