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基于憶阻器的多值存儲單元、讀寫電路及其操作方法
2021-04-14 00:00:00
云上高博會
http://www.502d.xyz
關鍵詞：
憶阻器
所屬領域:
項目成果/簡介:
本發明公開了一種基于憶阻器的多值存儲單元、讀寫電路及其
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操作方法；所述基于憶阻的多值存儲單元是利用憶阻器的阻變特性，
由多個憶阻器以特殊的連接方式構成。這種連接方式組成的多值存儲
單元繼承了憶阻器，體積小，功耗低，可拓展性強的優點。相較于傳
統憶阻器存儲結構，所述多值存儲結構提供了更大的存儲空間，為存
儲器設計提供了一種新的思路。所述多值存儲單元的讀寫電路包括存
儲單元、控制開關以及電壓比較電路。所述讀寫
項目階段:
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