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一種超薄芯片的制備方法

2021-04-11 00:00:00
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關鍵詞: 超薄芯片
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所屬領域:
新一代信息技術
項目成果/簡介:

本發明公開了一種超薄芯片的制備方法,具體為:首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區域,再采用刻蝕工藝對硅晶圓進行局部減薄,對減薄后的區域進行芯片后續工藝處理得到芯片,最后將芯片與硅晶圓分離。本發明只是部分減薄了硅片,所以硅晶圓的機械強度仍然可以支持硅片進行后續的加工工藝,相對于傳統的利用支撐基底來減薄芯片的方法,簡化了工藝流程,降低了工藝成本。另外由于不需要用機械研磨工藝來進行減薄,所以不會因為機械研磨對硅晶圓造成的輕微震動而使厚度不能減得過小,通過本發明可以使芯片減薄到比機械研磨方法更薄的程度。

項目階段:

未應用

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