低端MOSFET/IGBT負壓箝位驅動電路及其控制方法

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簡介：本發明公開了一種新型低端MOSFET/IGBT負壓箝位驅動電路及其控制方法，屬于電力電子驅動領域。它包括電路連接的負壓箝位驅動單元與BOOST升壓單元；控制方法的步驟為：（1）控制S1與S4處于導通狀態，S2與S3處于關斷狀態；（2）控制S1、S2、S3和S4處于關斷狀態，Q柵源極上的電壓始終維持在U3上不變；（3）控制S2與S3處于導通狀態，S1與S4處于關斷狀態，Q上的柵源電壓將會被箝位在電壓U4上，Q瞬間被關斷；（4）控制S1、S2、S3和S4都處于不導通狀態，Q柵源極上的電壓維持在U4上。其中S1、S2、S3、S4和Q均代表不同的MOSFET開關管。本發明提高了驅動電路的抗干擾能力，可有效防止開關器件的誤導通。

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