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一種絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法
2021-04-13 00:00:00
云上高博會(huì)
http://www.502d.xyz
關(guān)鍵詞：
晶體管
所屬領(lǐng)域:
項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介:
提供一種絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)及其制備方法，該IGBT包括N型基區(qū)、P型基區(qū)(28)、背P+陽(yáng)極區(qū)(21)、N+陰極區(qū)(26)、柵氧化層(24)、陽(yáng)極(20)、柵電極(25)和陰極(27)，所述的N型基區(qū)由依次層疊的N+擴(kuò)散殘留層(29)、N-基區(qū)(23)和N+緩沖層(22)組成，所述的N+擴(kuò)散殘留層(29)和N+緩沖層(22)從與N-基區(qū)(23)的邊界起始向外摻雜濃度逐漸增加。IGBT在N-基區(qū)(23)正面設(shè)置N+擴(kuò)散殘留層(29)，提高了N型正面的離子摻雜濃度，降低了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JEFT)電阻的影響，從而有效降低IGBT的導(dǎo)通壓降，同時(shí)對(duì)IGBT的正向阻斷電壓(耐壓)的影響降低到最小。
項(xiàng)目階段:
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