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一種在 SOI 硅片上制備微機械懸空結構的方法
2021-04-14 00:00:00
云上高博會
http://www.502d.xyz
關鍵詞：
微機械懸空結構
所屬領域:
項目成果/簡介:
本發明公開了一種在 SOI 硅片上制備微機械懸空結構的方法。對懸空結構及其固定結構采用不同的槽寬設計，其中，固定結構的槽寬明顯大于懸空結構，寬槽底部經刻蝕首先到達或更加接近 SiO2 層，再通過各向同性干法刻蝕使窄槽底部相互連通并與窄槽下方的 Si 層分離，將窄槽間的梁釋放，形成具有平整底面的懸空結構，同時去除固定結構與懸空結構連接區底部的 Si 以及固定結構與其它結構之間的區域底部的 Si，使得固定結構與窄槽下方的 Si 層及其它結構隔離，從而使不同的固定結構間相互絕緣。本發明的方法簡單有效，能廣
項目階段:
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