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絕緣柵雙極晶體管(IGBT)研究與中試
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項目成果/簡介:
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是新型MOS功率器件，目前在國內的研究只有我們和北工大進行。在國內的生產更是空白。國內的器件應用全靠進口。項目承擔人袁壽財是國內最早從事IGBT研究的人員和專家之一，所有技術是自己研制和開發，屬自有技術。包括平面工藝和目前最先進的Trench(槽)工藝，采用VLSI側墻自隊準和硅化物自對準技術，使工藝極大地簡化
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