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一種石墨相氮化碳薄膜修飾電極的制備方法

2021-04-14 00:00:00
云上高博會 http://www.502d.xyz
關鍵詞: 氮化碳薄膜
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所屬領域:
新能源與節(jié)能環(huán)保
項目成果/簡介:

本發(fā)明公開了一種石墨相氮化碳薄膜修飾電極的制備方法。在

保護氣氛下,首先 450℃~550℃加熱氮化碳原料 1min~6h,使得氮化

碳原料氣化后附著于耐熱載體表面,并形成氮化碳前驅體;然后

500℃~550℃加熱附著有氮化碳前驅體的耐熱載體 1min~6h,使得氮

化碳前驅體氣化并在導電基底表面形成厚度為 10nm~150nm 的石墨

相氮化碳薄膜,獲得所述修飾電極。本發(fā)明通過利用氣相沉積的方法

在導電基底表面修飾

項目階段:
未應用
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